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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2023-08-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電極/Nb:SrTiO3接合の光応答特性評価 ～ 光電子シナプスデバイス実現に向けて ～ ○佐田 晋・鄭 雨萌・木下健太郎（東京理科大）  ED2023-11 |
Sn ドープ In_2O_3(ITO)/Nb:SrTiO_3(NSTO)接合は電圧印加により、光誘起電流の緩和時定数の制... [more] | ED2023-11 pp.6-9 |
| NLP, MICT, MBE (共催) NC (併催) [詳細] |
2022-01-22 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ヒステリシス・リザーバー層の特性と学習出力系列の関係について ○齋藤 吏・神野健哉（東京都市大） NLP2021-99 MICT2021-74 MBE2021-60 |
リザバーコンピューティングは機械学習モデルの一種で、低コストかつ高速に学習が可能である。しかし、 従来のリザバーコンピュ... [more] | NLP2021-99 MICT2021-74 MBE2021-60 pp.121-124 |
| EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-01-25 15:15 |
兵庫 | 姫路西はりま地場産業センター | ヒトおよびラットの頭部局所ばく露における熱時定数のばらつき評価 ○ゴメスタメス ホセ・小寺紗千子・平田晃正（名工大） PN2017-63 EMT2017-100 OPE2017-141 LQE2017-123 EST2017-99 MWP2017-76 |
国際電波防護ガイドラインでは，局所ばく露に関する評価指標として局所10g平均のSAR（Specific Absorpti... [more] | PN2017-63 EMT2017-100 OPE2017-141 LQE2017-123 EST2017-99 MWP2017-76 pp.137-142 |
| MW, EMCJ, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2017-10-19 15:00 |
秋田 | あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 | ダイポールアンテナによるラットおよび人体頭部の温度上昇特性比較 ○小寺紗千子・平田晃正（名工大） EMCJ2017-36 MW2017-88 EST2017-51 |
国際電波防護ガイドラインでは，局所ばく露に関する評価指標として局所10g平均のSAR（Specific Absorpti... [more] | EMCJ2017-36 MW2017-88 EST2017-51 pp.55-59 |
| SDM | 2016-10-27 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究 ○間脇武蔵・寺本章伸・黒田理人・市野真也・後藤哲也・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2016-75 |
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] | SDM2016-75 pp.35-38 |
| VLD | 2015-03-04 08:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | RTN起因のリングオシレータ発振周波数変動を利用したPUF ○吉永 幹・粟野皓光・廣本正之・佐藤高史（京大） VLD2014-174 |
固有の入出力特性を持つ関数として機能するPhysical Unclonable Function （PUF）はセキュリ... [more] |
VLD2014-174 pp.117-122 |
| SDM | 2013-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 ○米澤彰浩・寺本章伸・小原俊樹・黒田理人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2013-98 |
MOSFETのサブスレッショルド領域におけるRandom Telegraph Noise(RTN)の捕獲・放出時定数を多... [more] | SDM2013-98 pp.51-56 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 13:50 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 村松 徹・○葛西誠也・谷田部然治（北大） ED2011-157 SDM2011-174 |
FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており，系統的評価や理解が必要である．本研究では次世代集積... [more] | ED2011-157 SDM2011-174 pp.89-93 |
| SDM | 2010-11-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 ○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2010-174 |
MOSFETにおけるRandom Telegraph Signal (RTS)の振幅，時定数等，重要なパラメータは一つ一... [more] | SDM2010-174 pp.17-22 |
| SDM | 2009-10-29 17:15 |
宮城 | 東北大学 | 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○藤澤孝文・阿部健一・渡部俊一・宮本直人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2009-123 |
MOSFETの微細化，低ノイズデバイス作製のために，RTSノイズを抑制することが必要である．本報告では短時間で多数個のR... [more] | SDM2009-123 pp.31-36 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2008-10-22 15:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館3F | グランドラインでの電圧降下の影響を受けない電流源と,入力ディジタル符号に依存する時定数変化のない出力端子構成とを用いたMOS,14ビット,高速DACの検討 ○小磯卓也・杉本泰博（中大） ICD2008-63 |
高精度で高速なＭＯＳ ＤＡＣを実現するための設計手法を提案する。第１に、ラインインピーダンスによる電圧降下の影響をなくす... [more] | ICD2008-63 pp.25-30 |
| EA | 2005-01-28 14:50 |
大阪 | 関西大 | 各種オーディオアンプの低域位相特性の精密計測法 ○安田真悟（北陸先端大）・中川晋一（北陸先端大/NICT）・井上 潤（NICT）・三井 実・石川智治・宮原 誠（北陸先端大） |
感音性難聴等の聴覚障害者へ超低音の波面を忠実に伝送して, 音楽試聴における音質向上の研究を行っている. 96 kHzサン... [more] | EA2004-133 pp.51-56 |
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