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 94件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
13:15
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ
小林正治日掛凱斗李 卓ハオ ジュンシャンパンディ チトラ更屋拓哉平本俊郎東大)・高橋崇典上沼睦典浦岡行治奈良先端大SDM2023-45 ICD2023-24
半導体デバイスの大規模集積化においては,デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化... [more] SDM2023-45 ICD2023-24
pp.45-49
CPM, ED, SDM
(共催)
2023-05-19
13:00
愛知 名古屋工大
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]フレキシブル基板上に室温成膜した酸化亜鉛薄膜の繰返し曲げ耐久試験
前元利彦大浦紀頼和田英男小山政俊佐々誠彦藤井彰彦阪工大ED2023-1 CPM2023-1 SDM2023-18
酸化物半導体のフレキシブル応用を目指して,基板を曲げても動作する酸化物薄膜デバイスの構造と,その曲げ耐久性の評価および曲... [more] ED2023-1 CPM2023-1 SDM2023-18
pp.1-6
ICD 2023-04-11
13:20
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]複数ニューラルネットワークに対応したエンドポイントAI向け結晶性酸化物半導体3Dバンクメモリシステム
八窪裕人古谷一馬豊高耕平片桐治樹藤田雅史上妻宗広安藤善範黒川義元半導体エネルギー研)・名倉 徹福岡大)・山﨑舜平半導体エネルギー研ICD2023-10
酸化物半導体FETを用いた3次元積層メモリを用いた、小面積、低電力かつ複数のニューラルネットワークに対応した推論を可能と... [more] ICD2023-10
pp.18-23
SDM 2023-01-30
13:40
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more]
SDM2022-80
pp.5-8
OME 2022-12-19
16:10
東京 東京理科大学葛飾キャンパス フッ素ドープB型炭酸アパタイト系固体電解質の導電特性と熱安定性
赤松 怜田中優実東京理科大OME2022-49
フッ素ドープ系B型炭酸アパタイト(FCA; (Ca10-x Na2x/3)[(PO4)6-x(CO3)x][(OH)2-... [more] OME2022-49
pp.30-32
OME, SDM
(共催)
2022-04-23
11:50
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V-1s-1)
曲 勇作島根大)・片岡大樹高知工科大)・葉 文昌島根大)・古田 守高知工科大SDM2022-13 OME2022-13
本研究では低温で固相結晶化した水素化多結晶酸化インジウム(In2O3:H)薄膜の金属から半導体への転移に成功し、酸化物半... [more] SDM2022-13 OME2022-13
pp.61-64
ED, THz
(共催)
2021-12-20
16:35
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]高温超伝導体単結晶を使ったコヒーレントテラヘルツ量子光源の創製
辻本 学産総研)・柏木隆成南 英俊門脇和男筑波大ED2021-54
本稿では,銅酸化物高温超伝導体Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+delta }$を用いたテラヘルツ量子... [more] ED2021-54
pp.30-33
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2021-08-06
15:25
ONLINE オンライン開催 金属酸化物メモリスタによる特徴量パターン取得のためのセンサ抵抗-電圧変換回路の設計とガス識別
廣田丈裕吉河武文岩田達哉富山県立大ED2021-13
本研究では、ガス識別に向けた単一素子として金属酸化物メモリスタを利用したガスセンサ過渡特性の特徴量パターンの取得を試みた... [more] ED2021-13
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:30
ONLINE オンライン開催 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価
山本佑平荒牧達也伊藤 良木村 睦龍谷大EID2020-3 SDM2020-37
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である.
熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more]
EID2020-3 SDM2020-37
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:25
ONLINE オンライン開催 IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ
岩城江津子龍谷大)・津野拓海奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2020-4 SDM2020-38
高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウェアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を... [more] EID2020-4 SDM2020-38
pp.13-16
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
14:30
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作古田 守高知工科大EID2020-10 SDM2020-44
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] EID2020-10 SDM2020-44
pp.37-41
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
16:30
ONLINE オンライン開催 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大EID2020-14 SDM2020-48
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] EID2020-14 SDM2020-48
pp.54-57
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2020-10-05
13:55
ONLINE オンライン開催 強磁性粒界材を有するグラニュラキャップ層を用いたCoPt基フルグラニュラ媒体の反転磁界および表面制御
タム キム コング櫛引了輔鎌田知成田中貴金属)・斉藤 伸東北大MRIS2020-2
様々なGd2O3含有量のCoPt-Gd2O3グラニュラキャップ層(CL)を備えたフルグラニュラ媒体の磁気特性と微細組織を... [more] MRIS2020-2
pp.6-11
CS, IN, NS, NV
(併催)
2020-09-11
16:00
ONLINE オンライン開催 雷による椎茸発生促進に関する考察
小池 誠小池誠マイクロ波研CS2020-46
雷は,天然雷であっても人工雷であっても,椎茸の発生を促進する旨が報告されている.しかしながら,雷が椎茸の発生を促進する因... [more] CS2020-46
pp.57-59
SDM, OME
(共催)
2020-04-14
11:10
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発
辻 博史中田 充武井達哉宮川幹司中嶋宜樹清水貴央NHK
薄くて軽く,柔軟で丸めることもできる次世代のディスプレイとして,プラスチックフィルムを基板として用いるフレキシブルディス... [more]
CPM 2019-11-07
15:50
福井 福井大学 文京キャンパス [招待講演]触媒反応支援化学気相成長法を用いた金属酸化物薄膜の成長
安井寛治長岡技科大CPM2019-48
触媒反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法の開発と... [more] CPM2019-48
pp.21-26
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
16:15
静岡 静岡大学(浜松) CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価
李 遠霖福地 厚有田正志北大)・森江 隆九工大)・高橋庸夫北大ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は,人工シナプスを実現可能... [more] ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
pp.29-34
EE, CPM, OME
(共催)
2018-11-22
09:25
東京 機械振興会館 地下三階 B3-6 フッ素ドープ系B型炭酸アパタイトの酸化物イオン伝導特性に及ぼすアニオン組成の影響
高畑 潤菅野康仁田中優実東京理科大EE2018-34 CPM2018-62 OME2018-22
B型炭酸アパタイト(BCA;[Ca10-xNa2x/3][(PO4)6-x(CO3)x][(H2O)x(OH)2-x/3... [more] EE2018-34 CPM2018-62 OME2018-22
pp.47-49
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2018-06-15
09:40
山形 たかみや瑠璃倶楽リゾート(山形市蔵王温泉) セルラニューラルネットワークと酸化物半導体を用いた文字補正システムの開発と評価
山根弘樹木村 睦中島康彦奈良先端大CPSY2018-3 DC2018-3
脳の神経回路をモデルとしたニューラルネットワークは自己学習能力があり,文字認識や画像認識など様々な分野に用いられている.... [more] CPSY2018-3 DC2018-3
pp.87-91
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