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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 13:15 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［依頼講演］パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル ○石井雄一郎・田中美紀・藪内 誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス）  SDM2018-40 ICD2018-27 |
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] | SDM2018-40 ICD2018-27 pp.83-88 |
| ICD | 2018-04-20 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減 ○横山佳巧・石井雄一郎・奥田治之・新居浩二（REL） ICD2018-9 |
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] | ICD2018-9 pp.33-38 |
| ICD | 2016-04-14 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM ○森 陽紀・中川知己・北原佑起・河本優太・高木健太・吉本秀輔・和泉慎太郎（神戸大）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2016-3 |
28-nm FD-SOIプロセス技術を用いた, 低消費電力かつ低電圧な画像処理向け64-kb 8T3ポートSRAMを提案... [more] | ICD2016-3 pp.13-16 |
| ICD | 2012-04-24 11:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 ○石井雄一郎・塚本康正・新居浩二・藤原英弘・薮内 誠・田中浩司・田中信二・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス） ICD2012-11 |
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について，ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] | ICD2012-11 pp.55-60 |
| ICD | 2012-04-24 14:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・奥村俊介（神戸大）・鈴木利一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2012-14 |
本論文では，低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する．提案技術は，プリチャージレスイコ... [more] | ICD2012-14 pp.73-78 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 15:05 |
富山 | 富山県民会館 | 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM ○石井雄一郎・藤原英弘・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・千ヶ崎英夫・黒宮 修・佐伯 宰（ルネサスデザイン）・宮西篤史・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-92 ICD2011-60 |
8T デュアルポートSRAMセルのライトディスターブ状態での動作下限電圧を改善する回路手法を提案する．提案するアクティブ... [more] | SDM2011-92 ICD2011-60 pp.109-114 |
| ICD | 2011-04-19 11:45 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 ○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2011-13 |
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため，6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] | ICD2011-13 pp.71-76 |
| ICD | 2010-12-16 09:30 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 ○本田健太郎・宮地幸祐・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2010-95 |
8T-SRAMのアクセストランジスタをに局所的に電子を局所的に注入することによってしきい値電圧を非対称にし、ハーフセレク... [more] | ICD2010-95 pp.1-6 |
| OME | 2010-07-29 15:25 |
山口 | 帝人(株) 先端技術開発センター 第五会議室 | Poly(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene)を用いた有機発光トランジスタの作製とその特性 ○小岩井恭平・梶井博武・大森 裕（阪大） OME2010-44 |
poly [(9,9-dialkylfluorene-2,7-dyil)-co-(bithiophene)] (F8T2... [more] | OME2010-44 pp.23-28 |
| ICD | 2010-04-22 10:50 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・中瀬泰伸・篠原尋史（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-3 |
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。 読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more] |
ICD2010-3 pp.13-16 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | V帯第8次高調波Push-Push発振器の基礎検討 ○川崎健吾・田中高行・相川正義（佐賀大） ED2008-201 MW2008-166 |
本研究では，Push-Push原理によるV帯第8次高調波出力ミリ波発振回路についての基礎検討を行った.ここに提案するPu... [more] | ED2008-201 MW2008-166 pp.17-22 |
| OME | 2008-09-30 16:20 |
兵庫 | 情報通信研究機構 神戸研究所 | ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタのゲート構造依存性 ○広瀬遥平・梶井博武（阪大）・田村弘毅（東京応化）・大森 裕（阪大） OME2008-49 |
フルオレンとチオフェンのコポリマーであるpoly [(9,9-dialkylfluorene - 2,7- dyil)-... [more] | OME2008-49 pp.33-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 15:40 |
北海道 | 北見工業大学 | DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計 ○森田泰弘・藤原英弘・野口紘希・井口友輔（神戸大）・新居浩二（神戸大/ルネサステクノロジ）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2007-167 ICD2007-95 |
45nm世代以降のLSI製造プロセスノードにおいて，8トランジスタ構成のSRAMセル（8Tセル）が従来の6Tセルよりも小... [more] | SDM2007-167 ICD2007-95 pp.139-144 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
| OME | 2006-09-25 14:45 |
兵庫 | 兵庫県立大学本部（中会議室） | Poly(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene)の光学特性の熱処理効果 ○清水雄介・遠藤歳幸・小林隆史・内藤裕義（阪府大） |
$\pi$共役系高分子は有機LEDや有機FETなど有機電子デバイスへの応用が期待され、近年盛んに研究されている。Poly... [more] | OME2006-86 pp.49-53 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 12:05 |
北海道 | 北海道大学 | 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発 ○今岡 進（ルネサスデザイン）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・増田康浩（ルネサスデザイン）・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・五十嵐元繁・冨田和朗・坪井信生・牧野博之・石橋孝一郎・篠原尋史（ルネサステクノロジ） |
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] | SDM2006-148 ICD2006-102 pp.133-136 |
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