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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 14:40 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 ○角谷正友（物質・材料研究機構）  ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 |
III-V族窒化物半導体材料を電子デバイスや受光デバイスに応用するには、ギャップ内欠陥準位の評価と低減が重要である。我々... [more] | ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 pp.107-110 |
| SDM | 2013-06-18 14:35 |
東京 | 機械振興会館 | SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ ～ MIS型およびpnダイオード型メモリ ～ ○須田良幸・小松辰己・山口伸雄・佐藤芳彦・山田有希乃・山下淳史・塚本貴広（東京農工大） SDM2013-57 |
金属/トンネル酸化層/SiOx電子捕獲層/n-SiC/n-Si金属‐絶縁体‐半導体（MIS）型（構造）と金属/p型酸化物... [more] | SDM2013-57 pp.67-70 |
| SDM | 2012-12-07 13:30 |
京都 | 京都大学(桂) | デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 ○浦川 哲・上岡義弘・山崎はるか・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-125 |
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として，薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が... [more] | SDM2012-125 pp.59-64 |
| SDM | 2009-12-04 17:10 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 ○西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） SDM2009-170 |
抵抗変化特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年大いに注... [more] | SDM2009-170 pp.97-100 |
| SDM | 2007-03-15 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiO2/SiOx/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ ○須田良幸・長谷川宏巳（東京農工大） |
金属/SiO2/SiOx/SiC/Si MIS（金属‐絶縁体‐半導体）型の新しい構造からなる，抵抗変化型の不揮発性RAM... [more] | SDM2006-256 pp.11-14 |
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