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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICTSSL, CAS
(共催)
2024-01-25
13:15
神奈川 東海大学(湘南キャンパス)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]高速高分解能低電力A/D変換器の集積回路技術及びディジタル補正技術
大島 俊日立CAS2023-89 ICTSSL2023-42
AIの急速な進展により,様々なセンサのアナログ信号を高品質のディジタルデータとして取得することが,これまで以上に重要とな... [more] CAS2023-89 ICTSSL2023-42
pp.34-39
MW, ED
(共催)
2023-01-27
16:15
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]産業競争力の源泉としてのマイクロ波半導体・回路
本城和彦電通大ED2022-97 MW2022-156
これまでの100年は,半導体の重要パラメータである電子飽和速度は光の速さの1/1000程度であり,シュレーディンガー方程... [more] ED2022-97 MW2022-156
pp.51-54
HWS, VLD
(共催)
2019-02-28
11:15
沖縄 沖縄県青年会館 光通信用LSI開発にみる微細化プロセスの対策技術
平野 進吉田英夫杉原堅也小西良明杉原隆嗣小川吉大三菱電機VLD2018-110 HWS2018-73
高速光通信向けのLSIは,回路が複雑かつ大規模になるため先端半導体製造プロセスを用いた実装が必須である.これまでこれらの... [more] VLD2018-110 HWS2018-73
pp.103-108
SCE 2018-08-09
15:05
愛知 豊橋技術科学大学 反転型量子磁束パラメトロン回路の提案と動作実証
荒井孝太横浜国大)・竹内尚輝JSTさきがけ)・山梨裕希吉川信行横浜国大SCE2018-15
将来のスーパーコンピュータ実現のため、超低電力ロジックである断熱的量子磁束パラメトロン (AQFP) の研究を行っている... [more] SCE2018-15
pp.47-51
ICD, ITE-IST
(連催)
2015-07-03
10:30
神奈川 防衛大学校 [招待講演]オールデジタルAD変換器TADによる微細化のための「センサ/RF回路のデジタル化」
渡辺高元山内重徳田口信幸寺澤智仁デンソーICD2015-19
自動運転の実現には,多数のセンサと高度な通信技術が必要となる.またIoTアプリケーションの拡大発展には,多様なセンサノー... [more] ICD2015-19
pp.27-32
SDM 2013-02-04
15:25
東京 機械振興会館 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 ~ Metal-Capバリア配線技術 ~
神吉剛司池田淳也須田章一小林靖志中田義弘中村友二富士通研SDM2012-155
高密度チップ集積技術の要素技術となる低コストの有機樹脂を用いたChip間接続再配線の微細化において,有機樹脂中のハロゲン... [more] SDM2012-155
pp.25-30
ICD, IPSJ-ARC
(連催)
2011-01-20
14:20
神奈川 慶応大学(日吉) [招待講演]CMOSの超微細化と3Dシステムの統合協調性
岡本和也佐藤了平阪大
光リソグラフィーの革新により32nm以下の半導体パターンの超微細化が進み,現在1x(nm)トランジスタの議論がされている... [more] ICD2010-131
p.29
SDM 2010-11-12
15:30
東京 機械振興会館 GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ~ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ~
仲野駿佑大村泰久関西大SDM2010-184
サブ30nm-Si細線Gate-All-Around (GAA) MOSFET設計の実現可能性を考察するために指針に関す... [more] SDM2010-184
pp.71-76
SDM 2009-11-13
13:00
東京 機械振興会館 [チュートリアル招待講演]薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ~ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ~
大村泰久関西大SDM2009-146
本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more] SDM2009-146
pp.61-66
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:25
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法
福留秀暢富士通マイクロエレクトロニクス)・堀 陽子富士通クオリティ・ラボ)・保坂公彦籾山陽一佐藤成生杉井寿博富士通マイクロエレクトロニクスSDM2009-106 ICD2009-22
我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more] SDM2009-106 ICD2009-22
pp.49-52
ICD, ITE-IST
(共催)
2008-10-23
14:10
北海道 北海道大学 情報教育館3F [招待講演]微細デバイスを用いた低電圧・高精度ADC回路技術の課題と技術動向
後藤邦彦富士通研ICD2008-76
デジタルAVシステムやワイヤレス通信の急成長に伴い、高速(≧30MSps)・高精度(≧10bit)・低電力のAD変換器(... [more] ICD2008-76
pp.101-106
ICD, IPSJ-ARC
(共催)
2006-06-08
13:00
神奈川 NEC玉川ルネッサンスシティ [特別招待講演]コンピュータアーキテクチャと集積回路技術の協調の必要性について
安藤壽茂富士通
半導体の微細化の進展により多数のトランジスタが集積可能となり,これが産業発展を牽引してきた。しかし,消費電力の増大がプロ... [more] ICD2006-44
pp.25-30
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