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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）  EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］28nmFD-SOIを用いた画像処理プロセッサ向け低消費電力SRAM ○河本優太・吉本秀輔・中川知己・北原佑起・森 陽紀・高木健太・和泉慎太郎（神戸大）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2013-116 |
近年，画像認識技術が車載をはじめ様々な用途に応用されている．高解像度化により入力される画像データ量が増大しているため，デ... [more] | ICD2013-116 p.41 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 10:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM ○梅本由紀子・新居浩二・石川次郎・薮内 誠・塚本康正・田中信二・田中浩司・森 和孝・柳沢一正（ルネサス エレクトロニクス） SDM2013-77 ICD2013-59 |
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] | SDM2013-77 ICD2013-59 pp.59-64 |
| ICD | 2013-04-12 15:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減 ○前田徳章・小松成亘・森本薫夫・田中浩二・塚本康正・新居浩二・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス） ICD2013-21 |
モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタン... [more] | ICD2013-21 pp.109-114 |
| ICD | 2012-04-24 11:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 ○石井雄一郎・塚本康正・新居浩二・藤原英弘・薮内 誠・田中浩司・田中信二・島崎靖久（ルネサス エレクトロニクス） ICD2012-11 |
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について，ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] | ICD2012-11 pp.55-60 |
| SDM | 2012-03-05 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス ○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-177 |
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] | SDM2011-177 pp.7-11 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 15:05 |
富山 | 富山県民会館 | 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM ○石井雄一郎・藤原英弘・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・千ヶ崎英夫・黒宮 修・佐伯 宰（ルネサスデザイン）・宮西篤史・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-92 ICD2011-60 |
8T デュアルポートSRAMセルのライトディスターブ状態での動作下限電圧を改善する回路手法を提案する．提案するアクティブ... [more] | SDM2011-92 ICD2011-60 pp.109-114 |
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