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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2022-12-09
16:00
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 電界誘起水及び酸素エッチングによるタングステン針からの特異な電子放出
稲葉雪乃壁谷 桜森岡咲帆脇 彩花吉田真子國枝夕夏村田英一六田英治名城大ED2022-69
電界誘起酸素エッチングと呼ばれる真空中処理によりタングステン(W)針を先鋭化する試みがなされ、原子スケール終端をもつ収束... [more] ED2022-69
pp.62-63
ED 2017-10-27
10:50
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 高線量率のX線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作
森藤瑛之辻 博司京大)・長尾昌善産総研)・秋吉優史阪府大)・高木郁二後藤康仁京大ED2017-46
シングルゲートフィールドエミッタアレイのX線照射下における電子放出特性を調べた。孤立した電極に帯電してしまうことを防ぐた... [more] ED2017-46
pp.43-46
ED 2016-10-25
15:20
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) 層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化
宮崎健人阪井那央哉三重大)・永井滋一岩田達夫梶原和夫畑 浩一三重大/三重大極限ナノエレセED2016-47
電子の持つ電荷とスピンの両方の自由度を応用するスピントロニクスの発展には、磁性体表面・界面のスピン状態を、原子分解能で評... [more] ED2016-47
pp.17-20
ED 2014-10-22
09:00
北海道 北大エンレイソウ Field Emission Spectroscopy用高精度制御電源装置の開発
古川和人熊谷成輝村田英一浅井泰尊加藤秀次六田英治下山 宏名城大ED2014-68
ナノチップ電子源は先端の大きさをナノレベルに形成した電子源であり、電子ビーム機器の高性能化にとって必要不可欠な存在である... [more] ED2014-68
pp.29-34
ED 2013-10-22
14:10
北海道 北海道大学エンレイソウ 電気化学的に作製したナノ炭素材料からの電界放出
岩井勇輔鬼塚硝子/静岡大)・小池高寿定塚淳生中村智宣鬼塚好弘鬼塚硝子)・根尾陽一郎三村秀典静岡大ED2013-51
X線管用新規冷陰極材料として,ナノ構造を有する新たな炭素材料について報告する.我々は,グラファイト棒を硫酸溶液中で電気化... [more] ED2013-51
pp.5-8
ED 2013-10-23
09:50
北海道 北海道大学エンレイソウ グラフェンフラワーにおける電界放出とその応用
岩井勇輔鬼塚硝子/静岡大)・村松一生インキュベーション・アライアンス)・坪井升吾定塚淳生中村智宣鬼塚好弘鬼塚硝子)・根尾陽一郎三村秀典静岡大ED2013-59
グラフェンは高い電子移動度を有することから、電界放出材料として強く期待されている。今回グラフェンフラワークロス(GFC)... [more] ED2013-59
pp.37-40
CPM 2013-08-01
15:25
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 横方向フィールドエミッションランプにおけるカソード電極でのCNT の利用
三浦 悠佐藤知正平手孝士神奈川大CPM2013-44
導電性のあるZnO ナノロッド(NRs)アレイを用いた横方向電界放出型発光デバイスにおいて,エミッションポイントの増加と... [more] CPM2013-44
pp.25-28
ED 2011-10-21
11:45
青森 八戸ポータルミュージアム はっち 高温燃焼グラファイトの評価とその応用
中村智宣定塚淳生小池高寿岩井勇輔羽山洋平鬼塚好弘鬼塚硝子)・三村秀典静岡大ED2011-72
高温燃焼グラファイト(Inflamed Graphite at High Temperature : IGHT)の構造な... [more] ED2011-72
pp.65-68
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-29
09:20
高知 高知工科大学 研究教育棟B ACPDPの書き込み放電遅れ時間対初期電子数の理論的考察
坂井徹男ディスプレイ研)・橘 邦英愛媛大EID2010-32
あらまし 書き込み時の放電遅れはフィールド周波数を上げるためには小さくする必要がある。このためMgO層の上に単結晶をの... [more] EID2010-32
pp.65-68
ED 2010-10-25
13:25
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性
後藤康仁遠藤恵介辻 博司京大)・石川順三中部大)・酒井滋樹日新イオン機器ED2010-129
三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシ... [more] ED2010-129
pp.7-10
ED 2010-10-26
09:30
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) Graphite Nanospinesを用いた小型・高出力X線管
中村智宣定塚淳生小池高寿鬼塚好弘鬼塚硝子)・三村秀典静岡大ED2010-136
本稿では、Graphite Nanospines(GNS)を用いて試作した小型・高出力X線管について報告する.X線管は、... [more] ED2010-136
pp.43-46
ED 2010-10-26
09:55
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性
池田啓太大上 航後藤康仁辻 博司京大ED2010-137
フィールドエミッタアレイ(FEA)を用いた真空トランジスタの開発を行った。相互コンダクタンスの改善のため、約40,000... [more] ED2010-137
pp.47-50
ED 2010-10-26
10:20
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 真空トランジスタのコレクタ形状とコレクタ特性
後藤康仁池田啓太大上 航辻 博司京大ED2010-138
電界放出微小電子源を用いた真空トランジスタにおけるコレクタの形状と、それがコレクタ特性に及ぼす影響を計算機実験により調べ... [more] ED2010-138
pp.51-54
ED 2009-10-15
14:20
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 マルチエミッタ評価装置による電子放出素子のその場・real time観察
酒井健太郎椿 大輔村田英一下山 宏名城大)・酒村一到根岸伸安渡辺 温パイオニアED2009-118
これまで我々は、マルチエミッタの動作状態や性能を評価するためのマルチエミッタ評価装置を開発してきた。本装置はLEEM/F... [more] ED2009-118
pp.11-16
ED 2009-10-15
15:05
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性
後藤康仁池田啓太宮田雄高遠藤恵介辻 博司京大ED2009-119
窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、
三極管構成でその電子放出... [more]
ED2009-119
pp.17-20
ED 2009-10-15
16:20
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 Graphite Nanospinesを用いたX線管の評価
中村智宣定塚淳生鬼塚好弘鬼塚硝子)・三村秀典静岡大ED2009-122
本稿では、新規炭素系電界放出材料であるGraphite Nanospines(GNS)を用いたX線管について報告する.X... [more] ED2009-122
pp.33-36
CPM 2008-10-31
11:20
新潟 新潟大学 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源
斉藤裕史山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2008-87
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、高効率な電子放出源を作製することを提案した。導体表面に垂直配向させ... [more] CPM2008-87
pp.71-74
ED 2008-08-05
09:25
静岡 静岡大学浜松キャンパス 電界電子放出特性その場解析アナログ回路の改良
後藤康仁河崎道人辻 博司石川順三京大ED2008-118
電界放出電子源の特性変動を調べるために開発している電界電子放出特性
その場解析装置のアナログ回路の改良を行った。
従... [more]
ED2008-118
pp.45-48
ED 2008-08-05
09:50
静岡 静岡大学浜松キャンパス シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用
竹内光明JSTイノベーションプラザ京都)・後藤康仁辻 博司京大)・酒井滋樹日新イオン機器)・木本恒暢石川順三京大ED2008-119
半導体イオン注入用極低エネルギーイオンビームの発散抑制を目的として、シリコン微小電子源(Si-FEA)を用いたイオンビー... [more] ED2008-119
pp.49-52
ED 2008-08-05
11:40
静岡 静岡大学浜松キャンパス 高効率真空ナノランプの開発
中本正幸白鳥硬次文 宗鉉静岡大)・平木博久静岡大/ダイヤライトジャパン)・羽場方紀ダイヤライトジャパン)・平木昭夫阪大/ダイヤライトジャパンED2008-123
従来、バックライトや一般照明用として過度の輝度を持つLED等の点光源や冷陰極および熱陰極蛍光ランプ等の線光源が用いられて... [more] ED2008-123
pp.67-70
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