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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大）  SDM2023-60 |
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] | SDM2023-60 pp.40-45 |
| SDM | 2023-10-13 17:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 ○趙 嘉昂・大見俊一郎（東工大） SDM2023-61 |
本研究では、窒素添加LaB6をターゲットとしてAr/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により形成したLaBxNy絶縁膜... [more] | SDM2023-61 pp.46-49 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| SDM | 2020-11-20 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］絶縁膜原子層エッチングにおける加工特性の定量考察 ○久保井信行（ソニーセミコンダクタソリューションズ） SDM2020-32 |
F系ガスを用いポリマー層が形成される絶縁膜の原子層エッチング(ALE)では必ずしもSelf-limitでないため、半導体... [more] | SDM2020-32 pp.47-51 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察 ○岡田健治（パナソニック・タワージャズセミコンダクター） R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 |
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] | R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 pp.29-34 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 ○三谷祐一郎・関 春海・浅野孝典・中崎 靖（東芝メモリ） R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 |
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] | R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31 pp.35-38 |
| ED | 2019-04-18 13:00 |
宮城 | 東北大・通研 | 低温イットリア原子層堆積法による絶縁膜の試作と評価 ○齋藤健太郎・吉田一樹・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦（山形大） ED2019-1 |
イットリア(Y2O3)は高誘電率材料であるため、MOSFET のゲート絶縁膜への応用が期待されている。従来の Y2O3 ... [more] | ED2019-1 pp.1-4 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 14:30 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 分子配向性絶縁膜上の有機半導体薄膜作製とそのTFT特性への影響に関する研究 ○沖元 慈・飯村靖文（東京農工大）・大野龍蔵（JSR） EID2017-36 |
有機TFTの電気的特性の向上を目指すために、有機材料の分子配向異方性に注目した。通常絶縁の役割しか果たさないOTFTのゲ... [more] | EID2017-36 pp.25-28 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| SDM | 2017-10-25 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整 ○掛川智康・二瀬卓也（サンディスク） SDM2017-50 |
本平坦化技術では, コンタクト開孔露光前のPMD段差ゼロを試みた. 孔の微細化が進むに連れて従来のチップ内のPMD段差 ... [more] | SDM2017-50 pp.1-7 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 10:35 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 ○岡田広美・藤井茉美・石河泰明（奈良先端大）・三輪一元（電中研）・浦岡行治（奈良先端大）・小野新平（電中研） R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 |
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は，優れた電気特性，低温作製可能，ワイドバンドギャップとい... [more] | R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31 pp.5-8 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-27 11:00 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド（奈良先端大）・高橋英治・安東靖典（日新電機）・浦岡行治（奈良先端大） R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] | R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 pp.9-11 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 13:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通） ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 |
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)の... [more] | ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 pp.81-84 |
| EID, SID-JC (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2014-07-29 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］塗布型有機トランジスタ駆動によるフレキシブル有機ELディスプレイの開発 ○水上 誠・奥 慎也・時任静士（山形大） |
フレキシブル有機ELディスプレイはフレキシブルの特徴を忠実に実現できるものとして期待されている。本研究では塗布型有機トラ... [more] | |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-11 10:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | O2混合Arスパッタにより室温成膜したSiO2膜の電気特性評価 井村公彦・○岡田竜弥・下田清治・杉原弘也・野口 隆（琉球大） SDM2014-13 OME2014-13 |
フレキシブルディスプレイの作製において，良質の絶縁膜をプラスチックなどの低耐熱性基板上に形成することが求められる．本研究... [more] | SDM2014-13 OME2014-13 pp.55-57 |
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