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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-11-11 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析 ～ 原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して ～ ○土屋敏章（島根大）  SDM2016-86 |
チャージポンピング(CP)法で，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて，全く新しい視点でト... [more] | SDM2016-86 pp.43-47 |
| SDM | 2012-12-07 13:30 |
京都 | 京都大学(桂) | デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 ○浦川 哲・上岡義弘・山崎はるか・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-125 |
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として，薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が... [more] | SDM2012-125 pp.59-64 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-186 MW2009-169 |
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] | ED2009-186 MW2009-169 pp.65-70 |
| OME | 2010-01-12 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 ○藤井孝博（千葉大）・松井弘之（産総研）・長谷川達生（産総研/東大）・国吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大） OME2009-76 |
有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大き... [more] | OME2009-76 pp.51-56 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ ○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特... [more] | ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 pp.115-120 |
| SDM | 2007-12-14 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 ○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-234 |
4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング（CP）測定を行った．nチャネルMOSFETに対し... [more] | SDM2007-234 pp.51-54 |
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