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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
15:10
岐阜 ワークプラザ岐阜 周波数逓倍回路による変換分解能向上を目指したPWM/Digital変換器の研究
張 鶴アンドリノ ロベルト原田知親山形大CAS2023-43 NLP2023-42
IoT(Internet of Things)デバイスでは、消費電力の削減が望まれている。消費電力を抑えるため、リーク電... [more] CAS2023-43 NLP2023-42
pp.58-61
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
13:00
北海道 北海道大学情報教育館 [依頼講演]電圧比調整技術を用いた3.2ppm/℃の二次温度補償CMOSオンチップ発振器
張 国強矢山浩輔勝島明男三木隆博ルネサス エレクトロニクスSDM2017-39 ICD2017-27
Local Interconnection Network(LIN)に適用可能なCMOSオンチップ発振器(OCO)を提案... [more] SDM2017-39 ICD2017-27
p.69
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-16
16:10
東京 東京工業大学 等温点及びバックゲートバイアス制御を用いた広温度領域対応ISFETアレイの解析
多木 真徐 祖楽河原尊之東京理科大ICD2016-99 CPSY2016-105
高感度なpHセンサであるISFETは半導体技術の進歩により容易にアレイ化でき,製造,農業,医療,食品,環境などの分野で応... [more] ICD2016-99 CPSY2016-105
pp.155-160
CPM, OPE, LQE, EMD
(共催)
2011-08-26
10:15
北海道 北海道大学 創成科学研究棟 5階 大会議室 MEMSミラーを用いた波長選択スイッチの特性制御
松浦 徹橋本 悦碓氷光男葉玉恒一松浦伸昭石井雄三内山真吾阪田知巳下山展弘NTTEMD2011-48 CPM2011-92 OPE2011-83 LQE2011-46
2軸独立駆動可能なMEMSミラーアレイを用いて、波長選択スイッチ(WSS)を作製した。このWSSはミラーを2軸で制御する... [more] EMD2011-48 CPM2011-92 OPE2011-83 LQE2011-46
pp.87-91
US 2010-09-29
15:15
宮城 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 SiO2/LiNbO3構造SAWデバイスにおけるSiO2膜物性と周波数温度係数の相関性の検討
松田 聡三浦道雄松田隆志上田政則佐藤良夫太陽誘電)・橋本研也千葉大US2010-53
SiO2/LiNbO3構造を用いた広帯域温度補償のSAWデバイスにおいて、FT-IR (Fourier-transfor... [more] US2010-53
pp.29-32
EMCJ, ITE-BCT
(共催)
2009-03-13
14:40
東京 機械振興会館 Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発
望月 亮福島竜也岩渕浩昭山田良男加藤孝男東芝EMCJ2008-121
Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅... [more] EMCJ2008-121
pp.43-48
OFT 2008-10-17
11:15
東京 芝浦工業大学 高温環境下における配管減肉検知用光ファイバセンサケーブル
田中志明岡田直樹宮本末廣フジクラ)・岸田欣増李 哲賢山内良昭ニューブレクス)・鈴木裕晶千代田アドバンストソリューションズOFT2008-37
我々は、局所的な歪変化に対して非常に良好な検知感度を有する耐熱センサケーブルを開発した。温度検出センサコードを耐熱センサ... [more] OFT2008-37
pp.15-18
VLD, ICD
(共催)
2008-03-06
09:40
沖縄 沖縄県男女共同参画センター 広い温度範囲に対応する受信感度-90dBmの0.13μmCMOSBluetoothトランシーバ
阿川謙一間島秀明小林弘幸小泉正幸石塚慎一郎永野剛之荒井 誠清水 優浦川 剛東芝VLD2007-145 ICD2007-168
-40℃~+90℃の広い温度範囲で高い受信感度および高品質な送信信号を達成する2.4GHz帯Bluetooth無線トラン... [more] VLD2007-145 ICD2007-168
pp.7-12
ICD 2006-04-14
14:45
大分 大分大学 マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム
石川次郎田中利広加藤 章山木貴志梅本由紀子下里 健中村 功品川 裕ルネサステクノロジ
マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システムを開発した.フラッシュメモリの書換え(P/E)回数を向上させるた... [more] ICD2006-20
pp.109-113
MW 2005-12-16
09:25
広島 広島市立大学 温度補償付きプリディストーション方式7GHz帯高能率OFDM電力増幅器の開発
生岩量久広島市大)・阿部 徹村崎 出NHK)・吉田哲雄富樫純一東芝
ISDB-T方式に準拠したOFDM信号を7GHz帯で高効率増幅する温度補償付きプリディストーション方式電力増幅器の試作と... [more] MW2005-129
pp.7-12
ICD 2005-04-14
16:15
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
倉田英明笹子佳孝大津賀一雄有金 剛河村哲史小林 孝久米 均日立)・本間和樹小堺健司野田敏史伊藤輝彦清水雅裕池田良広土屋 修古沢和則ルネサステクノロジ
多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線と... [more] ICD2005-11
pp.53-58
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