| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EST, MW, EMT, OPE, MWPTHz (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2023-07-20 11:25 |
北海道 | 室蘭工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
伝熱シミュレーションを用いた相変化材料高周波デバイスの検討 ○佐藤 拓・山下晃司・岡部秀之・君島正幸（アドバンテスト研）  EMT2023-14 MW2023-32 OPE2023-14 EST2023-14 MWPTHz2023-10 |
相変化材料高周波スイッチデバイスのON-OFF切り替えは, 100~ns～1~$mu$s程度のパルスヒータ制御による加... [more] |
EMT2023-14 MW2023-32 OPE2023-14 EST2023-14 MWPTHz2023-10 pp.27-31 |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 13:50 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 ○原 直紀・高橋 剛・川野陽一・中舍安宏（富士通/富士通研） EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 |
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] | EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 pp.9-10 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 13:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 ○石松裕真・舟木浩祐・桝谷聡士・宮崎恭輔・大島孝仁・嘉数 誠・大石敏之（佐賀大） ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 |
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており，これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] | ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76 pp.69-72 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]