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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器）  SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
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