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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 13:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）  ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] | ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 pp.101-104 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 13:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）・大島 武（原子力機構） ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 |
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] | ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 pp.7-12 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 14:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 ○今井大地・石谷善博（千葉大）・王 新強（北京大物理学院）・草部一秀・吉川明彦（千葉大） ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 |
InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について，熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結... [more] | ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 pp.103-108 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 pp.67-72 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 ○細川大志・井川裕介・木尾勇介・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ... [more] | ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 pp.43-48 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 ○小川恵理・橋詰 保（北大/JST） ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 |
Mgドープ量の異なるGaN表面にSiO2保護膜を形成し，1000〜1100oCの高温でアニールを行い，アニ... [more] | ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 pp.105-108 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大） ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 |
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] | ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 pp.101-106 |
| ED | 2007-06-16 09:30 |
富山 | 富山大学 | ［招待講演］金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展 ○塩島謙次（福井大） ED2007-41 |
低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金... [more] | ED2007-41 pp.57-60 |
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