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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ○久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFE... [more] | ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 pp.11-14 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] | ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 pp.73-76 |
| SDM | 2016-10-27 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響 ○齋藤雅也・諏訪智之・寺本章伸・黒田理人・幸田安真・杉田久哉・石井秀和・志波良信・白井泰雪・須川成利（東北大）・林 真里恵・土本淳一（キヤノンアネルバ） SDM2016-73 |
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM（Metal-Insulator-Metal）キャパシタへの応用が期待され... [more] | SDM2016-73 pp.27-30 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2015-06-19 16:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2015-53 |
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3... [more] | SDM2015-53 pp.81-86 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 ○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 |
原子層堆積（ALD）法によりZrO2/Al2O3積層膜を堆積させ、この膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオー... [more] | ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 pp.107-112 |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| ED | 2009-06-11 16:25 |
東京 | 東京工業大学 | MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化 ○前田就彦・廣木正伸・榎木孝知（NTT）・小林 隆（NTT-AT） ED2009-42 |
MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の... [more] | ED2009-42 pp.31-36 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 13:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 ○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆（阪大） R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 |
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜... [more] | R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 pp.1-6 |
| CPM | 2007-11-16 17:00 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | サファイア基板及び白金電極上のCr2O3スパッタ薄膜の結晶成長 ○大月俊平・浅田 毅・岩田展幸・山本 寛（日大） CPM2007-113 |
気磁気効果とは、電界印加によって磁化Mが誘起される現象、もしくは、その逆である。本研究では、電気磁気効果を有する反強磁性... [more] | CPM2007-113 pp.43-48 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:35 |
福井 | 福井大学 | 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 ○水江千帆子・松山哲也・小谷淳二・ミツェーク マルチン・橋詰 保（北大） ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 |
Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にA... [more] | ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 pp.43-46 |
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