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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2010-10-25
13:25
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性
後藤康仁遠藤恵介辻 博司京大)・石川順三中部大)・酒井滋樹日新イオン機器ED2010-129
三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシ... [more] ED2010-129
pp.7-10
ED 2010-10-26
09:55
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性
池田啓太大上 航後藤康仁辻 博司京大ED2010-137
フィールドエミッタアレイ(FEA)を用いた真空トランジスタの開発を行った。相互コンダクタンスの改善のため、約40,000... [more] ED2010-137
pp.47-50
ED 2010-10-26
10:20
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 真空トランジスタのコレクタ形状とコレクタ特性
後藤康仁池田啓太大上 航辻 博司京大ED2010-138
電界放出微小電子源を用いた真空トランジスタにおけるコレクタの形状と、それがコレクタ特性に及ぼす影響を計算機実験により調べ... [more] ED2010-138
pp.51-54
ED 2009-10-15
15:05
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性
後藤康仁池田啓太宮田雄高遠藤恵介辻 博司京大ED2009-119
窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、
三極管構成でその電子放出... [more]
ED2009-119
pp.17-20
ED 2008-08-05
09:25
静岡 静岡大学浜松キャンパス 電界電子放出特性その場解析アナログ回路の改良
後藤康仁河崎道人辻 博司石川順三京大ED2008-118
電界放出電子源の特性変動を調べるために開発している電界電子放出特性
その場解析装置のアナログ回路の改良を行った。
従... [more]
ED2008-118
pp.45-48
ED 2008-08-05
09:50
静岡 静岡大学浜松キャンパス シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用
竹内光明JSTイノベーションプラザ京都)・後藤康仁辻 博司京大)・酒井滋樹日新イオン機器)・木本恒暢石川順三京大ED2008-119
半導体イオン注入用極低エネルギーイオンビームの発散抑制を目的として、シリコン微小電子源(Si-FEA)を用いたイオンビー... [more] ED2008-119
pp.49-52
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