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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ, MW, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2022-10-14
10:50
秋田 秋田大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
平面金属フォトニック結晶共振器に関する一検討
范 佳興陳 春平蔣 梁超王 明平岡隆晴穴田哲夫神奈川大EMCJ2022-55 MW2022-101 EST2022-65
近年、平面金属フォトニック結晶(PhC)構造のミリ波・サブミリ波帯での利用は注目を集めている。金属PhCは無限周期配列構... [more] EMCJ2022-55 MW2022-101 EST2022-65
pp.102-107
MW 2018-12-13
09:45
神奈川 神奈川大学 エアギャップ付きM-PhCによる点欠陥共振器のシミュレーションと測定
謝 成龍陳 春平張 沢君穴田哲夫神奈川大MW2018-114
本稿では,金属平行平板導波路内に周期的に配置した金属円柱の上面間にエアギャップを設けた金属フォトニック結晶(M-PhC)... [more] MW2018-114
pp.1-5
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
15:50
愛知 豊橋技科大VBL FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性
清井 明中村勝光三菱電機ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14
水素ドナー(HD)の発生機構を明らかにするために,HDおよび格子間Si対の発生,消滅挙動のアニール温度依存性を調べた。水... [more] ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14
pp.23-28
SDM 2017-11-09
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]SiC中の不純物拡散モデル
植松真司慶大SDM2017-64
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC(炭化ケイ素)における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] SDM2017-64
pp.15-20
WPT, MW
(共催)
2017-04-28
16:15
東京 機械振興会館地下2階1号室 マイクロ波帯における金属フォトニック結晶による点欠陥共振器のシミュレーションと測定
陳 春平・○謝 成龍鐵田大輔木川 駿穴田哲夫張 沢君神奈川大WPT2017-7 MW2017-7
本稿では,従来の金属フォトニック結晶(M-PhCs)点欠陥共振器の中心に金属円柱を装荷することにより,共振周波数を制御可... [more] WPT2017-7 MW2017-7
pp.29-34
SDM 2016-11-11
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算 ~ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ~
末岡浩治岡山県立大SDM2016-87
最近10年間において,半導体シリコン(Si)結晶中の真性点欠陥,すなわち原子空孔(V)と自己格子間原子(I)の物性や挙動... [more] SDM2016-87
pp.49-54
SDM 2015-11-05
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]半導体における不純物拡散モデリングの現状
植松真司慶大SDM2015-84
CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また... [more] SDM2015-84
pp.1-6
EST 2015-09-03
10:05
沖縄 石垣島 大濱信泉記念館 金属フォトニック結晶点欠陥共振器のモノポールモードを用いたバンドパスフィルタの結合スキームによる設計
平岡隆晴陳 春平加藤紀樹・○穴田哲夫神奈川大)・武田重喜アンテナ技研)・馬 哲旺埼玉大EST2015-53
本論文では金属フォトニック結晶の電磁波の強い閉じ込め機能と超広帯域バンドギャップに着目し,線欠陥導波路と点欠陥部に微小金... [more] EST2015-53
pp.1-6
SDM 2014-11-07
10:50
東京 機械振興会館 半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果
末岡浩治神山栄治中村浩三岡山県立大)・イアン ファンヘレモントゲント大SDM2014-104
LSIの基板として格子間Si原子(I)と原子空孔(V)を完全に対消滅させた300 mm直径の無欠陥Siウェーハが実用され... [more] SDM2014-104
pp.47-52
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
11:05
大阪 大阪市立大学 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用
角谷正友Liwen SangMickael Lozac'h物質・材料研究機構ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95
III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置... [more] ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95
pp.9-12
SDM 2009-11-13
15:25
東京 機械振興会館 High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション
鈴木 研伊藤雄太井上達也三浦英生東北大)・吉川英樹小林啓介物質・材料研究機構)・寒川誠二東北大SDM2009-149
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し,High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] SDM2009-149
pp.79-84
LQE, OPE
(共催)
2005-06-24
09:40
東京 機械振興会館 ヨウ化水素誘導結合プラズマエッチングを用いたInP系半導体フォトニック結晶の製作
野崎謙悟橋本惇一井手利英水田栄一志賀正浩馬場俊彦横浜国大
本研究では,1.55 micron帯GaInAsP-InPウェハに対してヨウ化水素(HI)ガスを用いた誘導結合プラズマ(... [more] OPE2005-15 LQE2005-14
pp.7-10
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