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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-06-26 11:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 ○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大）  SDM2023-29 |
オクタデシルホスホン酸（ODPA: octadecylphosphonic acid）の自己組織化単分子膜（SAM: s... [more] | SDM2023-29 pp.7-10 |
| EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ［ポスター講演］YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜共振子の特性 ○李 嵩・賈 軍軍・柳谷隆彦（早大） US2022-64 |
AlNやGaN圧電薄膜を用いたバルク弾性波（BAW）共振子は、高い音速と低い機械的損失を持つため、マイクロ波通信用のGH... [more] | US2022-64 pp.74-79 |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大） SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| SDM | 2018-11-09 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング ○田中 一・森 伸也（阪大） SDM2018-71 |
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し，モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った．フォ... [more] | SDM2018-71 pp.35-40 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:45 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ～ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ～ ○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-12 SDM2017-73 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H... [more] | EID2017-12 SDM2017-73 pp.5-8 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:00 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ～ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ～ ○西畑凜哉・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-13 SDM2017-74 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である．Al濃度が1... [more] | EID2017-13 SDM2017-74 pp.9-12 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:15 |
京都 | 京都大学 | Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ～ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ～ ○日高淳輝・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-14 SDM2017-75 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である．高濃度A... [more] | EID2017-14 SDM2017-75 pp.13-16 |
| SDM | 2016-06-29 14:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 ○藤村信幸・大田晃生・渡辺浩成・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2016-40 |
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] | SDM2016-40 pp.43-47 |
| ED | 2016-01-20 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 ○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊 寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜 勲・山川 聡（三菱電機） ED2015-113 |
既存の鉄道車両向けモジュールのさらなる効率化を図るため，次世代パワー半導体材料であるSiCを用いた3.3 kV耐圧のMO... [more] | ED2015-113 pp.7-12 |
| ED | 2015-07-24 15:35 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大） ED2015-41 |
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] | ED2015-41 pp.25-29 |
| SDM | 2015-06-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 ○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機） SDM2015-41 |
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] | SDM2015-41 pp.17-20 |
| SDM | 2015-06-19 11:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機） SDM2015-42 |
SiC(000-1)面（C面）、SiC(0001)面（Si面）それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] | SDM2015-42 pp.21-26 |
| SDM | 2015-06-19 11:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 ○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-43 |
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] | SDM2015-43 pp.27-30 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-29 09:55 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 ○小濱公洋・森 祐人・加藤正史・市村正也（名工大） ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 |
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] | ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 pp.71-76 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:15 |
京都 | 京都大学 | Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性 ○結城広登（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-33 SDM2014-128 |
Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し，1Hz～1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った．Split C-V... [more] | EID2014-33 SDM2014-128 pp.103-107 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:30 |
京都 | 京都大学 | シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価 ○磯野弘典（奈良先端大）・矢野裕司（奈良先端大/筑波大） EID2014-34 SDM2014-129 |
シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは，多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や，低いチャネル... [more] | EID2014-34 SDM2014-129 pp.109-113 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:45 |
京都 | 京都大学 | 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性 ○浅田聡志・奥田貴史・木本恒暢・須田 淳（京大） EID2014-35 SDM2014-130 |
本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅... [more] | EID2014-35 SDM2014-130 pp.115-118 |
| SDM | 2014-11-06 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算 ○岡本 稔・清水 守・大倉康幸・山口 憲・小池秀耀（アドバンスソフト） SDM2014-98 |
[more] | SDM2014-98 pp.13-18 |
| SDM | 2014-10-17 10:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | 角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明 ○笹子知弥・山堀俊太・野平博司（東京都市大） SDM2014-90 |
我々は、角度分解X線光電子分光法を用いて、乾燥酸素中800℃～850℃で酸化したときの4H-SiC、C面の初期酸化過程を... [more] | SDM2014-90 pp.35-39 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 13:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大） ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] | ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 pp.101-104 |
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