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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価 ○真崎 諒・吉田有佑（芝浦工大）・天野英晴（慶大）・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2018-108 HWS2018-71 |
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの１つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] | VLD2018-108 HWS2018-71 pp.91-96 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 基板バイアスを活用した単一電源レベルシフタ回路の提案 ○武吉雄貴・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-109 HWS2018-72 |
異なる電源電圧を用いることで低消費電力を実現する技術としてマルチVDD設計が存在する。異なる電源電圧領域の間にはレベルシ... [more] | VLD2018-109 HWS2018-72 pp.97-102 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 16:25 |
東京 | 日立中研 | ［招待講演］シリコン半導体の過去・現在・未来 ～ 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI ～ ○木村紳一郎（日立） ED2018-80 MW2018-147 |
活況を呈しているIC産業の過去と現在を俯瞰し、未来の方向の一つとして、AIの進展をバネとした半導体の新たな進化を考える。... [more] | ED2018-80 MW2018-147 pp.63-66 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 13:10 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価 ○小暮俊輔・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-47 DC2016-41 |
レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシ... [more] | VLD2016-47 DC2016-41 pp.19-24 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] | VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| VLD | 2016-03-01 16:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth設計の基板電圧最適化手法 ○鈴木花乃・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-129 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] | VLD2015-129 pp.105-110 |
| VLD | 2016-03-01 17:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討 ○吉田有佑・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-130 |
近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAM... [more] | VLD2015-130 pp.111-116 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-20 09:25 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価 ○井尾翔平・鈴木花乃・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] | VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 pp.91-96 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-67 ICD2015-36 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] | SDM2015-67 ICD2015-36 pp.53-57 |
| VLD | 2015-03-04 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける論理合成対象電圧の選択によるエネルギー最小化 ○川崎 純・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2014-179 |
FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide:SOTB... [more] | VLD2014-179 pp.147-152 |
| RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 ○小坂 翼・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決... [more] | VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 pp.99-104 |
| ICD | 2014-04-18 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・水谷朋子・平本俊郎（東大） ICD2014-11 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | ICD2014-11 pp.53-57 |
| VLD | 2014-03-05 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法 ○三枝樹規・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-162 |
薄膜BOX-SOI（Silicon on Thin BOX:SOTB）はFD-SOIのデバイスの一つである。これは、電源... [more] | VLD2013-162 pp.153-158 |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2013-05-16 14:10 |
福岡 | 北九州国際会議場 | 薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタ回路の検討 ○中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-5 |
FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI (Silicon on Thin Buried Oxide: SO... [more] | VLD2013-5 pp.43-48 |
| CPSY, VLD, RECONF (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2013-01-16 17:00 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける基板バイアス効果を利用した動的なマルチVth設計の検討 ○網代慎也・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 |
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)というFD-SOIデバイスは0.4Vという超低電圧... [more] | VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 pp.75-80 |
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