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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2022-12-19
16:10
東京 東京理科大学葛飾キャンパス フッ素ドープB型炭酸アパタイト系固体電解質の導電特性と熱安定性
赤松 怜田中優実東京理科大OME2022-49
フッ素ドープ系B型炭酸アパタイト(FCA; (Ca10-x Na2x/3)[(PO4)6-x(CO3)x][(OH)2-... [more] OME2022-49
pp.30-32
SDM 2018-06-25
15:15
愛知 名古屋大学 VBL3F リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
松田亮平大田晃生名大)・田岡紀之産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大SDM2018-22
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] SDM2018-22
pp.29-32
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合SDM2014-166
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
OME 2013-10-11
15:10
大阪 阪大中之島センター 熱刺激電流測定法による有機気光学デバイスの熱安定性の評価
杵村和彦池本龍馬東工大)・山田俊樹大友 明NICT)・田口 大間中孝彰岩本光正東工大OME2013-63
有機電気光学デバイスは、高速化と低消費電力化を必要とする次世代の光変調器など幅広い分野での応用が期待されている。このデバ... [more] OME2013-63
pp.63-68
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2012-07-20
11:05
茨城 茨城大学 日立キャンパス リニアテープシステム用バリウムフェライト媒体の長期保存性能
栗橋悠一清水 治村田悠人浅井雅彦野口 仁富士フイルムMR2012-18
バリウムフェライト磁性体(BaFe)は優れた高記録密度特性を有し,アーカイブ用リニアテープにおいて現行のメタル磁性体(M... [more] MR2012-18
pp.53-57
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-08
13:55
福岡 福岡交通センター [招待講演]スピントルク磁化反転を用いた不揮発RAM(SPRAM)
高橋宏昌伊藤顕知早川 純三浦勝哉山本浩之山ノ内路彦小埜和夫竹村理一郎河原尊之日立)・佐々木龍太郎東北大)・長谷川晴弘東北大/日立)・池田正二東北大)・松岡秀行日立)・大野英男東北大
SPRAM(Spin Transfer Torque MRAM)は、電流によるスピントランスファトルクによってMTJ素子... [more]
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2009-07-16
14:15
東京 東京工業大学 リニアテ-プシステムにおける塗布型バリウムフェライト媒体の高密度化研究
原澤 建松本彩子武者敦史清水 治富士フイルムMR2009-15
粒子体積1500nm3の微粒子バリウムフェライト磁性体を用いて熱安定性を確保したテ-プを作製した。GMRヘッドとGPR4... [more] MR2009-15
pp.13-17
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2009-07-16
14:40
東京 東京工業大学 データストレージ用磁気テープの熱安定性
西尾博明山元 洋明大MR2009-16
平均体積(Vphy)が小さい(約2000-5000 nm3)針状メタル(MP)および六板状Ba-ferrite(BF)粒... [more] MR2009-16
pp.19-24
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2008-11-21
16:50
東京 早稲田大学 垂直磁気記録媒体用Co-Pt-TiO2グラニュラ膜への熱処理による磁気特性・記録再生特性の改善
有明 順木谷貴則秋田県産技総研センター)・本多直樹東北工大MR2008-35
垂直磁気記録媒体用Co-Pt-TiO2薄膜に熱処理を施し,磁気特性,結晶特性そして記録特性がどのように変化するかを調べた... [more] MR2008-35
pp.31-36
SDM 2007-06-08
14:40
広島 広島大学(学士会館) ゲルマニウム窒化膜の形成と評価
朽木克博岡本 学細井卓治志村考功安武 潔渡部平司阪大SDM2007-49
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o... [more] SDM2007-49
pp.97-100
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