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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2019-11-21
13:25
東京 機械振興会館 時間依存密度汎関数法によるカーボンナノチューブのエミッション電流の計算
樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大ED2019-60
高輝度電子源材料としてカーボンナノチューブ(CNT)が注目されている. 時間依存密度汎関数法を用いて, ① (5,5)ア... [more] ED2019-60
pp.5-8
ED 2018-10-24
16:25
東京 機械振興会館 地下3階1号室 時間依存密度汎関数によるカーボンナノチューブのエミッションパターンの計算
樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大ED2018-31
時間依存密度汎関数法を用い,カーボンナノチューブ(CNT)のフィールドエミッションパターンを計算した.アームチェア型,ジ... [more] ED2018-31
pp.21-24
OME 2017-12-28
14:30
東京 機械振興会館 第一原理計算に基づく白金-カーボン担体間相互作用の検討
中條雄太東京理科大)・溝口照康東大)・菅野康仁吉武 優田中優実東京理科大OME2017-52
固体高分子形燃料電池のカソード触媒として広く用いられているカーボン担持白金触媒において、触媒活性に影響を与えると考えられ... [more] OME2017-52
pp.15-18
SDM 2017-11-09
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション
白石賢二関口一樹長川健大白川裕規川上賢人山本芳裕洗平昌晃岡本直也芳松克則名大)・寒川義裕柿本浩一九大SDM2017-61
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] SDM2017-61
pp.1-4
ED 2017-10-27
09:30
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第3報)
樋口敏春佐々木正洋山田洋一筑波大ED2017-44
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行っている. フ... [more] ED2017-44
pp.35-38
CPM 2017-07-21
14:57
北海道 北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室 第一原理計算を用いたCa3Co4O9の電子状態に及ぼす元素置換の影響
小林大悟豊橋技科大)・谷林 慧一関高専)・中村雄一内田裕久井上光輝豊橋技科大CPM2017-25
層状コバルト酸化物Ca3Co4O9(Co349)は、中高温域の熱電変換材料としての応用が期待されるが、実用化に向けて変換... [more] CPM2017-25
pp.21-26
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討
森山拓洋肥田聡太鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2016-18 SDM2016-99
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] EID2016-18 SDM2016-99
pp.41-44
SDM 2016-11-11
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算 ~ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ~
末岡浩治岡山県立大SDM2016-87
最近10年間において,半導体シリコン(Si)結晶中の真性点欠陥,すなわち原子空孔(V)と自己格子間原子(I)の物性や挙動... [more] SDM2016-87
pp.49-54
ED 2016-10-25
15:45
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第2報)
樋口敏春佐々木正洋山田洋一筑波大ED2016-48
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行っている. 第... [more] ED2016-48
pp.21-26
ED 2015-10-23
09:25
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算 (第1報)
樋口敏春佐々木正洋山田洋一筑波大ED2015-62
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行った. Oct... [more] ED2015-62
pp.41-46
SDM 2015-06-19
13:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大SDM2015-45
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] SDM2015-45
pp.37-40
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-06-04
14:40
宮城 東北大学 遷移金属合金の磁気異方性に与えるスピン揺らぎの影響
小林尚史兵頭一茂佐久間昭正東北大MR2015-3
高密度磁気デバイスにおいて,材料の熱的安定性は重要な要素であり,その理解が欠かせない.
本研究では,FePtやCoP... [more]
MR2015-3
pp.13-16
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:45
京都 京都大学 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ~ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ~
森山拓洋鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-39 SDM2014-134
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] EID2014-39 SDM2014-134
pp.135-138
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
16:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 [(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較
及川貴大渡部雄太稲葉隆哲大島佳祐宋 華平永田知子山本 寛・○岩田展幸日大ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111
本研究の最終目標は、室温で巨大電気磁気効果を示す物質の作製である。今回、我々はCaFeO3及びLaFeO3単相薄膜の結晶... [more] ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111
pp.49-53
SDM 2014-11-06
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展
影島博之島根大SDM2014-101
計算物理においては、物質の性質をフィッティングパラメータ無しで精密に計算可能な第一原理計算法がパワフルで魅力的である。高... [more] SDM2014-101
pp.31-36
SDM 2014-11-07
10:50
東京 機械振興会館 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果
末岡浩治神山栄治中村浩三岡山県立大)・イアン ファンヘレモントゲント大SDM2014-104
LSIの基板として格子間Si原子(I)と原子空孔(V)を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] SDM2014-104
pp.47-52
ED 2014-10-21
13:30
北海道 北大エンレイソウ カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第3報)
樋口敏春佐々木正洋堀江翔太山田洋一筑波大)・松本修二福田茂樹高エネルギー加速器研究機構ED2014-62
コーン型シリコンエミッタにカーボンを被覆することにより,エミッション特性は約2桁向上する.我々はエミッション向上機構の解... [more] ED2014-62
pp.1-6
SDM 2014-06-19
10:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性:第一原理計算による検討
佐々木奨悟中山隆史千葉大SDM2014-46
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] SDM2014-46
pp.17-20
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
15:35
愛知 名古屋大学VBL3階 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃名大)・山本貴博東京理科大)・白石賢二名大ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
磁気抵抗メモリは,不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており,次世代のメモリデバ... [more] ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
pp.47-50
IBISML 2014-03-06
13:25
奈良 奈良女子大学 マルチタスク学習を用いた複数物性値の同時予測
岩瀬智亮東大)・世古敦人京大)・鹿島久嗣東大IBISML2013-68
有用な材料を新規に発見することは材料科学分野における主要課題のひとつであるが、この課題に対する計算機科学的アプローチのひ... [more] IBISML2013-68
pp.9-13
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