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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-10-22 10:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 ○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人（東北大）・柴田 寛・柴口 拓・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ宮城）・須川成利（東北大）  SDM2020-15 |
本稿では高容量密度・高絶縁破壊耐圧を両立したSiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタについて報告する. 開発したキャパシタは,... [more] | SDM2020-15 pp.7-11 |
| SDM | 2018-06-25 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展 ○川原田 洋・大井信敬・畢 特・今西祥一朗・岩瀧雅幸・矢部太一・平岩 篤（早大） SDM2018-21 |
ダイヤモンドと絶縁膜界面の2次元正孔ガスを利用した電界効果トランジスタを利用して、高耐圧（～2000 V）の電界効果トラ... [more] | SDM2018-21 pp.23-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:10 |
京都 | 京大桂キャンパス | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 pp.35-39 |
| SDM | 2015-11-06 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用 ○石田秀俊・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） SDM2015-90 |
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] | SDM2015-90 pp.35-38 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ ○砂村 潤・古武直也・齋藤 忍・成広 充・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-76 ICD2014-45 |
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術（BEOL-F... [more] | SDM2014-76 ICD2014-45 pp.77-82 |
| EE, CPM (共催) |
2013-01-25 10:15 |
熊本 | 阿蘇ファームランド | 高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発 ○松吉 峻（九工大）・附田正則（国際東アジア研究センター）・平井秀敏・大村一郎（九工大） EE2012-46 CPM2012-168 |
高耐圧パワーデバイス評価用テストベッドを開発した。本テストベッドは超低寄生インダクタンスを実現する専用デバイスパッケージ... [more] | EE2012-46 CPM2012-168 pp.105-109 |
| ICD | 2012-03-26 10:25 |
大阪 | 大阪大学銀杏会館 | MEMS混載LSIに適した高耐圧容量測定回路 ○児玉和俊・池田 誠（東大） ICD2011-146 |
本論文では,高耐圧で,なおかつ蓄えられた電荷量に依存せず MEMS の容量値測定を行う回路を提案する.MEMS の駆動や... [more] | ICD2011-146 pp.7-12 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| SDM | 2009-11-12 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" ○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェ フェルドマン・三浦道子（広島大） SDM2009-139 |
高耐圧デバイスIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に... [more] | SDM2009-139 pp.23-27 |
| EID, ITE-IDY (共催) |
2009-07-23 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | 高耐圧アドレスドライバIC(Hi-AD IC)を用いたPDP片側駆動方式 ○長瀬拓生・森 睦宏・小野澤 誠・春名史雄・福田智之・糸川直樹・小山明夫（日立） EID2009-17 |
ＰＤＰモジュールの消費電力、コストを低減する駆動方式として、一方のサステイン回路を削除して駆動する片側駆動方式が注目され... [more] | EID2009-17 pp.21-24 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用 ○齋藤 渉（東芝）・土門知一（東芝ビジネスアンドライフサービス）・大村一郎・新田智洋・垣内頼人・齋藤泰伸・津田邦男・山口正一（東芝） ED2008-204 MW2008-169 |
高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスに... [more] | ED2008-204 MW2008-169 pp.35-40 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路 ○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝） |
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more] | ED2006-237 MW2006-190 pp.205-208 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 13:25 |
京都 | 京都大学 | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○中田 健・川崎 健・松田慶太・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス） |
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高い為ために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワー... [more] | ED2006-153 CPM2006-90 LQE2006-57 pp.7-12 |
| ICD, ITE-CE (共催) |
2006-01-26 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | スケーリングされたトランジスタに適応した高耐圧オペアンプ設計 ○石田光一・アティット タマタカーン（東大）・石黒仁揮（東芝）・桜井貴康（東大） |
電源電圧範囲を超える（アウトサイド・レール）出力を有する高耐圧オペアンプを設計し、1.8V、0.18µm、標... [more] | ICD2005-205 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 14:30 |
滋賀 | 立命館大学 | リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT ○中田 健・川崎 健・八重樫誠司（ユーディナデバイス） |
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高いために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワース... [more] | ED2005-129 CPM2005-116 LQE2005-56 pp.51-56 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] | ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5 |
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