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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2019-01-25
10:15
鹿児島 鹿児島大学 稲盛会館 低速電子線励起用新規橙赤色硫化物蛍光体の開発
奥野剛史中川康弘志村佳熙電通大)・七井 靖青学大)・佐藤義孝御園生敏行双葉電子
電子線によって励起されうる新規硫化物蛍光体の開発を行っている.真空下または硫黄蒸気下の両方で,固相反応による試料作製を行... [more] EID2018-12
pp.89-92
CPM 2018-08-10
11:05
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応
藤森敬典千田陽介増田悠右氏家夏樹遠田義晴弘前大
20 nm~100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 ... [more] CPM2018-18
pp.47-52
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:00
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 紫外発光混晶アルミン酸亜鉛蛍光体の発光特性
松浦大河小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大
スピネル構造をもつアルミン酸亜鉛(ZnAl2O4)のAlサイトをGaで置換することでバンドギャップを制御し、発光波長を制... [more] EID2017-33
pp.13-16
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
16:00
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長
草野欽太工藤和樹塘内功大坂口大成茂籐健太熊本高専)・本山慎一楠田 豊古田真浩サムコ)・中 庸行沼田朋子堀場製作所)・高倉健一郎角田 功熊本高専
シートコンピュータ等への応用を目指し,絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した.非晶質Ge薄膜の熱的固相... [more] SDM2016-8 OME2016-8
pp.31-34
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-29
11:41
富山 富山大学 CuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を用いた電流注入型EL素子の検討
足立尚義林 翔太鳥取大)・石垣 雅TiFREC)・大観光徳鳥取大
石英基板およびZnO基板、SiO2付ITO基板、熱酸化膜付Siウエハ、Siウエハ上にCuAlS2:Mn導電性薄膜蛍光体を... [more] EID2015-42
pp.125-128
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-07-10
15:20
東京 早稲田大学 パルス電析法を用いたFePtナノドットアレイの高保磁力化の検討
西家大貴ヴォダルツ ジギー謝 承達齋藤 学阿部純也早大)・Giovanni ZangariUVA)・本間敬之早大
我々は電気化学的手法とリソグラフィ技術を組み合わせたビットパターンドメディア(BPM)形成手法を検討してきた.本研究では... [more] MR2015-13
pp.25-29
OFT, PEM
(併催)
2015-05-21
14:25
石川 金沢勤労者プラザ 耐リフロー性を有する樹脂レンズの10G伝送特性:射出成形により構成された耐熱樹脂レンズ
島津貴之春本道子佐野知巳住友電工)・渡邊卓郎日本通信電材)・岡部昭平片山浩二住友電工ファインポリマー)・山崎 智西川信也住友電工
汎用の射出成形により形成された光学樹脂レンズは、生産性やコストメリットに利点を有しており、多くの光学製品に広く使用されて... [more] OFT2015-4
pp.17-20
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-22
13:38
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜におけるSi共添加による発光特性の改善
川口英紀足立尚義石垣 雅大観光徳鳥取大
蒸着源ペレットにSiを共添加したCuAlS2:Mn粉末蛍光体を用いて、電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn薄膜蛍光体を作... [more] EID2014-41
pp.5-8
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2014-07-17
13:25
東京 東京工業大学 電析初期過程の解析に基づく超高記録密度ナノドットアレイの形成及び高保磁力化
萩原弘規ヴォダルツ ジギー大谷智博西家大貴早大)・Giovanni Zangariヴァージニア大)・本間敬之早大
我々は,電気化学的手法である電解析出法とリソグラフィ技術を組み合わせ,次世代型の磁気記録媒体として期待されるビットパター... [more] MR2014-9
pp.7-10
SDM, OME
(共催)
2014-04-10
15:00
沖縄 沖縄県青年会館 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響
茂藤健太崎山 晋酒井崇嗣中嶋一敬岡本隼人高倉健一郎角田 功熊本高専
電子線照射を施すことで初期非晶質性を変調させた非晶質Ge薄膜のAu誘起成長について調査した.その結果,2MeVの高エネル... [more] SDM2014-5 OME2014-5
pp.21-25
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-25
10:12
新潟 新潟大学 駅南キャンパス CuAlS2:Mn導電性蛍光体薄膜の発光特性及び電気的特性
大島祐樹川口英紀大観光徳鳥取大
電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn蛍光体薄膜を作製した。基板温度600℃で作製した薄膜は結晶性に優れ、強い橙色フォトル... [more] EID2013-24
pp.97-100
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-11-15
13:25
東京 早稲田大学 電気化学的手法による超高記録密度強磁性ナノドットアレイの形成及び析出挙動の解析
ヴォダルツ ジギー間庭佑太萩原弘規大谷智博西家大貴早大)・Giovanni Zangariヴァージニア大)・本間敬之早大
電解析出法とリソグラフィによりhcp-Co80-Pt20及びL10-Fe-Ptの薄膜とナノドットアレイをhcp-Ru(0... [more] MR2013-20
pp.7-10
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
14:15
東京 中央大学 電気化学的手法により形成した超高記録密度強磁性ナノドットアレイの初期析出過程の解析及び特性評価
ヴォダルツ ジギー間庭佑太萩原弘規本間敬之早大
我々は,電気化学的手法である電解析出法とリソグラフィ技術を用いて,ビットパターンメディア(BPM)への応用を目的とした強... [more] MR2013-8
pp.13-17
IT, ISEC, WBS
(共催)
2013-03-08
11:45
大阪 関西学院大学 大阪梅田キャンパス レジスト倒壊パターンを用いたナノ人工物メトリクス
松本 勉花木健太鈴木僚介関口大樹横浜国大)・法元盛久大八木康之大日本印刷)・成瀬 誠NICT)・竪 直也大津元一東大
人工物の個体に固有の物理的特徴を活用する人工物メトリクスは,物理的特徴の測定がその形成に比べて高精度で行えることを利用し... [more] IT2012-96 ISEC2012-114 WBS2012-82
pp.217-222
SDM 2012-12-07
10:15
京都 京都大学(桂) 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング
畑山智亮堀 良太田村哲也矢野裕司冬木 隆奈良先端大
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] SDM2012-116
pp.7-12
SDM 2012-12-07
10:30
京都 京都大学(桂) 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化
村田耕司森根達也松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構
Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世... [more] SDM2012-117
pp.13-18
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
11:15
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
吉原一輝加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33
pp.67-72
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
13:05
高知 高知工科大学 研究教育棟B 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性
井口 拓小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大)・大西彰正北浦 守山形大
電子線励起によって紫外発光を示すZnAl2O4は新規紫外発光デバイス用蛍光体として期待されている.本稿では固相合成法によ... [more] EID2010-23
pp.5-8
SDM 2010-12-17
14:30
京都 京都大学(桂) 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化
野尻琢慎西野公三柳澤英樹松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構
添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射した場合... [more] SDM2010-195
pp.57-62
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
15:20
大阪 阪大 中ノ島センター 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
大音隆男Ryan G. Banal京大)・片岡 研ウシオ電機)・船戸 充川上養一京大
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である.その物理的原因として,p型のホ... [more] ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106
pp.37-40
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