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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:50
愛知 名古屋工業大学 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性
岡田英之・○寺迫智昭五丁健治林本直也愛媛大ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97
硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加... [more] ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97
pp.49-54
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
11:15
愛知 名古屋工業大学 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価
梅村将成市村正也名工大ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
pp.65-70
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:45
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
小澤愼二竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-12 SDM2017-73
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H... [more] EID2017-12 SDM2017-73
pp.5-8
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:00
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
西畑凜哉竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-13 SDM2017-74
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1... [more] EID2017-13 SDM2017-74
pp.9-12
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:15
京都 京都大学 Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~
日高淳輝竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-14 SDM2017-75
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である.高濃度A... [more] EID2017-14 SDM2017-75
pp.13-16
EMCJ, MW, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2013-10-24
13:25
宮城 東北大 青葉山キャンパス 低抵抗導電性樹脂を用いた樹脂製ホーンアンテナの試作評価
石井雄也須賀良介青学大)・西村 剛小野寺真吾出光興産)・橋本 修青学大EMCJ2013-68 MW2013-108 EST2013-60
一般的に導波管,共振器やホーンアンテナは導電率が高く,低損失な金属で製作されている.しかし,これらは酸化による特性劣化や... [more] EMCJ2013-68 MW2013-108 EST2013-60
pp.47-51
CPM 2012-10-26
13:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果
小柳貴寛竹澤和樹加藤孝弘長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・安井寛治長岡技科大CPM2012-94
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_{2}Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エ... [more] CPM2012-94
pp.7-11
CPM 2012-10-26
14:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討
名越克仁富口祐輔清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大CPM2012-95
本研究では,市販ターゲットを用い,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積... [more] CPM2012-95
pp.13-16
EMD, CPM, OME
(共催)
2012-06-22
14:45
東京 機械振興会館 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 ~ スパッタ法によるバッファー層挿入効果 ~
小柳貴寛里本宗一佐藤 魁加藤孝弘長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・安井寛治長岡技科大EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネル... [more] EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34
pp.13-18
OME 2011-01-19
14:15
愛知 愛知工業大学 本山キャンパス 紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子的特性
渡辺悠介村本裕二清水教之名城大OME2010-66
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される... [more] OME2010-66
pp.39-43
SDM 2010-12-17
10:20
京都 京都大学(桂) X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 ~ シミュレーションによる評価 ~
北野谷征吾西川誠二松浦秀治阪電通大SDM2010-186
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時間化を計るために,可搬できる蛍光X線検出... [more] SDM2010-186
pp.7-12
EA, US
(併催)
2010-01-26
14:50
大阪 関西大 超音波マイクロスペクトロスコピー技術によるZnO単結晶の音響関連物理定数の決定
櫛引淳一・○大橋雄二荒川元孝田中智也吉田 翔高麗友輔坂上 登東北大US2009-109
水熱合成法により育成された、低抵抗および高抵抗の(001)、(100)、(101)ZnO試料を用いて、超音波マイクロスペ... [more] US2009-109
pp.123-128
SDM 2009-12-04
13:30
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ~ シミュレーションによる評価 ~
北野谷征吾三宅貴之谷口征大松浦秀治阪電通大SDM2009-160
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時間化を計るために,その場検査のできる可搬... [more] SDM2009-160
pp.49-54
SDM 2009-11-13
11:15
東京 機械振興会館 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション
来栖貴史和田 真松永範昭梶田明広谷本弘吉青木伸俊豊島義明柴田英毅東芝SDM2009-145
LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている.次... [more] SDM2009-145
pp.55-60
EMD 2009-07-17
13:55
北海道 千歳アルカディア・プラザ Pdコンタクトの接触電圧の上昇に関する検討
石田広幸佐々木俊介鈴木祥介谷口正成東北文化学園大EMD2009-22
接触現象はコンタクト表面の凹凸に関係する。原田氏らは、表面粗さと接触抵抗の関係を実験的・理論的に明らかにした。著者らは、... [more] EMD2009-22
pp.7-12
EA, US
(併催)
2009-01-29
14:15
京都 同志社大学 超音波マイクロスペクトロスコピー技術による六方晶系6mm単結晶の音響関連物理定数決定法の検討
櫛引淳一・○大橋雄二荒川元孝田中智也東北大US2008-77
超音波マイクロスペクトロスコピー(UMS)技術により得られるバルク波音速や漏洩弾性表面波(LSAW)速度を用いて, 六方... [more] US2008-77
pp.27-32
OME 2008-12-11
13:25
東京 機械振興会館 CTABで形成した有機半導体のVI特性
川口 優小澤あつみ今井 元日本女子大OME2008-77
我々はn-Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide:CTABという界面活性剤で形成した有機半導体... [more] OME2008-77
pp.7-11
CPM 2008-10-30
14:55
新潟 新潟大学 SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討
本間拓也佐藤 薫下村健晴邵 力捷清水英彦岩野春男新潟大)・星 陽一東京工芸大CPM2008-79
マグネトロンスパッタ(MS)法によりZnO 系透明導電膜を作製する場合の膜作製プロセスに起因する問題点を明らかにするため... [more] CPM2008-79
pp.23-28
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
17:10
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Efficient Activation of Dopant in Poly-Si film using Excimer Laser Annealing
Takashi NoguchiUniversity of the Ryukyus
微細な高性MOS FETの場合と同様に、ガラス、プラスチック基板上などにつくる高性能Si TFTの実現において、不純物ド... [more]
EMCJ 2005-11-25
14:50
東京 NTT武蔵野研究開発センター 導電性エラストマーガスケットにおけるシールド特性の検討
遠藤史健太陽金網
EMI対策用ガスケットは多くの製品に使用されているが、まだその種類の多さに対し選ぶ事が困難となっている。 ここでは、小型... [more] EMCJ2005-108
pp.11-14
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