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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-10-19
16:30
ONLINE オンライン開催に変更 [招待講演]CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上
細井卓治関西学院大)・志村考功渡部平司阪大SDM2022-62
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている.SiC MOSFET... [more] SDM2022-62
pp.34-37
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
09:40
愛媛 愛媛県男女共同参画センター FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定
田中一平宮川尚之木村知也今川隆司越智裕之立命館大VLD2019-36 DC2019-60
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] VLD2019-36 DC2019-60
pp.63-68
MW, ED
(共催)
2019-01-18
10:40
東京 日立中研 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析
四田泰代住友電工デバイス・イノベーション)・舘野泰範米村卓巳古川将人山本 洋住友電工)・野瀬幸則清水 聡住友電工デバイス・イノベーションED2018-81 MW2018-148
本研究の目的は,高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について,デバイス内部の応力・結晶歪に着目し,シ... [more] ED2018-81 MW2018-148
pp.67-70
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
09:00
広島 サテライトキャンパスひろしま FiCCを用いたCMOS互換な超低消費電力不揮発性メモリ素子の特性測定回路の設計と試作
田中一平宮川尚之木村知也今川隆司越智裕之立命館大VLD2018-65 DC2018-51
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] VLD2018-65 DC2018-51
pp.183-188
SDM 2015-06-19
15:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀塚越一仁大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2015-51
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] SDM2015-51
pp.69-73
ED 2015-04-16
13:30
宮城 東北大通研ナノスピン実験施設 印刷型有機薄膜トランジスタの閾値電圧制御と回路応用
塩飽 黎吉村悠大竹田泰典山形大)・福田 貴東ソー)・福田憲二郎山形大/JST)・熊木大介時任静士山形大ED2015-1
将来、有機集積回路を構成するためには有機薄膜トランジスタ(TFT)の閾値電圧制御が重要となってくる。現在の有機トランジス... [more] ED2015-1
pp.1-5
VLD 2014-03-05
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 極低電圧集積回路のための基板バイアス・タイミングスキュー同時調整
久保辰徳金子峰雄北陸先端大VLD2013-163
集積回路の微細化、高速化、低電圧下の進展に伴い、信号伝搬遅延のばらつきや漏れ電流の増加などが問題となっている。製造後のチ... [more] VLD2013-163
pp.159-163
OME 2013-03-05
13:10
佐賀 産総研九州センター テラヘルツ帯液晶素子の応答速度改善及び閾値電圧の低下
熊谷孝幸阪大)・伊東良太秋田県立大)・吉田浩之久保 等藤井彰彦阪大)・能勢敏明秋田県立大)・斗内政吉尾崎雅則阪大OME2012-95
テラヘルツ(THz) 波は、危険物や禁止薬物の検出、医療診断、大容量無線通信などへの応用が期待されている電磁波領域であり... [more] OME2012-95
pp.19-23
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2012-11-27
13:00
福岡 九州大学百年講堂 Accurate I/O Buffer Impedance Self-adjustment using Threshold Voltage and Temperature Sensors
Zhi LiHiroshi TsutsuiHiroyuki OchiTakashi SatoKyoto Univ.VLD2012-79 DC2012-45
With the increased operating frequency and the reduction of ... [more] VLD2012-79 DC2012-45
pp.117-122
SDM 2012-11-15
15:20
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性
陳 杰智平野 泉辰村光介三谷祐一郎東芝SDM2012-103
近年,さまざまな構造のデバイスにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の報告がなされている。例えば、CMOSイメー... [more] SDM2012-103
pp.21-24
ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD
(共催)
2010-01-29
10:50
福岡 九州大学(筑紫地区) 液晶材料の閾値電圧、弾性定数比及び誘電率比の高精度測定法の確立
千葉祐介大野友嗣石鍋隆宏宮下哲哉内田龍男東北大EID2009-71
電圧無印加時のホモジニアス配向液晶セル内において生じる干渉の入射角依存性を利用して,液晶材料の屈折率を高い精度で測定を行... [more] EID2009-71
pp.99-102
SDM 2009-06-19
15:40
東京 東京大学(生産研An棟) LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
辰村光介石原貴光犬宮誠治中嶋一明金子明生後藤正和川中 繁木下敦寛東芝SDM2009-39
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] SDM2009-39
pp.71-76
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(共催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2008-11-19
11:15
福岡 北九州学術研究都市 マルチ閾値電圧トランジスタを用いた2線2相式非同期式回路のリーク電力削減
高田幸永今井 雅中村 宏南谷 崇東大VLD2008-90 DC2008-58
今後増大すると予測されている遅延変動の対処法の1つとして,2線2相式非同期設計がある.しかし2線式回路は回路量が大きく,... [more] VLD2008-90 DC2008-58
pp.183-188
ICD, SIP, IE, IPSJ-SLDM
(共催)
2006-10-26
16:15
宮城 宮城県・作並温泉・一の坊 電池駆動システムにおけるLSIの電力モデル化と最適化方法
平井宏至小八木達也立川雄一郎福井正博立命館大
ポータブル機器の急速な普及により, 電池駆動の電源系システムの長時間動作,小型化の要求が高まっている.特に,ユビキタス機... [more] SIP2006-97 ICD2006-123 IE2006-75
pp.81-86
OME 2006-07-27
14:20
神奈川 パシフィコ横浜 ダブルゲート構造による有機CMOS回路の低電圧駆動
比津和樹関谷 毅東大)・島田よう子大月 穣日大)・高宮 真桜井貴康染谷隆夫東大
我々はこれまでに、ダブルゲート構造によって有機トランジスタの閾値電圧が制御できることを報告してきた。その結果を応用し、閾... [more] OME2006-56
pp.33-35
NS 2006-04-20
15:15
高知 ホテル日航高知旭ロイヤル(高知県) 製造ばらつきを考慮したセンサネットワークノード消費電力モデルの提案と評価
芳野宏徳竹内 隆一圓真澄松田隆志神戸大)・三上真司金沢大)・川口 博太田 能吉本雅彦神戸大NS2006-6
ワイヤレスセンサネットワークでは、ライフタイムの拡大が最も重要な課題である。ネットワークのライフタイムを拡大するためには... [more] NS2006-6
pp.21-24
RECONF 2005-09-16
11:30
広島 国民宿舎 みやじま 杜の宿 Flex Power FPGAにおけるしきい値電圧最適化アルゴリズムの検討
河並 崇日置雅和産総研)・堤 利幸産総研/明大)・中川 格関川敏弘小池汎平産総研
Flex Power FPGAはトランジスタのしきい値電圧を電気的に制御することにより,高速化と低消費電力化を可能とした... [more] RECONF2005-46
pp.31-36
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