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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, HWS, ICD (共催) |
2024-02-29 15:30 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター【てぃるる】会議室１・２・３ （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［記念講演］絶縁膜ReRAMを用いる高信頼かつ製造時複製可能な有機薄膜トランジスタPUFの実現 ○大島國弘（京大）・栗原一徳（産総研）・佐藤高史（京大）  VLD2023-116 HWS2023-76 ICD2023-105 |
有機薄膜トランジスタ（ OTFT ）はセンサ回路等における応用が期待されているが，こうしたシステムではセキュリティが重要... [more] | VLD2023-116 HWS2023-76 ICD2023-105 p.98 |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-22 13:10 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ExTDRによる有機薄膜デバイス動作のナノ秒時間分解観測 ○酒井正俊・廖 維淞・武笠亮太・戒能 智・益子朋晃・小林知広・工藤一浩（千葉大） SDM2022-2 OME2022-2 |
薄膜デバイスのデバイス動作を時間分解解析する方法は多種多様な手法が提案されている。我々は電気的な手法のひとつとして、拡張... [more] | SDM2022-2 OME2022-2 pp.7-10 |
| OME | 2016-10-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析 ○野田 啓・長浜陽生・山本 亮・和田恭雄（慶大）・鳥谷部 達（東洋大） OME2016-38 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した，デバイス作製評価と... [more] | OME2016-38 pp.1-4 |
| OME | 2015-03-17 16:10 |
東京 | 東工大南４号館S421講義室 | ［招待講演］フレキシブル有機デバイスの開発現状と将来展望 ○工藤一浩（千葉大） OME2014-87 |
有機材料は軽量、柔軟性、低コストといった特長を有し、近年、高性能な有機半導体材料が開発されるようになって次世代半導体デバ... [more] | OME2014-87 pp.27-32 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 11:06 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 有機薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の温度依存性の考察 ○松本竜也・金 丞謙・服部励治（九大） EID2013-29 |
有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層へのキャリア注入機構を明らかとするため，電界効果移動度と，有機半導体と金属電極と... [more] | EID2013-29 pp.117-120 |
| ED | 2013-04-19 09:25 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 撥液レジストを用いた銀ナノ粒子電極の微細パターン形成 ○菅野 亮・竹田泰典・小林 悠・福田憲二郎・熊木大介・時任静士（山形大） ED2013-10 |
近年、省エネルギー性の観点から、印刷法を用いた電子デバイスの作製技術が注目されている。我々は、基板表面に親液部と撥液部を... [more] | ED2013-10 pp.37-40 |
| OME | 2012-11-19 15:00 |
大阪 | 大阪大学中之島センター 講義室３０２ | グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討 ○吉岡勇多（奈良先端大）・李 世光（千葉大/奈良先端大）・上田智也・松原亮介・中村雅一（奈良先端大） OME2012-70 |
有機電界効果トランジスタ（OFET）の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において障壁... [more] | OME2012-70 pp.43-47 |
| CPM | 2012-08-08 15:20 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | 銅電極を用いたボトムコンタクト型有機TFTの高性能化 ○宇津野裕弥・佐藤 翼・奥 慎也・水上 誠・福田憲二郎・熊木大介・時任静士（山形大） CPM2012-38 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）のソース・ドレイン電極には、一般的に安定で取り扱いやすいAu電極が使用されている。そのた... [more] | CPM2012-38 pp.23-25 |
| OME | 2012-05-24 15:45 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収 ○李 世光（千葉大/奈良先端大）・松末俊夫（千葉大）・吉岡勇多・松原亮介（奈良先端大）・酒井正俊・工藤一浩（千葉大）・中村雅一（奈良先端大） OME2012-27 |
有機電界効果トランジスタ（OFET）の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において振幅... [more] | OME2012-27 pp.41-44 |
| ED | 2012-04-18 13:50 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ ○但木大介・馬 騰・張 晋逾・飯野祥平・木村康男・庭野道夫（東北大） ED2012-3 |
近年、有機薄膜トランジスタ(OTFT)に関する研究が盛んに行われている。OTFTは、軽量で柔軟性を持った大面積デバイスを... [more] | ED2012-3 pp.9-13 |
| ED | 2012-04-18 15:25 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | 親撥液性を利用した銀ナノ粒子電極のパターニング手法の開発と有機薄膜トランジスタ応用 ○竹田泰典・小林 悠・清水雅浩・関根智仁・福田憲二郎・熊木大介・栗原正人・坂本政臣・時任静士（山形大） ED2012-6 |
塗布法で簡単に高精細な電極パターンを形成する技術は、印刷デバイスを作製するうえで非常に重要となる。我々は、基板表面に親撥... [more] | ED2012-6 pp.25-29 |
| ED | 2012-04-19 09:50 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | 銅電極を用いたボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ ○宇津野裕弥・奥 慎也・水上 誠・熊木大介・時任静士（山形大） ED2012-13 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）のソース・ドレイン電極には、一般的に安定で取り扱いやすいAu電極が使用されている。そのた... [more] | ED2012-13 pp.55-57 |
| OME | 2010-10-22 15:40 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | ソフトリソグラフィを用いた有機薄膜トランジスタ用のソース・ドレイン電極のパターン化の検討 ○浦 裕亮・伊東栄次（信州大） OME2010-52 |
ソフトリソグラフィを用いてトップコンタクト型C60 薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極の直接 パターン形成を試みた... [more] |
OME2010-52 pp.33-36 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察 ○部家 彰・長谷川裕師・松尾直人（兵庫県立大） SDM2010-3 OME2010-3 |
ペンタセン膜厚1,3,10,50nmの有機薄膜トランジスタ（OTFT）およびペンタセン縦方向評価試料を作製し，その電気特... [more] | SDM2010-3 OME2010-3 pp.9-12 |
| ED | 2010-04-22 13:00 |
山形 | 伝国の杜（米沢） | ［招待講演］有機薄膜トランジスタの高性能化 ～ フレキシブル有機ELディスプレイへの応用を目指して ～ ○時任静士（NHK） ED2010-5 |
本講演では、低分子系および高分子系の有機半導体を用いた薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化として、移動度の向上、動作電圧... [more] | ED2010-5 pp.15-19 |
| OME | 2010-01-12 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価 ○藤井孝博（千葉大）・松井弘之（産総研）・長谷川達生（産総研/東大）・国吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大） OME2009-76 |
有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体／ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大き... [more] | OME2009-76 pp.51-56 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 15:10 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | 塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討 ○堀井美徳（産総研/鳥取大）・井川光弘・坂口幸一・近松真之・吉田郵司・阿澄玲子（産総研）・茂木 弘（科学技術推進機構/信越化学）・北川雅彦・小西久俊（鳥取大）・八瀬清志（産総研） SDM2009-3 OME2009-3 |
ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタ（TFT)のSiO_2ゲート絶縁膜表面の自己組織化単分子膜（S... [more] | SDM2009-3 OME2009-3 pp.9-14 |
| OME | 2009-01-21 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 | ジベンゾクリセン薄膜を用いた有機TFTの作製と評価 ○藤田圭介・木村 眞・森 竜雄（名大） OME2008-85 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）において半導体材料にペンタセンが用いれられ、a-Siを並の移動度が報告されている。我々は... [more] | OME2008-85 pp.19-22 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 15:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］有機半導体材料の構造とFET特性 ○阿澄玲子・近松真之・吉田郵司・八瀬清志（産総研） SDM2008-12 OME2008-12 |
有機薄膜デバイスの性能は、材料の分子構造のみならず、薄膜中での分子のパッキングや、基板や電極に対する分子の配向などに大き... [more] | SDM2008-12 OME2008-12 pp.57-60 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 16:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上 ○部家 彰・佐藤真彦・長谷川裕師・松尾直人（兵庫県立大） SDM2008-13 OME2008-13 |
加熱触媒体線で分解・生成した原子状水素をゲート絶縁膜に吹き付ける「原子状水素アニール（AHA）処理」を行うことで，絶縁膜... [more] | SDM2008-13 OME2008-13 pp.61-66 |
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