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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2012-12-17
15:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [ポスター講演]局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束
小林大介宮地幸祐中大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健中大
6T-SRAMにおいて,しきい値電圧(VTH)のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため,パスゲートトランジ... [more] ICD2012-94
p.31
ICD 2011-04-19
10:55
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM
大内真一遠藤和彦柳 永シュン松川 貴中川 格石川由紀塚田順一山内洋美関川敏弘小池汎平坂本邦博昌原明植産総研
本稿では、ランダムばらつきに起因する故障ビットを救済する機能を持つFinFET SRAMについて提案する。このSRAMア... [more] ICD2011-11
pp.59-63
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technology
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
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