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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 16:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善 ○下方駿佑（慶大/産総研）・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋（産総研）  SDM2023-41 ICD2023-20 |
大規模量子コンピュータの実現に向けて，量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている．近年の研... [more] | SDM2023-41 ICD2023-20 pp.28-31 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 15:15 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［依頼講演］原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用 ○部家 彰（兵庫県立大） |
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術（原子状水素アニール（AHA））の半導体分野への応用に... [more] | |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 16:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上 ○部家 彰・佐藤真彦・長谷川裕師・松尾直人（兵庫県立大） SDM2008-13 OME2008-13 |
加熱触媒体線で分解・生成した原子状水素をゲート絶縁膜に吹き付ける「原子状水素アニール（AHA）処理」を行うことで，絶縁膜... [more] | SDM2008-13 OME2008-13 pp.61-66 |
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