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 27件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2020-04-14
11:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]大画面フレキシブルディスプレイに向けた酸化物薄膜トランジスタの開発
辻 博史中田 充武井達哉宮川幹司中嶋宜樹清水貴央NHK
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2018-06-15
09:40
山形 たかみや瑠璃倶楽リゾート(山形市蔵王温泉) セルラニューラルネットワークと酸化物半導体を用いた文字補正システムの開発と評価
山根弘樹木村 睦中島康彦奈良先端大CPSY2018-3 DC2018-3
脳の神経回路をモデルとしたニューラルネットワークは自己学習能力があり,文字認識や画像認識など様々な分野に用いられている.... [more] CPSY2018-3 DC2018-3
pp.87-91
ICD 2018-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI
小山 潤関 貴子八窪裕人大下 智古谷一馬石津貴彦熱海知昭安藤善範松林大介加藤 清奥田 高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研ICD2018-12
c軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたFETは6yA/μm(85℃)という極めて小... [more] ICD2018-12
pp.47-52
SDM 2018-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2017-92
本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] SDM2017-92
pp.5-8
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:15
京都 京都大学 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
髙木 瞭龍谷大)・梅田鉄馬奈良先端大)・松田時宜龍谷大)・上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-16 SDM2017-77
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] EID2017-16 SDM2017-77
pp.23-28
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:30
京都 京都大学 レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定
野村竜生荒牧達也松田時宜龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-17 SDM2017-78
廃熱を回収し,効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられて... [more] EID2017-17 SDM2017-78
pp.29-34
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
16:15
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 GTO薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価
生島恵典梅田鉄馬松田時宜木村 睦龍谷大EID2016-27 SDM2016-108
ニューラルネットワークとは, 人間の脳を基とした情報処理モデルであり, 盛んに研究されている.
しかし, ハードウェ... [more]
EID2016-27 SDM2016-108
pp.81-84
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
13:00
京都 京大桂キャンパス コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用
金子健太郎京大)・人羅俊実FLOSFIA)・藤田静雄京大ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90
コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電... [more] ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90
pp.85-88
SANE 2016-10-20
14:20
大阪 大阪工業大うめきたナレッジセンター [特別講演]金属酸化物半導体ガスセンサによる知的電子鼻と匂い通信への応用可能性
大松 繁阪工大SANE2016-40
本論文では、階層型ニューラルネットワークによる電
子鼻を構成し、火事検出に対する有用性について検討する。
さらに、匂... [more]
SANE2016-40
pp.3-11
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
09:30
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製
尹 聖民金 昭淨朴 珉智尹 多貞慶熙大SDM2016-12 OME2016-12
可視光に対する透明性及び機械的な柔軟性を持ち備えた不揮発性メモリ素子は多様な興味深い応用に用いることができる。本稿では電... [more] SDM2016-12 OME2016-12
pp.49-52
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価
吉岡敏博小川淳史弓削政博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-15 SDM2015-98
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] EID2015-15 SDM2015-98
pp.27-30
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
14:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価
弓削政博小川淳史吉岡敏博加藤雄太松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-16 SDM2015-99
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] EID2015-16 SDM2015-99
pp.31-34
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
15:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価
小川淳史弓削政博吉岡敏博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-20 SDM2015-103
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] EID2015-20 SDM2015-103
pp.49-52
ICD 2015-04-17
10:50
長野 信州大学 [招待講演]Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ
松嵜隆徳大貫達也長塚修平井上広樹石津貴彦家田義紀坂倉真之熱海知昭塩野入 豊加藤 清奥田 高山元良高半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・小山 潤山崎舜平半導体エネルギー研ICD2015-9
c軸配向した結晶性In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FETを用いたnonvolatile oxide... [more] ICD2015-9
pp.39-44
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
14:45
京都 京都大学 GaSnO薄膜の特性評価
加藤雄太西本大樹松田時宜木村 睦龍谷大EID2014-28 SDM2014-123
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] EID2014-28 SDM2014-123
pp.79-82
OME, OPE
(共催)
2014-11-21
15:10
東京 機械振興会館 高起電力タンデム型色素増感太陽電池に向けたNiO系p型光電極素子の作製
大場暁海山内 博国吉繁一酒井正俊飯塚正明千葉大)・渡辺康之諏訪東京理科大)・工藤一浩千葉大OME2014-52 OPE2014-132
水の電気分解に必要な1.23 V以上の高起電力が得られるタンデム型色素増感太陽電池を目指し、p型酸化物半導体であるNiO... [more] OME2014-52 OPE2014-132
pp.29-33
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
15:45
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]180nm結晶性酸化物半導体トランジスタを用いた1.5-clock backup/2.5-clock restoreとゼロ・スタンバイ・パワーを実現する32bit CPU
小山 潤磯部敦生田村 輝加藤 清王丸拓郎上杉 航石津貴彦大嶋和晃鈴木康太筒井直昭熱海知昭塩野入 豊前橋幸男半導体エネルギー研)・藤田昌宏東大)・山崎舜平半導体エネルギー研SDM2014-70 ICD2014-39
極低オフ電流である結晶性酸化物半導体、特にC軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたト... [more] SDM2014-70 ICD2014-39
pp.45-50
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
砂村 潤古武直也齋藤 忍成広 充林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2014-76 ICD2014-45
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-F... [more] SDM2014-76 ICD2014-45
pp.77-82
OME 2013-05-16
15:10
東京 機械振興会館 B3F-2 塗布型酸化物半導体バッファ層を用いた有機EL素子
高山 健・○中 茂樹岡田裕之富山大OME2013-27
陽極バッファ層として溶液プロセスにより酸化物半導体を成膜した有機EL素子について検討した.MoO3を塗布した素子において... [more] OME2013-27
pp.23-27
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