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IEICE: 電子情報通信学会
A: 基礎・境界
N: NOLTA
B: 通信
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D: 情報・システム
H: ヒューマンCG
(第二種) A: 基礎・境界
(第二種) N: NOLTA
(第二種) B: 通信
(第二種) C: エレクトロニクス
(第二種) D: 情報・システム
(第二種) H: ヒューマンCG
(第三種) B: 通信
IEE: 電気学会
IEIJ: 照明学会
JSAP: 応物学会
ITE: 映情メ学会
IPSJ: 情処学会
IEEE
ASJ: 日本音響学会
JSAI: 人工知能
OSJ: 日本光学会
HIS: HI学会
VRSJ: 日本VR学会
Others: その他
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バイオメトリクス研究会 (BioX)
回路とシステム研究会 (CAS)
応用音響研究会 (EA)
ハードウェアセキュリティ研究会 (HWS)
安全・安心な生活とICT研究会 (ICTSSL)
イメージ・メディア・クオリティ研究会 (IMQ)
情報セキュリティ研究会 (ISEC)
情報理論研究会 (IT)
ITS研究会 (ITS)
システム数理と応用研究会 (MSS)
信頼性研究会 (R)
高信頼制御通信研究会 (RCC)
信号処理研究会 (SIP)
スマートインフォメディアシステム研究会 (SIS)
技術と社会・倫理研究会 (SITE)
安全性研究会 (SSS)
思考と言語研究会 (TL)
超音波研究会 (US)
VLSI設計技術研究会 (VLD)
ワイドバンドシステム研究会 (WBS)
複雑コミュニケーションサイエンス研究会 (CCS)
非線形問題研究会 (NLP)
アドホックネットワーク研究会 (AN)
アンテナ・伝播研究会 (AP)
知的環境とセンサネットワーク研究会 (ASN)
コミュニケーションクオリティ研究会 (CQ)
コミュニケーションシステム研究会 (CS)
電子通信エネルギー技術研究会 (EE)
環境電磁工学研究会 (EMCJ)
インターネットアーキテクチャ研究会 (IA)
情報通信マネジメント研究会 (ICM)
情報ネットワーク研究会 (IN)
ヘルスケア・医療情報通信技術研究会 (MICT)
モバイルネットワークとアプリケーション研究会 (MoNA)
ネットワークシステム研究会 (NS)
光通信システム研究会 (OCS)
光ファイバ応用技術研究会 (OFT)
フォトニックネットワーク研究会 (PN)
無線通信システム研究会 (RCS)
宇宙・航行エレクトロニクス研究会 (SANE)
衛星通信研究会 (SAT)
センサネットワークとモバイルインテリジェンス研究会 (SeMI)
スマート無線研究会 (SR)
短距離無線通信研究会 (SRW)
ユビキタス・センサネットワーク研究会 (USN)
無線電力伝送研究会 (WPT)
電子部品・材料研究会 (CPM)
電子デバイス研究会 (ED)
電子ディスプレイ研究会 (EID)
機構デバイス研究会 (EMD)
電磁界理論研究会 (EMT)
エレクトロニクスシミュレーション研究会 (EST)
集積回路研究会 (ICD)
レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)
磁気記録・情報ストレージ研究会 (MRIS)
マイクロ波研究会 (MW)
マイクロ波・ミリ波フォトニクス研究会 (MWP)
マイクロ波テラヘルツ光電子技術研究会 (MWPTHz)
有機エレクトロニクス研究会 (OME)
光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
コンピュテーション研究会 (COMP)
合意と共創研究会 (Consen)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
ディペンダブルコンピューティング研究会 (DC)
データ工学研究会 (DE)
マルチメディア情報ハイディング・エンリッチメント研究会 (EMM)
教育工学研究会 (ET)
情報論的学習理論と機械学習研究会 (IBISML)
情報通信システムセキュリティ研究会 (ICSS)
画像工学研究会 (IE)
知能ソフトウェア工学研究会 (KBSE)
ライフインテリジェンスとオフィス情報システム研究会 (LOIS)
MEとバイオサイバネティックス研究会 (MBE)
医用画像研究会 (MI)
ニューロコンピューティング研究会 (NC)
言語理解とコミュニケーション研究会 (NLC)
パターン認識・メディア理解研究会 (PRMU)
リコンフィギャラブルシステム研究会 (RECONF)
サービスコンピューティング研究会 (SC)
音声研究会 (SP)
ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
ソフトウェアインタプライズモデリング研究会 (SWIM)
ヒューマンコミュニケーション基礎研究会 (HCS)
ヒューマン情報処理研究会 (HIP)
メディアエクスペリエンス・バーチャル環境基礎研究会 (MVE)
福祉情報工学研究会 (WIT)
センサネットワーク研究会 (SN)
次世代無線設備試験認証技術研究会 (ACT)
バイオメトリックシステムセキュリティ研究会 (BS)
通信行動工学研究会 (CBE)
ネットワーク仮想化研究会 (NV)
新世代ネットワーク研究会 (NwGN)
ネットワークソフトウェア研究会 (NWS)
光応用電磁界計測研究会 (PEM)
水中無線技術研究会 (UWT)
光集積及びシリコンフォトニクス研究会 (PICS)
量子情報技術研究会 (QIT)
シリコンフォトニクス研究会 (SIPH)
テラヘルツ応用システム研究会 (THz)
合意と共創研究会 (Consensus)
サイバーワールド時限研究会 (CW)
フェロー&マスターズ未来技術研究会 (FM)
ネットワークロボット研究会 (NR)
サステナブルコンピューティング研究会 (SUSC)
食メディア研究会 (CEA)
人間とICT倫理研究会 (EHI)
HCGシンポジウム (HCGSYMPO)
ヒューマンプローブ研究会 (HPB)
革新的無線通信技術に関する横断型研究会 (MIKA)
超知性ネットワーキングに関する分野横断型研究会 (RISING)
バイオ・マイクロシステム研究会 (IEE-BMS)
通信研究会 (IEE-CMN)
誘電・絶縁材料研究会 (IEE-DEI)
電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
半導体電力変換研究会 (IEE-SPC)
固体光源分科会 (IEIJ-SSL)
立体映像技術研究会 (ITE-3DMT)
映像表現&コンピュータグラフィックス研究会 (ITE-AIT)
放送技術研究会 (ITE-BCT)
コンシューマエレクトロニクス研究会 (ITE-CE)
ヒューマンインフォメーション研究会 (ITE-HI)
情報ディスプレイ研究会 (ITE-IDY)
情報センシング研究会 (ITE-IST)
メディア工学研究会 (ITE-ME)
マルチメディアストレージ研究会 (ITE-MMS)
スポーツ情報処理研究会 (ITE-SIP)
アクセシビリティ研究会 (IPSJ-AAC)
アルゴリズム研究会 (IPSJ-AL)
システム・アーキテクチャ研究会 (IPSJ-ARC)
オーディオビジュアル複合情報処理研究会 (IPSJ-AVM)
バイオ情報学研究会 (IPSJ-BIO)
コンピュータと教育研究会 (IPSJ-CE)
コンピュータグラフィックスとビジュアル情報学研究会 (IPSJ-CGVI)
教育学習支援情報システム研究会 (IPSJ-CLE)
コラボレーションとネットワークサービス研究会 (IPSJ-CN)
コンピュータセキュリティ研究会 (IPSJ-CSEC)
コンピュータビジョンとイメージメディア研究会 (IPSJ-CVIM)
データベースシステム研究会 (IPSJ-DBS)
ドキュメントコミュニケーション研究会 (IPSJ-DC)
デジタルコンテンツクリエーション研究会 (IPSJ-DCC)
マルチメディア通信と分散処理研究会 (IPSJ-DPS)
エンタテインメントコンピューティング研究会 (IPSJ-EC)
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組込みシステム研究会 (IPSJ-EMB)
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ハイパフォーマンスコンピューティング研究会 (IPSJ-HPC)
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インターネットと運用技術研究会 (IPSJ-IOT)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2018-11-30
09:50
愛知
名古屋工業大学
化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性
岡田英之
・○
寺迫智昭
・
五丁健治
・
林本直也
(
愛媛大
)
ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97
硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加...
[more]
ED2018-43
CPM2018-77
LQE2018-97
pp.49-54
ED
,
LQE
,
CPM
(共催)
2018-11-30
11:15
愛知
名古屋工業大学
光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価
○
梅村将成
・
市村正也
(
名工大
)
ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して...
[more]
ED2018-46
CPM2018-80
LQE2018-100
pp.65-70
SDM
,
EID
(共催)
2017-12-22
10:45
京都
京都大学
高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
○
小澤愼二
・
竹下明伸
・
今村辰哉
・
高野晃大
・
奥田和也
・
日高淳輝
・
松浦秀治
(
阪電通大
)・
紀 世陽
・
江藤数馬
・
児島一聡
・
加藤智久
・
吉田貞史
・
奥村 元
(
産総研
)
EID2017-12 SDM2017-73
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H...
[more]
EID2017-12
SDM2017-73
pp.5-8
SDM
,
EID
(共催)
2017-12-22
11:00
京都
京都大学
高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
○
西畑凜哉
・
竹下明伸
・
今村辰哉
・
高野晃大
・
奥田和也
・
小澤愼二
・
日高淳輝
・
松浦秀治
(
阪電通大
)・
紀 世陽
・
江藤数馬
・
児島一聡
・
加藤智久
・
吉田貞史
・
奥村 元
(
産総研
)
EID2017-13 SDM2017-74
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1...
[more]
EID2017-13
SDM2017-74
pp.9-12
SDM
,
EID
(共催)
2017-12-22
11:15
京都
京都大学
Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~
○
日高淳輝
・
竹下明伸
・
今村辰哉
・
高野晃大
・
奥田和也
・
小澤愼二
・
松浦秀治
(
阪電通大
)・
紀 世陽
・
江藤数馬
・
児島一聡
・
加藤智久
・
吉田貞史
・
奥村 元
(
産総研
)
EID2017-14 SDM2017-75
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である.高濃度A...
[more]
EID2017-14
SDM2017-75
pp.13-16
EMCJ
,
MW
,
EST
(共催)
IEE-EMC
(連催)
[詳細]
2013-10-24
13:25
宮城
東北大 青葉山キャンパス
低抵抗導電性樹脂を用いた樹脂製ホーンアンテナの試作評価
○
石井雄也
・
須賀良介
(
青学大
)・
西村 剛
・
小野寺真吾
(
出光興産
)・
橋本 修
(
青学大
)
EMCJ2013-68 MW2013-108 EST2013-60
一般的に導波管,共振器やホーンアンテナは導電率が高く,低損失な金属で製作されている.しかし,これらは酸化による特性劣化や...
[more]
EMCJ2013-68
MW2013-108
EST2013-60
pp.47-51
CPM
2012-10-26
13:50
新潟
まちなかキャンパス長岡
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果
○
小柳貴寛
・
竹澤和樹
・
加藤孝弘
(
長岡技科大
)・
片桐裕則
・
神保和夫
(
長岡高専
)・
安井寛治
(
長岡技科大
)
CPM2012-94
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_{2}Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エ...
[more]
CPM2012-94
pp.7-11
CPM
2012-10-26
14:15
新潟
まちなかキャンパス長岡
スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討
○
名越克仁
・
富口祐輔
・
清水英彦
・
岩野春男
・
川上貴浩
・
福嶋康夫
・
永田向太郎
・
坪井 望
・
野本隆宏
(
新潟大
)
CPM2012-95
本研究では,市販ターゲットを用い,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積...
[more]
CPM2012-95
pp.13-16
EMD
,
CPM
,
OME
(共催)
2012-06-22
14:45
東京
機械振興会館
触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 ~ スパッタ法によるバッファー層挿入効果 ~
○
小柳貴寛
・
里本宗一
・
佐藤 魁
・
加藤孝弘
(
長岡技科大
)・
片桐裕則
・
神保和夫
(
長岡高専
)・
安井寛治
(
長岡技科大
)
EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネル...
[more]
EMD2012-10
CPM2012-27
OME2012-34
pp.13-18
OME
2011-01-19
14:15
愛知
愛知工業大学 本山キャンパス
紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子的特性
○
渡辺悠介
・
村本裕二
・
清水教之
(
名城大
)
OME2010-66
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される...
[more]
OME2010-66
pp.39-43
SDM
2010-12-17
10:20
京都
京都大学(桂)
X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 ~ シミュレーションによる評価 ~
○
北野谷征吾
・
西川誠二
・
松浦秀治
(
阪電通大
)
SDM2010-186
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時間化を計るために,可搬できる蛍光X線検出...
[more]
SDM2010-186
pp.7-12
EA
,
US
(併催)
2010-01-26
14:50
大阪
関西大
超音波マイクロスペクトロスコピー技術によるZnO単結晶の音響関連物理定数の決定
櫛引淳一
・○
大橋雄二
・
荒川元孝
・
田中智也
・
吉田 翔
・
高麗友輔
・
坂上 登
(
東北大
)
US2009-109
水熱合成法により育成された、低抵抗および高抵抗の(001)、(100)、(101)ZnO試料を用いて、超音波マイクロスペ...
[more]
US2009-109
pp.123-128
SDM
2009-12-04
13:30
奈良
奈良先端大 物質創成科学研究科
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ~ シミュレーションによる評価 ~
○
北野谷征吾
・
三宅貴之
・
谷口征大
・
松浦秀治
(
阪電通大
)
SDM2009-160
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時間化を計るために,その場検査のできる可搬...
[more]
SDM2009-160
pp.49-54
SDM
2009-11-13
11:15
東京
機械振興会館
微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション
○
来栖貴史
・
和田 真
・
松永範昭
・
梶田明広
・
谷本弘吉
・
青木伸俊
・
豊島義明
・
柴田英毅
(
東芝
)
SDM2009-145
LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている.次...
[more]
SDM2009-145
pp.55-60
EMD
2009-07-17
13:55
北海道
千歳アルカディア・プラザ
Pdコンタクトの接触電圧の上昇に関する検討
○
石田広幸
・
佐々木俊介
・
鈴木祥介
・
谷口正成
(
東北文化学園大
)
EMD2009-22
接触現象はコンタクト表面の凹凸に関係する。原田氏らは、表面粗さと接触抵抗の関係を実験的・理論的に明らかにした。著者らは、...
[more]
EMD2009-22
pp.7-12
EA
,
US
(併催)
2009-01-29
14:15
京都
同志社大学
超音波マイクロスペクトロスコピー技術による六方晶系6mm単結晶の音響関連物理定数決定法の検討
櫛引淳一
・○
大橋雄二
・
荒川元孝
・
田中智也
(
東北大
)
US2008-77
超音波マイクロスペクトロスコピー(UMS)技術により得られるバルク波音速や漏洩弾性表面波(LSAW)速度を用いて, 六方...
[more]
US2008-77
pp.27-32
OME
2008-12-11
13:25
東京
機械振興会館
CTABで形成した有機半導体のVI特性
○
川口 優
・
小澤あつみ
・
今井 元
(
日本女子大
)
OME2008-77
我々はn-Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide:CTABという界面活性剤で形成した有機半導体...
[more]
OME2008-77
pp.7-11
CPM
2008-10-30
14:55
新潟
新潟大学
SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討
○
本間拓也
・
佐藤 薫
・
下村健晴
・
邵 力捷
・
清水英彦
・
岩野春男
(
新潟大
)・
星 陽一
(
東京工芸大
)
CPM2008-79
マグネトロンスパッタ(MS)法によりZnO 系透明導電膜を作製する場合の膜作製プロセスに起因する問題点を明らかにするため...
[more]
CPM2008-79
pp.23-28
ED
,
SDM
(共催)
2007-06-25
17:10
海外
Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国
Efficient Activation of Dopant in Poly-Si film using Excimer Laser Annealing
○
Takashi Noguchi
(
University of the Ryukyus
)
微細な高性MOS FETの場合と同様に、ガラス、プラスチック基板上などにつくる高性能Si TFTの実現において、不純物ド...
[more]
EMCJ
2005-11-25
14:50
東京
NTT武蔵野研究開発センター
導電性エラストマーガスケットにおけるシールド特性の検討
○
遠藤史健
(
太陽金網
)
EMI対策用ガスケットは多くの製品に使用されているが、まだその種類の多さに対し選ぶ事が困難となっている。 ここでは、小型...
[more]
EMCJ2005-108
pp.11-14
20件中 1~20件目
/
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