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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
16:15
静岡 静岡大学(浜松) CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価
李 遠霖福地 厚有田正志北大)・森江 隆九工大)・高橋庸夫北大ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は,人工シナプスを実現可能... [more] ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
pp.29-34
SDM 2016-06-29
13:30
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス
角嶋邦之若林 整筒井一生岩井 洋東工大SDM2016-38
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] SDM2016-38
pp.33-36
ICD 2016-04-14
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察
高橋庸夫北大)・工藤昌輝九大)・有田正志北大ICD2016-5
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている.しかし、その長期信頼... [more] ICD2016-5
pp.21-26
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
09:30
熊本 熊本市 [招待講演]低電力混載ReRAM技術
植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2015-65 ICD2015-34
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子(活性領域は0.009um2)から成る 2MbのReR... [more] SDM2015-65 ICD2015-34
pp.41-46
SDM 2015-06-19
13:20
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
加藤祐介荒井 崇大田晃生牧原克典宮崎誠一名大SDM2015-46
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] SDM2015-46
pp.41-45
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:45
京都 京都大学 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ~ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ~
森山拓洋鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-39 SDM2014-134
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] EID2014-39 SDM2014-134
pp.135-138
SDM 2014-06-19
15:40
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性
大塚慎太郎濱田佳典清水智弘新宮原正三関西大SDM2014-57
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが,抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] SDM2014-57
pp.75-78
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
11:40
北海道 北海道大学百年記念会館 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察
大野裕輝廣井孝弘工藤昌輝浜田弘一有田正志高橋庸夫北大ED2013-148 SDM2013-163
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では,固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] ED2013-148 SDM2013-163
pp.89-94
SDM 2013-06-18
13:55
東京 機械振興会館 シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果
上沼睦典阪大)・番 貴彦山下一郎浦岡行治奈良先端大SDM2013-55
シリコン酸化膜中にFe3O4ナノ粒子を埋め込むことで安定した抵抗変化スイッチング動作が確認された。バイオ鋳型を用いてナノ... [more] SDM2013-55
pp.57-60
ICD, IPSJ-ARC
(連催)
2013-02-01
11:40
東京 早稲田大学グリーン・コンピューティング・システム研究開発センター 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路
伊部泰貴中山和也北川章夫金沢大ICD2012-126
ReRAMの多値化に向け,既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する.ReRAM素子のビット線とグランドの間... [more] ICD2012-126
pp.45-49
SDM 2012-12-07
16:30
京都 京都大学(桂) 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性
高 相圭木下健太郎福原貴博澤居優圭岸田 悟鳥取大SDM2012-136
抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にRe... [more] SDM2012-136
pp.123-127
SDM, OME
(共催)
2012-04-27
14:40
沖縄 沖縄県青年会館 バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 ~ 薄膜中の局所欠陥制御 ~
上沼睦典番 貴彦鄭 彬山下一郎浦岡行治奈良先端大SDM2012-4 OME2012-4
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は、次世代の不揮発性メモリとして期待されている.その動作原理は、抵抗変化膜中に形成されるフ... [more] SDM2012-4 OME2012-4
pp.15-20
ICD 2011-04-18
11:40
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [招待講演]高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ ~ Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput ~
筒井敬一大塚 渉宮田幸児北川 真対馬朋人ソニーICD2011-3
従来型のメモリとしてDRAMとNANDは将来の微細化が困難になることが予想され,微細化に適した次世代メモリの技術開発が行... [more] ICD2011-3
pp.13-18
ICD 2011-04-19
16:15
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析
田中隼人木下健太郎岸田 悟鳥取大ICD2011-20
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は, 次世代不揮発性メモリとして期待されている. ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵... [more] ICD2011-20
pp.111-116
NC 2010-10-23
14:30
福岡 九工大(北九州学研都市) バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス
赤穂伸雄浅井哲也北大)・柳田 剛川合知二阪大)・雨宮好仁北大NC2010-46
抵抗変化メモリ(resistive RAM: ReRAM)を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは、バ... [more] NC2010-46
pp.23-28
SDM 2010-06-22
17:10
東京 東京大学(生産研An棟) フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ~ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ~
上沼睦典・○川野健太郎奈良先端大/CREST JST)・吉井重雄山下一郎奈良先端大/パナソニック)・浦岡行治奈良先端大/CREST JSTSDM2010-48
本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵... [more] SDM2010-48
pp.85-88
SDM 2007-03-15
13:30
東京 機械振興会館 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
佐藤嘉洋木下健太郎能代英之青木正樹杉山芳弘富士通研
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] SDM2006-255
pp.7-10
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