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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-10-18 13:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討 ○前田康貴・朴 鏡恩・小松勇貴・大見俊一郎（東工大）  SDM2018-60 |
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] | SDM2018-60 pp.41-45 |
| OME | 2017-12-28 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］色素増感太陽電池とペロブスカイト太陽電池の高効率化に向けた界面修飾 ○村上拓郎（産総研） OME2017-56 |
色素増感太陽電池の高効率化を目的とした再結合抑制機能を付与した色素開発とペロブスカイト太陽電池の高効率化を目的とした電子... [more] | OME2017-56 pp.37-42 |
| SDM | 2017-10-25 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・廣木瑞葉・大見俊一郎（東工大） SDM2017-54 |
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] | SDM2017-54 pp.25-30 |
| OME | 2016-03-03 13:55 |
東京 | 東工大南3号館S322講義室 | イオンアシスト蒸着重合による接着性アクリル高分子薄膜の作製 ○河村 拓・田中邦明・臼井博明（東京農工大） OME2015-87 |
イオンアシスト蒸着重合により種々の基板上に4-hydroxybutyl acrylate glycidylether （... [more] | OME2015-87 pp.5-9 |
| OME | 2014-11-29 11:30 |
鹿児島 | 奄美大島商工会議所会議室 | ［招待講演］反応性末端を持つ自己組織化膜を用いた有機/無機界面制御 ○臼井博明（東京農工大） OME2014-64 |
有機デバイスでは有機／無機電極の接合形成が必須となるが，両者では材料の性質が大きく異なるため，異種界面の制御は容易でなく... [more] | OME2014-64 pp.25-30 |
| OME, EMD, CPM (共催) |
2014-06-20 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | 電反応性SAMと蒸着重合による電極／高分子界面の制御 萩原佑哉・金 性湖・田中邦明（東京農工大）・Rigoberto C. Advincula（ケースウェスタン大）・○臼井博明（東京農工大） EMD2014-12 CPM2014-32 OME2014-20 |
有機デバイスでは有機／無機電極の接合形成が必須となるが，材料の性質が大きく異なるため，異種界面の制御は容易でなく，付着強... [more] | EMD2014-12 CPM2014-32 OME2014-20 pp.21-26 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 ○千葉勝仁・中野拓真・赤澤正道（北大） ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 |
原子層堆積（ALD）によるAl2O3層を有するInAlN MOS構造について、その電気的特性に対する作製プロセスの影響を... [more] | ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121 pp.101-105 |
| OME | 2013-05-16 13:30 |
東京 | 機械振興会館 B3F-2 | 反応性SAMを用いたITO／高分子薄膜界面の制御 金 性湖・大塚華恵・田中邦明（東京農工大）・R. C. アドビンクラ（ケースウェスタン）・○臼井博明（東京農工大） OME2013-23 |
有機電子デバイスでは，無機電極と有機薄膜界面の特性を制御することが重要な課題の一つとなる．そこで末端に反応性官能基として... [more] | OME2013-23 pp.1-5 |
| SDM | 2012-06-21 16:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-59 |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] | SDM2012-59 pp.87-92 |
| OME | 2010-05-27 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 自己組織化膜形成による酸化金属電極の表面修飾 金 性湖・梅本祐也・大塚華恵・田中邦明・○臼井博明（東京農工大） OME2010-17 |
有機デバイスの電極として一般的に用いられるITOと有機薄膜の界面特性を制御する目的で，ITO表面に自己組織化膜（SAM）... [more] | OME2010-17 pp.1-6 |
| OME | 2009-09-03 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ビニルカルバゾール蒸着重合膜形成における表面開始剤SAM膜の効果 梅本祐也・金 性湖・田中邦明・○臼井博明（東京農工大） OME2009-36 |
一般に蒸着膜は基板に物理的に吸着しているため界面が不安定であるが，本研究では表面開始蒸着重合の手法を用い，基板表面に化学... [more] | OME2009-36 pp.1-6 |
| SDM | 2009-06-19 14:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大） SDM2009-37 |
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] | SDM2009-37 pp.61-66 |
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