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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:05
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長
名嘉眞朝泰松下一貴渡邊泰良小南裕子原 和彦静岡大
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法(CVD)を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ... [more]
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
11:50
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 高Al組成p型AlGaNコンタクト層を用いた260nm深紫外LED
定 昌史前田哲利平山秀樹理研ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117
AlGaN発光ダイオード(LED)は深紫外域における高機能光源として研究が進められている。AlGaN LEDの現在の課題... [more] ED2014-89 CPM2014-146 LQE2014-117
pp.77-80
OPE, LQE
(共催)
EMD, CPM, OME
(共催)
(併催) [詳細]
2012-06-22
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]紫外光レーザーと深紫外発光素子
青柳克信立命館大
ヘテロ構造を持った非線形フォトニック結晶の概念を説明し、それによる高効率第二高調波紫外レーザー発生法について述べる。さら... [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
14:35
高知 高知工科大学 研究教育棟B 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
五十嵐航平石岡 亮埼玉大)・塚田悠介埼玉大/理研)・福田武司本多善太郎埼玉大)・平山秀樹埼玉大/理研)・鎌田憲彦埼玉大EID2010-31
波長200nm台の深紫外発光用AlGaN系結晶を高効率化するため,MOCVD成長温度880℃と920℃,Inフローの有無... [more] EID2010-31
pp.41-44
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