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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 14:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価 ○藤田 周・三好実人・江川孝志（名工大）  ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 |
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] | ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 pp.97-102 |
| ED | 2011-12-15 10:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器 ○谷本雄大・Stephane Boubanga-Tombet・渡辺隆之（東北大）・Yuye Wang・南出泰亜・伊藤弘昌（理研）・Denis Fateev・Vyacheslav Popov（ロシア科学アカデミー）・Dominique Coquillat・Wojciech Knap（モンペリエ第2大）・尾辻泰一（東北大） ED2011-110 |
非対称二重回折格子状ゲート電極を有する InAlAs/InGaAs/InP 高電子移動度トランジスタ(HEMT)が、テラ... [more] | ED2011-110 pp.57-61 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 13:35 |
佐賀 | 佐賀大学 | 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器 ○西嶋将明・村田智洋・廣瀬 裕・引田正洋・根来 昇・酒井啓之・上本康裕・井上 薫・田中 毅・上田大助（松下電器） |
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] | ED2005-165 MW2005-120 pp.39-43 |
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