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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD 2017-03-01
14:25
沖縄 沖縄県青年会館 ストア/リストア分離型不揮発性フリップフロップにおけるパワーゲーティング技術の有効性評価
工藤 優宇佐美公良芝浦工大
本稿では不揮発性パワーゲーティングを実現するために必要な不揮発性フリップフロップ回路(NVFF)について議論する。従来の... [more] VLD2016-103
pp.7-12
SDM 2016-01-28
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象
町田友樹守谷 頼佐田洋太山口健洋荒井美穂矢吹直人森川 生増渕 覚東大)・上野啓司埼玉大
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述... [more] SDM2015-123
pp.13-16
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技研組合
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2012-10-18
17:05
秋田 秋田県産業技術センター(AIT) 高度技術研究館 CoFeB/MgO-磁気トンネル接合の特性改善を目指した窒化物キャップ層の作製
杉原 敦大崎創一郎中谷亮一阪大
CoFeB/MgO磁気トンネル接合においては,キャップ層原子のCoFeB層中への拡散を低減することによって特性が大幅に改... [more] MR2012-24
pp.37-42
ICD 2011-04-18
10:00
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術
石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入RAM(MLC-SPRAM)について述べる。2つの直列接続し... [more] ICD2011-1
pp.1-5
SDM 2010-11-11
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)
石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)について述べる。2つの直列接続... [more] SDM2010-173
pp.11-15
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit
Masashi KamiyanagiFumitaka IgaShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] ED2009-52 SDM2009-47
pp.9-12
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:15
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits
Fumitaka IgaMasashi KamiyanagiShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] ED2009-53 SDM2009-48
pp.13-16
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