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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-11-09
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング
田中 一森 伸也阪大SDM2018-71
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し,モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った.フォ... [more] SDM2018-71
pp.35-40
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:45
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
小澤愼二竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-12 SDM2017-73
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H... [more] EID2017-12 SDM2017-73
pp.5-8
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:00
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
西畑凜哉竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-13 SDM2017-74
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1... [more] EID2017-13 SDM2017-74
pp.9-12
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:15
京都 京都大学 Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~
日高淳輝竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-14 SDM2017-75
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である.高濃度A... [more] EID2017-14 SDM2017-75
pp.13-16
SDM 2016-06-29
14:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
藤村信幸大田晃生渡辺浩成牧原克典宮崎誠一名大SDM2016-40
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] SDM2016-40
pp.43-47
ED 2016-01-20
10:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現
濱田憲治日野史郎三浦成久渡邊 寛中田修平末川英介海老池勇史今泉昌之梅嵜 勲山川 聡三菱電機ED2015-113
既存の鉄道車両向けモジュールのさらなる効率化を図るため,次世代パワー半導体材料であるSiCを用いた3.3 kV耐圧のMO... [more] ED2015-113
pp.7-12
ED 2015-07-24
15:35
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性
矢野裕司奈良先端大/筑波大)・結城広登冬木 隆奈良先端大ED2015-41
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] ED2015-41
pp.25-29
SDM 2015-06-19
10:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
野口宗隆岩松俊明三浦成久中田修平山川 聡三菱電機SDM2015-41
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] SDM2015-41
pp.17-20
SDM 2015-06-19
11:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
森 大輔井上 慧寺西秀明広瀬隆之瀧川亜樹富士電機SDM2015-42
SiC(000-1)面(C面)、SiC(0001)面(Si面)それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] SDM2015-42
pp.21-26
SDM 2015-06-19
11:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
竹内和歌奈名大)・山本建策デンソー)・坂下満男名大)・金村髙司デンソー)・中塚 理財満鎭明名大SDM2015-43
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] SDM2015-43
pp.27-30
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:55
愛知 豊橋技科大VBL棟 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価
小濱公洋森 祐人加藤正史市村正也名工大ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32
pp.71-76
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
16:15
京都 京都大学 Si面4H-SiC n-MOSFETにおけるSplit C-V特性の周波数依存性
結城広登奈良先端大)・矢野裕司奈良先端大/筑波大EID2014-33 SDM2014-128
Si面4H-SiCのn-MOSFETを作製し,1Hz~1MHzの範囲でSplit C-V測定を行った.Split C-V... [more] EID2014-33 SDM2014-128
pp.103-107
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
16:30
京都 京都大学 シングルパルスId-Vgs測定による4H-SiC MOSFETの界面特性評価
磯野弘典奈良先端大)・矢野裕司奈良先端大/筑波大EID2014-34 SDM2014-129
シリコンカーバイド(SiC)-MOSFETは,多量の界面準位(Dit)によるしきい値電圧(Vth)の変動や,低いチャネル... [more] EID2014-34 SDM2014-129
pp.109-113
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
16:45
京都 京都大学 4H-SiC BJTの電流増幅率の温度依存性
浅田聡志奥田貴史木本恒暢須田 淳京大EID2014-35 SDM2014-130
本研究では、4H-SiC バイポーラトランジスタにおける電流増幅率の温度依存性を140-460 Kの範囲で測定した。増幅... [more] EID2014-35 SDM2014-130
pp.115-118
SDM 2014-11-06
10:55
東京 機械振興会館 モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算
岡本 稔清水 守大倉康幸山口 憲小池秀耀アドバンスソフトSDM2014-98
 [more] SDM2014-98
pp.13-18
SDM 2014-10-17
10:40
宮城 東北大学未来研 角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明
笹子知弥山堀俊太野平博司東京都市大SDM2014-90
我々は、角度分解X線光電子分光法を用いて、乾燥酸素中800℃~850℃で酸化したときの4H-SiC、C面の初期酸化過程を... [more] SDM2014-90
pp.35-39
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
13:20
愛知 名古屋大学VBL3階 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴加藤正史市村正也名工大ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36
pp.101-104
SDM 2013-12-13
17:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察
金藤夏子矢野裕司大澤 愛畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2013-132
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが,しきい値電圧の... [more] SDM2013-132
pp.97-100
SDM 2013-06-18
15:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化
矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2013-58
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] SDM2013-58
pp.71-76
SDM 2013-06-18
16:45
東京 機械振興会館 [依頼講演]SiC酸化メカニズム解明への試み ~ Si酸化との共通点/異なる点 ~
土方泰斗八木修平矢口裕之埼玉大SDM2013-62
SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには,SiC酸化メカニズムのより一層の理解が... [more] SDM2013-62
pp.91-96
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