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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 14:45 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
自己発電型デバイスに向けたフレキシブル熱電発電モジュールの開発 ○池田浩也・フドゥザイファ アル ヒジュリ・小野田 樹・本名智朗・井上 翼・早川泰弘（静岡大）・池田和司（奈良先端大）・濱﨑 拡（静岡大） |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | |
| SDM | 2024-02-21 13:30 |
東京 | 東京大学 本郷 工4号館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］材料・デバイス局所領域の電磁場直接観察 ○柴田直哉（東大）  SDM2023-84 |
我々のグループでは原子分解能STEMの更なる可能性を開拓することを目的として,微分位相コントラスト法（Different... [more] | SDM2023-84 pp.16-19 |
| EMD | 2023-12-22 13:00 |
栃木 | 帝京大学（宇都宮） | 平板状多数ターンコイルによる金属薄板の無衝突電磁圧接実験 ○相沢友勝（都立工業高専） EMD2023-32 |
Al/CuまたはAl/Al薄板を無衝突で電磁圧接した実験結果は，Ｈ字形の平板状 1 ターンコイルを用いてすでに報告されて... [more] | EMD2023-32 pp.1-6 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 14:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 |
界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM ... [more] | ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 pp.21-24 |
| SDM | 2023-10-13 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス ○近藤 剣・上野勝典・田中 亮・高島信也・江戸雅晴（富士電機）・諏訪智之（東北大） SDM2023-60 |
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] | SDM2023-60 pp.40-45 |
| SID-JC (共催) ITE-IDY, EID (連催) [詳細] |
2023-08-04 14:20 |
ONLINE | オンライン開催 (Zoom) | ［招待講演］超低電圧で発光する有機EL素子の開発 ○伊澤誠一郎（東工大） |
有機ELの駆動電圧を低減することは省エネルギー化のために必須の課題である。本研究では、界面近傍での三重項消滅による励起状... [more] | |
| CPM | 2023-08-01 10:40 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
金属／GaNショットキー電極評価の変遷 ○塩島謙次（福井大） CPM2023-21 |
本講演では著者が黎明期から携わってきた金属／GaNショットキー接触に関する実験結果を紹介し、結晶品質、プロセス技術、およ... [more] | CPM2023-21 pp.36-39 |
| WPT, EMCJ, EMD (併催) |
2023-07-21 14:10 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
密着したAl/Cu薄板の電磁圧接が無衝突でできる理由 ○相沢友勝（都立工業高専） EMD2023-10 |
密着したAl/Cu薄板を無衝突で電磁圧接した実験結果はすでに報告されている．ここでは，無衝突で圧接できる理由を詳しく説明... [more] | EMD2023-10 pp.1-6 |
| SDM | 2023-06-26 11:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 ○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大） SDM2023-29 |
オクタデシルホスホン酸（ODPA: octadecylphosphonic acid）の自己組織化単分子膜（SAM: s... [more] | SDM2023-29 pp.7-10 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:15 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析 ○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・佐久間 仁・後藤清毅（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大） ED2022-92 MW2022-151 |
GaAs 半導体デバイスの裏面電極には電解 Au めっき膜などが用いられ，そのシード層として，GaAs基板との密着性が高... [more] | ED2022-92 MW2022-151 pp.33-35 |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大） SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| OME | 2022-02-18 14:30 |
大分 | J:COMホルトホール大分 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
表面科学の手法を用いたバイオマテリアル近傍の水の解析 ○林 智広（東工大） OME2021-59 |
水中で役割を果たすバイオマテリアルの機能発現のメカニズムを探るにはバイオマテリアル近傍の分子の振る舞いの理解が必要不可欠... [more] | OME2021-59 pp.7-10 |
| US | 2021-11-26 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 微細粒子に対する超音波ピッティング効果への周波数及び界面活性溶質添加の影響 ○杉野史弥・山本 健（関西大） US2021-41 |
液体への超音波照射によって生じるキャビテーション気泡は微細試料（細菌、藻類、マイクロカプセル等）に物理的作用を及ぼす。そ... [more] | US2021-41 pp.7-12 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 ○塩島謙次（福井大）・田中 亮・高島信也・上野勝典・江戸雅晴（富士電機） ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] | ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 pp.63-66 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大） ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] | ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 pp.67-70 |
| SDM | 2021-11-12 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化 ○小林拓真（京大/東工大）・奥田貴史・立木馨大・伊藤滉二（京大）・松下雄一郎（東工大）・木本恒暢（京大） SDM2021-60 |
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] | SDM2021-60 pp.38-42 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM | 2021-06-22 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-23 |
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] | SDM2021-23 pp.7-12 |
| US | 2021-01-29 16:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 超音波キャビテーション気泡の成長過程に対する有機化合物の影響 ○乾 綾華・芝 航汰・山本 健（関西大） US2020-63 |
水中への超音波照射によって観測されるソノルミネッセンス（SL）は，キャビテーション気泡の物理的および化学的作用の情報を得... [more] | US2020-63 pp.32-37 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
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