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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ○久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFE... [more] | ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 pp.11-14 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 14:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 ○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通） ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 |
高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD：Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造... [more] | ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 pp.15-20 |
| PEM (ワークショップ) |
2023-11-27 - 2023-11-28 |
北海道 | 北海道大学 フロンティア応用科学研究棟 | Design of Sub-THz Signal Generation Device Based on Optical Difference Frequency Generation Using T-Branch LiTaO3 and Al2O3 Rectangular Waveguide ○Ken Paramayudha・Yui Otagaki・Hiroshi Murata（Mie University） |
[more] | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 pp.61-64 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| SCE | 2020-09-02 13:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 深宇宙探査用新型アンテナのための超伝導フィルタの開発 ○林 拓磨・關谷尚人（山梨大）・大野剛志（日本通信機） SCE2020-1 |
r-Al2O3基板を用いて深宇宙探査用アンテナのための超伝導帯域通過フィルタ(BPF)の開発を行った．基板に用いたr-A... [more] | SCE2020-1 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| SDM | 2018-06-25 12:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 ○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） SDM2018-19 |
本研究では、Al$_2$O$_3$/n-GaN MOSキャパシタの固定電荷及びダイポールの生成に対する自然酸化膜界面層(... [more] | SDM2018-19 pp.15-18 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価 ○久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 |
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] | ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77 pp.73-76 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:55 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度への成膜温度およびH2アニールの影響 ○大澤一斗・野口真司・祢津誠晃・木瀬信和・宮本恭幸（東工大） ED2016-103 MW2016-179 |
高い電子移動度を持つIII-V族化合物半導体が将来のnMOSFETのチャネル材料として期待されている。その実現のためには... [more] | ED2016-103 MW2016-179 pp.35-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 14:15 |
京都 | 京大桂キャンパス | 室温原子層堆積法を用いた人工ゼオライト作製と色素増感太陽電池への応用 ○今井貴大・三浦正範・鹿又健作・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2016-77 CPM2016-110 LQE2016-93 |
ゼオライトはイオン吸着剤として工業的に広く利用されている。我々は室温原子層堆積法を用いてAl2O3とSiO2を人工的に複... [more] | ED2016-77 CPM2016-110 LQE2016-93 pp.97-101 |
| SDM | 2016-10-27 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響 ○齋藤雅也・諏訪智之・寺本章伸・黒田理人・幸田安真・杉田久哉・石井秀和・志波良信・白井泰雪・須川成利（東北大）・林 真里恵・土本淳一（キヤノンアネルバ） SDM2016-73 |
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM（Metal-Insulator-Metal）キャパシタへの応用が期待され... [more] | SDM2016-73 pp.27-30 |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| SDM | 2015-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保（北大） SDM2015-38 |
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室... [more] | SDM2015-38 pp.1-4 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2015-06-19 16:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2015-53 |
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3... [more] | SDM2015-53 pp.81-86 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
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