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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
US, EA
(併催)
2018-01-23
13:00
大阪 関西大学 [ポスター講演]フォノニック結晶のバンドギャップ制御のための理論モデル
西野貴大石川 篤鶴田健二岡山大US2017-94
十字穴が2次元周期的に配置されたフォノニック結晶(PnC)のバンド構造について数値的,理論的に検討した.PnCの構造パラ... [more] US2017-94
pp.63-66
EMD 2017-11-17
11:10
東京 電気通信大学 Effect of arc discharge types on various characteristics and mass change in electrodes for electromagnetic contractor
Kiyoshi YoshidaKoichiro SawaNippon Inst. of Tech.)・Kenji SuzukiKoetsu TakayaFuji Electric FAEMD2017-45
Experiments were carried out at several voltages to clarify ... [more] EMD2017-45
pp.13-19
EMT, IEE-EMT
(連催)
2017-11-09
11:40
山形 山形県天童温泉天童ホテル 球面鏡像の球面定在波における波動モード
戸上良弘帝塚山学院大EMT2017-45
球面に対して互いに鏡像の関係にある一対の球面定在波について考察した.
球面鏡像の外側の球面定在波は,内径を固定し外径が... [more]
EMT2017-45
pp.19-23
EMD 2015-11-05
14:05
宮城 東北大学工学部青葉記念会館 Various Characteristics of Electromagnetic Contactor with Make Arc -- Influence of Closed Contacts Current --
Shu ShimotsumaKiyoshi YoshidaKoichiro SawaNIT)・Kenji SuzukiKoetsu TakayaFuji FA Comp. & systemsEMD2015-67
本実験は、負荷電流を変化させたときの銀ニッケル接点の閉成時アーク発生のみにおけるアーク継続時間やバウンス時間、アークエネ... [more] EMD2015-67
pp.1-6
ED 2015-07-25
11:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性
竹鶴達哉藤川紗千恵原田義彬鈴木浩基磯野恭佑加藤三四郎辻 大介藤代博記東京理科大ED2015-45
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] ED2015-45
pp.45-49
EMT, IEE-EMT
(連催)
2015-06-12
14:55
東京 電気学会 第1~第5会議室 球面定在波としての電子モデル
戸上良弘帝塚山学院大EMT2015-7
球面定在波は中心が存在しかつ波動の存在範囲が限定されるため,波動性と粒子性を併せ持つ.
また複素振幅をもつため,量子力... [more]
EMT2015-7
pp.43-47
EMD 2014-12-19
14:55
東京 機械振興会館 微摺動機構およびハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ~ 微摺動に衝撃加振を加えることの効果 ~
和田真一・○岩本紘樹越田圭治久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMD2014-97
著者らは,鉛直方向のハンマリング加振によって,電気接点に,繰り返し過渡的外力を与えることのできるシステム(ハンマリング加... [more] EMD2014-97
pp.13-18
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:15
京都 京都大学 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性
藤原寛朗森岡直也田中 一須田 淳木本恒暢京大EID2014-14 SDM2014-109
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$,$langle$110$rangle$,$langl... [more] EID2014-14 SDM2014-109
pp.7-11
HIP 2014-03-19
16:35
東京 東京大学本郷キャンパス 6号館 セミナー室A,D 剛体へのタップ感を提示可能とする力積を用いたデバイスの検討
宮本靖久安藤英由樹前田太郎阪大HIP2013-104
VRの分野において力覚提示装置の研究が行われ、バーチャル物体とのインタラクションを部分的に可能としている。しかし、バーチ... [more] HIP2013-104
pp.133-136
SCE 2013-10-03
10:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 超伝導ストリップイオン検出器による巨大分子の高感度質量分析
全 伸幸志岐成友藤井 剛浮辺雅宏小池正記大久保雅隆産総研SCE2013-31
従来,飛行時間型質量分析計(Time-Of-Flight Mass Spectrometer; TOF MS)の分子検出... [more] SCE2013-31
pp.67-70
EMCJ, EMD
(共催)
2013-07-12
10:35
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討(28) ~
和田真一越田圭治サインダー ノロブリン久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMCJ2013-39 EMD2013-24
著者らは,ハンマリング加振機構によって,電気接点に実際の環境と類似した振動を加えることのできる機構を設計・開発し,さらに... [more] EMCJ2013-39 EMD2013-24
pp.1-6
EMD, CPM, OME
(共催)
2013-06-21
14:40
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討(27) ~
和田真一越田圭治益田直樹柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMD2013-17 CPM2013-32 OME2013-40
著者らは,いくつかの加振機構(ハンマリング加振機構,微摺動機構,タッピング・デバイスなど)により,実際の微小振動による電... [more] EMD2013-17 CPM2013-32 OME2013-40
pp.55-60
EMD 2012-12-21
15:45
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ ハンマリング加振機構の特性に関する基礎的検討 (26) ~
和田真一越田圭治サインダー ノロブリンTMCシステム)・益田直樹東京高専)・柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・寺崎真志東京高専)・澤 孝一郎日本工大EMD2012-95
著者らは,いくつかの加振機構(ハンマリング加振機構,微摺動機構,タッピング・デバイスなど)により,実際の微小振動による電... [more] EMD2012-95
pp.27-32
OME 2012-10-17
14:20
東京 機械振興会館 B1F 3号室 有機物・ポリマーのための質量顕微鏡の開発
坂本哲夫工学院大OME2012-49
近年有機デバイスの開発が進んでいるが、多くは多層膜・パターニング等の微小構造によりその機能を発現している。成膜の良否、混... [more] OME2012-49
pp.21-25
EMCJ, EMD
(共催)
2012-07-20
12:50
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ 加振機構の特性に関する基礎的検討(23) ~
和田真一越田圭治サインダー ノロブリン竹田弘毅益田直樹柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMCJ2012-41 EMD2012-16
著者らは,電気接点に実用的振動を与えうるいくつかの加振機構を開発し,微小振動が接触抵抗に与える影響を検討してきた.本論文... [more] EMCJ2012-41 EMD2012-16
pp.1-6
EMD, CPM, OME
(共催)
2012-06-22
17:25
東京 機械振興会館 ハンマリング加振機構および微摺動機構による電気接点の劣化現象 ~ 加振機構の特性に関する基礎的検討(22) ~
和田真一越田圭治サインダー ノロブリン益田直樹石黒 明柳 国男久保田洋彰TMCシステム)・澤 孝一郎日本工大EMD2012-15 CPM2012-32 OME2012-39
著者らは,電気接点に実用的振動を与えうるいくつかの加振機構を開発し,微小振動が接触抵抗に与える影響を検討してきた.本論文... [more] EMD2012-15 CPM2012-32 OME2012-39
pp.41-46
EMD 2012-05-25
13:55
宮城 東北文化学園大 電磁コンタクタ用AgNi接点の電極質量変化に対する電圧の影響 ~ 閉成時のみにアークを発生させた場合の諸特性 ~
吉田 清澤 孝一郎日本工大)・鈴木健司代島英樹高谷幸悦富士電機機器制御EMD2012-2
これまで、電磁コンタクタを連続開閉させた場合のアーク継続時間、接触抵抗、および電極質量の変化量に与える電源電圧の影響につ... [more] EMD2012-2
pp.7-12
SDM 2011-12-16
16:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2011-146
強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによ... [more] SDM2011-146
pp.77-82
ED 2011-12-14
13:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ~ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ~
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2011-101
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI... [more] ED2011-101
pp.7-12
EMD 2011-05-20
15:25
宮城 東北大学 サイバーサイエンスセンター 電磁コンタクタ用AgNi接点の電極質量変化に対する電圧の影響 ~ 開離時のみにアークを発生させた場合の諸特性 ~
吉田 清日本工大)・澤 孝一郎慶大名誉教授)・鈴木健司渡邊勝昭代島英樹富士電機機器制御EMD2011-6
電源電圧がアーク継続時間、接触抵抗、アークエネルギー、および電極質量の変化量(消耗,転移)に与える影響について実験した。... [more] EMD2011-6
pp.27-32
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