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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2015-07-25
10:40
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス
木下治紀祢津誠晃三嶋裕一金澤 徹宮本恭幸東工大ED2015-44
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] ED2015-44
pp.39-44
ED, MW
(共催)
2014-01-16
11:20
東京 機械振興会館 MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET
金澤 徹三嶋裕一木下治紀上原英治宮本恭幸東工大ED2013-115 MW2013-180
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] ED2013-115 MW2013-180
pp.29-33
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:25
東京 機械振興会館 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET
金澤 徹寺尾良輔山口裕太郎池田俊介米内義晴加藤 淳宮本恭幸東工大ED2010-188 MW2010-148
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] ED2010-188 MW2010-148
pp.69-73
ED, MW
(共催)
2010-01-14
10:00
東京 機械振興会館 Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
金澤 徹若林和也齋藤尚史寺尾良輔田島智宣池田俊介宮本恭幸古屋一仁東工大ED2009-181 MW2009-164
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] ED2009-181 MW2009-164
pp.39-42
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:25
東京 機械振興会館 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価
森 隆志東 祐介土屋英昭神戸大VLD2007-51 SDM2007-195
近年,極微細n-チャネルMOSFETの電流駆動力を向上させるために,Geや?-?族化合物半導体等の高移動度チャネル材料の... [more] VLD2007-51 SDM2007-195
pp.5-10
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