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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
14:55
ONLINE オンライン開催 AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上暁喜田中さくら江川孝志三好実人名工大ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
pp.79-82
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
EMD, R
(共催)
2021-02-12
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]電子デバイスに対する信頼性物理の諸課題 ~ 物理的に解明が必要な故障メカニズム ~
門田 靖リコーR2020-37 EMD2020-28
半導体デバイスをはじめ電子デバイスの多くは,市場の様々な分野・用途で使われている.現在市場で発生している電子デバイスの故... [more] R2020-37 EMD2020-28
pp.19-24
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:30
ONLINE オンライン開催 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上暁喜原田紘希山中瑞樹江川孝志三好実人名工大ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
pp.25-28
SSS 2019-09-24
13:00
東京 機械振興会館 レーザ焼結によるAM造形物の絶縁破壊特性の解析
新井宏章山内友貴上野武司都立産技研センターSSS2019-17
AM(3Dプリンタ)は複雑形状の部品を容易に設計・試作可能であり,様々な分野で活用されている.近年,試作だけでなく実用部... [more] SSS2019-17
pp.1-4
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:00
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察
岡田健治パナソニック・タワージャズセミコンダクターR2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30
pp.29-34
SDM 2018-06-25
16:15
愛知 名古屋大学 VBL3F HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-25
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] SDM2018-25
pp.43-46
SDM 2016-06-29
13:30
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス
角嶋邦之若林 整筒井一生岩井 洋東工大SDM2016-38
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] SDM2016-38
pp.33-36
SDM 2015-06-19
10:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
野口宗隆岩松俊明三浦成久中田修平山川 聡三菱電機SDM2015-41
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] SDM2015-41
pp.17-20
EMCJ, EMD
(共催)
2013-07-12
13:30
東京 機械振興会館 対数的時間変化の雑音 ~ 皮革素材の抵抗測定に出現する特異な時間変動 ~
伴 公伸都皮革技EMCJ2013-43 EMD2013-28
kV単位の高い電圧を与え絶縁測定としては高速なミリ秒単位に変動を記録した.電圧印加直後から革試料について抵抗の変動を測定... [more] EMCJ2013-43 EMD2013-28
pp.25-27
ICD 2011-04-19
16:15
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析
田中隼人木下健太郎岸田 悟鳥取大ICD2011-20
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は, 次世代不揮発性メモリとして期待されている. ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵... [more] ICD2011-20
pp.111-116
EMCJ, IEE-EMC
(共催)
2009-12-18
14:15
岐阜 核融合科学研究所 低電圧ESDによって発生する放射電磁波の強度特性に関する一考察
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹東北学院大)・藤原 修名工大
おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じる静電気放電ESDなどのマイクロギャップ放電に着目し,放電に伴って外... [more] EMCJ2009-95
pp.59-64
AP 2009-09-04
14:50
青森 八戸工大 マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度とそのバラつきに関する一考察
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹東北学院大)・藤原 修名工大AP2009-100
静電気放電(ESD)あるいは電気接点放電などのうち,おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じるマイクロギャッ... [more] AP2009-100
pp.121-124
EMD, EMCJ
(共催)
2009-05-22
14:15
東京 日本工業大学 神田キャンパス マイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度と電極表面状態の関係
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹東北学院大)・藤原 修名工大EMCJ2009-17 EMD2009-9
ESD静電気放電あるいは電気接点の閉成などに伴い広帯域に及ぶ電磁波が発生する.また,比較的に低い電圧においても電磁妨害が... [more] EMCJ2009-17 EMD2009-9
pp.45-48
EMCJ, EMD
(共催)
2008-07-18
14:40
東京 機械振興会館 1kV以下のマイクロギャップ放電に伴う放射電磁波強度の実験的検討
川又 憲八戸工大)・嶺岸茂樹芳賀 昭東北学院大)・藤原 修名工大EMCJ2008-45 EMD2008-27
あらまし ESD(静電気放電)あるいは電気接点放電などのうち、おおよそ1000V以下の比較的に低い電圧によって生じるマイ... [more] EMCJ2008-45 EMD2008-27
pp.27-30
EMCJ 2006-06-12 北海道 北海道大学学術交流会館 帯電人体の持つ金属棒を介した気中放電による絶縁破壊電界の推定
高 義礼藤原 修名工大
近年のICの高速・低消費電力化により,静電気放電(ESD: Electrostatic discharge)が引き起こす... [more]
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