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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2023-12-08
09:00
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 自己ジュール熱支援型電界放射陰極の特性評価
小田陸人根尾陽一郎文 宗鉉静岡大ED2023-46
従来、電界放射は nA~μA の放出電流で使用される事は一般的であるが, 更なる高輝度化のため,エネルギー分散が小さく,... [more] ED2023-46
pp.31-34
ED 2019-11-22
10:25
東京 機械振興会館 n型ダイヤモンド酸素終端表面からの電子放出のエネルギー分析
増澤智昭根尾陽一郎三村秀典静岡大)・岡野 健国際基督教大)・山田貴壽産総研ED2019-71
リン添加n型ダイヤモンド酸素終端表面からの電子放出メカニズムを調べるため、紫外線光電子分光法と電界放出電子分光による電子... [more] ED2019-71
pp.47-49
ED 2017-10-26
13:55
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・高井幹夫阪大ED2017-37
p型半導体エミッタは、金属エミッタと異なり、光感受性に優れるため、バンドギャップ以上の低エネルギーレーザを用いて短パルス... [more] ED2017-37
pp.5-8
ED 2017-10-26
14:20
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 ファウラーノルドハイムプロットの非直線性が切片傾き解析に与える影響
後藤康仁京大ED2017-38
電界放出電子源の特性を評価するファウラーノルドハイムプロットが非直線性を
持つ場合に、それが切片傾き解析に与える影響に... [more]
ED2017-38
pp.9-11
EE 2017-01-26
14:45
長崎 長崎大学(文教キャンパス) [ポスター講演]電界電子放出現象を用いたエックス線発生装置の開発
道上僚太荻野雅紀西野 悟清山浩司大山 健浜垣秀樹長崎総合科学大EE2016-66
X線源は医療分野でのレントゲン写真から物質の非破壊検査まで幅広い分野で使われている。X線源の電子発生部はフィラメントを用... [more] EE2016-66
pp.93-96
ED 2016-10-25
14:40
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価(その2)
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2016-46
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] ED2016-46
pp.13-15
ED 2016-10-26
10:20
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) コロジオンに分散させた二酸化パラジウムを貴金属供給源とするナノ電子源の作製
浅井泰尊熊谷成輝村田英一六田英治名城大ED2016-53
貴金属で被覆されたタングステン(W)の原子スケールのピラミッドを,タングステン(W)針の先端に自発的に成長させることがで... [more] ED2016-53
pp.47-50
ED 2016-10-26
11:25
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) 炭素系材料からの電子放出の機構解明の試み ~ アーク炭素膜とC60分子からの電界放出計測を通じて ~
佐々木正洋山田洋一樋口敏春麻薙 健安達 学西山裕二明神拓真筑波大ED2016-55
炭素系材料から、しばしば、その仕事関数、幾何形状で予想されるよりも遥かに低い電界で電子放出が観測されることがあるが、その... [more] ED2016-55
pp.57-62
ED 2015-10-23
10:35
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) 高濃度窒素添加ダイヤモンドを用いた電子源の試作 ~ 鋳型成長を用いた電極一体・平板型エミッターの製作 ~
胡谷大志国際基督教大)・増澤智昭静岡大)・山田貴壽産総研)・落合 潤斎藤市太郎岡野 健国際基督教大ED2015-64
ダイヤモンドは,その化学的安定性や高い熱伝導率,また負の電子親和力を持つ事から,電子源材料としての活用が期待されている.... [more] ED2015-64
pp.53-56
CPM 2013-10-24
15:50
新潟 新潟大ときめいと アルコールを原料とした熱CVD法によるCNTの作製
久保直希山田渓介山上朋彦上村喜一信州大CPM2013-98
カーボンナノチューブ(CNT)は、その機械的、熱的および化学的性質に起因して多くの分野で研究されている。真空ナノエレクト... [more] CPM2013-98
pp.27-30
CPM 2013-10-25
11:25
新潟 新潟大ときめいと 絶縁膜中に分散させたCNT冷陰極の開発
浅田裕司山上朋彦上村喜一信州大CPM2013-106
ナノカーボン材料を用いた簡便なプロセスによる冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構... [more] CPM2013-106
pp.63-66
ED 2012-11-19
14:25
大阪 阪大中之島センター グラフェンエッジ冷陰極の作製と電子放出特性の評価
村上勝久筑波大)・山口尚登ラトガーズ大)・若家冨士男高井幹夫阪大)・Manish Chhowallaラトガーズ大ED2012-55
還元酸化グラフェンエッジからの電子放出特性を電界放射顕微鏡・電界イオン顕微鏡複合装置を用いて評価した。非常に薄い還元酸化... [more] ED2012-55
pp.7-10
CPM 2012-10-27
11:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討
浅田裕司山下将弘山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2012-109
ナノカーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し,CNT濃... [more] CPM2012-109
pp.87-90
ED 2011-10-21
09:50
青森 八戸ポータルミュージアム はっち ガラス基板上酸化チタンナノ構造の作製と電界電子放出特性
若家冨士男中谷卓央阿保 智高井幹夫阪大ED2011-68
酸化チタンは光起電力や光触媒などのユニークな特徴があり注目されている材料である。本稿では,印刷法とNaOH水溶液を用いた... [more] ED2011-68
pp.41-45
ED 2010-10-25
13:50
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性とC-N結合の関係
工藤唯義筑波大/国際基督教大)・増澤智昭佐藤祐介国際基督教大)・齋藤市太郎国際基督教大/ケンブリッジ大)・山田貴壽産総研)・Angel KohDaniel Chuaシンガポール国立大)・吉野輝雄田 旺帝国際基督教大)・山崎 聡筑波大/産総研)・岡野 健国際基督教大ED2010-130
尿素,ジメチル尿素という2種類の不純物源を用いて合成した窒素添加ダイヤモンドについて,飛行時間二次イオン質量分析(TOF... [more] ED2010-130
pp.11-15
CPM 2010-07-30
10:55
北海道 道の駅しゃり 会議室 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出
斉藤裕史山上朋彦林部林平大池 匠山下将弘・○上村喜一信州大CPM2010-39
陰極表面に対して水平に配置されたカーボンナノチューブ(CNT)からの電界電子放出特性を検討するために無限長直線電荷と同時... [more] CPM2010-39
pp.45-48
CPM 2009-10-29
16:15
富山 富山県立大学 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価
斉藤裕史萩野達也松本純樹山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2009-93
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、電界増幅係数を高く保ったまま安定な冷陰極を構成できることを提案した... [more] CPM2009-93
pp.17-20
ED 2009-10-15
14:20
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 マルチエミッタ評価装置による電子放出素子のその場・real time観察
酒井健太郎椿 大輔村田英一下山 宏名城大)・酒村一到根岸伸安渡辺 温パイオニアED2009-118
これまで我々は、マルチエミッタの動作状態や性能を評価するためのマルチエミッタ評価装置を開発してきた。本装置はLEEM/F... [more] ED2009-118
pp.11-16
CPM 2008-08-04
14:25
北海道 室蘭工業大学 スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性
宮崎 慶田口義之斉藤裕史宮永琢也山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2008-42
スパッタ堆積した炭素薄膜の電界電子放出特性について検討した.比較的高い圧力下で堆積することにより,閾値電界の低い電界電子... [more] CPM2008-42
pp.5-8
ED 2008-08-04
13:50
静岡 静岡大学浜松キャンパス リン添加ダイヤモンドナノチップアレーからの電界電子放出特性
山田貴壽Christoph E. NEBEL鹿田真一産総研ED2008-111
酸素プラズマエッチングと気相成長(CVD)法により,リン添加ダイヤモンドチップアレーを作製し,電界電子放出特性を評価した... [more] ED2008-111
pp.11-14
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