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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OCS, CS (併催) |
2022-01-13 15:30 |
山口 | KDDI維新ホール 会議室(204A・B) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
2モード位相感応型光パラメトリック増幅器の雑音解析 ○菊池和朗（大学改革支援・学位授与機構）  OCS2021-33 |
信号光とアイドラ光が縮退しない２モード位相感応型光パラメトリック増幅器を用いると，光電界のIQ成分を無雑音で増幅できる。... [more] | OCS2021-33 pp.1-6 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化 ○下川直樹・和田和千（明大） CAS2017-79 ICD2017-67 CPSY2017-76 |
ゲート接地増幅回路とソース接地増幅回路を組み合わせた，雑音打消しLNAの内部に並列負帰還を用いた回路が知られている．低雑... [more] | CAS2017-79 ICD2017-67 CPSY2017-76 pp.79-84 |
| IEE-CMN, ITE-BCT (共催) OFT, OCS (併催) (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2017-11-23 14:50 |
大阪 | 関西大学 梅田キャンパス | 位相感応/不感応中間状態の光パラメトリック増幅特性 ○井上 恭（阪大） OCS2017-59 |
光パラメトリック増幅（OPA）の特殊な形態である位相感応増幅（PSA）は，信号利得が入力位相に依存，出力位相が一定値に固... [more] | OCS2017-59 pp.11-16 |
| OPE, LQE, CPM, EMD, R (共催) |
2013-08-29 17:45 |
北海道 | サンリフレ函館 | 高光損傷耐性位相変調器集積化PPLN導波路を用いた位相感応増幅器の低雑音動作 ○圓佛晃次・梅木毅伺・遊部雅生・竹ノ内弘和（NTT） R2013-45 EMD2013-51 CPM2013-70 OPE2013-74 LQE2013-44 |
位相感応増幅器(PSA)の雑音特性向上に向けて, 高い光パワー耐性を持つ位相変調器をSHG素子にモノリシック集積した光変... [more] | R2013-45 EMD2013-51 CPM2013-70 OPE2013-74 LQE2013-44 pp.85-88 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-214 MW2008-179 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2008-214 MW2008-179 pp.95-99 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | 40GHz帯E面回路ダウン/アップコンバーター ○グェン タイン・亀井利久・内海要三（防衛大）・鈴木洋介（キーコム） ED2007-232 MW2007-163 |
本論文では，高品質で低廉な都市型CATVの双方向伝送システムへの利用を想定し，フィルターなどとともに送受信回路高周波部を... [more] | ED2007-232 MW2007-163 pp.153-158 |
| EMT, OPE, MW (共催) |
2007-08-03 10:50 |
北海道 | 室蘭工業大学 | バイアス回路とエミッタインダクタの偶奇モードインピーダンス差を利用した低歪み、低雑音増幅器 ○中谷俊文・小川晃一（松下電器） MW2007-71 OPE2007-58 |
バイアス回路およびエミッタインダクタの偶奇インピーダンス差を用いた低歪み、低雑音増幅器を提案した。まずRF増幅器の等価回... [more] | MW2007-71 OPE2007-58 pp.163-168 |
| EMCJ | 2006-04-18 15:55 |
東京 | 青山学院大学 青山キャンパス | 短波帯電波雑音の解析方法の検討 ○岩間美樹・篠塚 隆・山中幸雄（NICT） EMCJ2006-7 |
当機構内で測定した短波帯電波雑音の結果を用いて、ITU-R勧告P.372-8と同じ方法で雑音指数を表すパラメータおよび上... [more] | EMCJ2006-7 pp.37-41 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 ○荻窪光慈・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（OKI） |
ダブルリセス構造を適用した0.1 µmゲートpseudomorphic InP-HEMTを試作し、デバイス特... [more] | ED2004-221 MW2004-228 pp.53-58 |
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