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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 15:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] | SDM2023-80 pp.24-27 |
| VLD, DC, RECONF, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2023-11-15 15:05 |
熊本 | くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
強い宝くじ仮説とFeFETベースCiMのCo-design ○山内堅心・山田 歩・三澤奈央子・趙 成謹・トープラサートポン カシディット・高木信一・松井千尋・竹内 健（東大） VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43 |
強い宝くじ仮説(SLTH)は、初期化したNNは良い精度の部分ネットワークを含んでいるという仮説であり、重みを更新しなくて... [more] | VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43 pp.60-63 |
| SDM | 2023-06-26 12:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大） SDM2023-31 |
Hf系酸化物のOrthorhombic(O)相は~5.0nmの超薄膜においても強誘電性を示すが、準安定相であるため、形成... [more] | SDM2023-31 pp.15-18 |
| SDM | 2023-06-26 13:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［依頼講演］オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体キャパシタの非破壊イメージングの開拓 ○藤原弘和・糸矢祐喜・小林正治・バレイユ セドリック・辛 埴・谷内敏之（東大） SDM2023-32 |
HfO$_2$ 系強誘電体キャパシタの特性変動メカニズムを解明するために、in-situ 電気特性評価システムが実装され... [more] | SDM2023-32 pp.19-22 |
| ICD | 2023-04-10 13:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・竹中 充・高木信一（東大） ICD2023-4 |
我々はHZO/Si強誘電体ゲートFET(FeFET)を用いたリザバーコンピューティング(RC)を検証してきた．FeFET... [more] | ICD2023-4 p.9 |
| SDM | 2022-10-19 14:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析 ○今泉文伸（小山高専） SDM2022-58 |
強誘電体や圧電材料を用いたデバイス，センサは現在様々な分野で使用されているが，主材料として使われているPb(Zr,Ti)... [more] | SDM2022-58 pp.16-19 |
| SDM | 2022-06-21 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-26 |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安... [more] | SDM2022-26 pp.9-12 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | Al2O3(0001)およびYSZ(111)基板上でのYbFe2O4薄膜の結晶成長 ○車井健慎・寺地勇博・田村怜太・岩田展幸（日大） ED2022-14 CPM2022-8 SDM2022-21 |
電子型強誘電体として知られているYbFe2O4薄膜をAl2O3(0001)基板および, YSZ(111)基板上にパルスレ... [more] | ED2022-14 CPM2022-8 SDM2022-21 pp.29-34 |
| SDM | 2021-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 ○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌（東大） SDM2021-55 |
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] | SDM2021-55 pp.13-18 |
| SDM | 2021-11-11 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究 ○小林正治・Mo, Fei・Xiang, Jiawen・Mei, Xiaoran・沢辺慶起・更屋拓哉・平本俊郎（東大）・Su, Chun-Jung（TSRI）・Hu, Vita Pi-Ho（NTU） SDM2021-56 |
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない．特に消費電力性能が重要... [more] | SDM2021-56 pp.19-22 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～ ○トープラサートポン カシディット・田原建人（東大）・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁（富士通セミコンダクターメモリソリューション）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8～9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] | SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
| SDM | 2021-06-22 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-23 |
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] | SDM2021-23 pp.7-12 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 11:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価 ○石崎勇真・梅村浩輝・松川大毅・木村 睦（龍谷大）・徳光永輔（北陸先端大）・羽賀健一・土井利浩（三菱マテリアル） EID2020-5 SDM2020-39 |
ニューロモーフィックシステムは、ニューロンとシナプスの要素を実装するハードウェアレベルの生体模擬システムであり、低消費電... [more] | EID2020-5 SDM2020-39 pp.17-20 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ ○福井智貴・中川滉貴・木村 睦（龍谷大） EID2020-14 SDM2020-48 |
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] | EID2020-14 SDM2020-48 pp.54-57 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-06 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 ○トープラサートポン カシディット・林 早阳・李 宗恩・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-2 ICD2020-2 |
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり，強誘電体/半導体界面における強誘... [more] | SDM2020-2 ICD2020-2 pp.3-7 |
| SDM | 2020-01-28 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Hf1-xZrxO2強誘電体トンネル接合を用いた強化学習 ～ ばらつき制御による性能向上 ～ ○太田健介・山口まりな（キオクシア）・ラドゥ ベルダン・丸亀孝生・西 義史（東芝）・松尾和展・高橋恒太・神谷優太・宮野信治・出口 淳・藤井章輔・齋藤真澄（キオクシア） SDM2019-84 |
Hf1-xZrxO2を用いた強誘電体トンネル接合において、メモリ内演算による強化学習性能を最大化するための構造及び組成に... [more] | SDM2019-84 p.9 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 09:30 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［招待講演］極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討 ○小林正治・莫 非・多川友作・金 成吉・安 珉柱・更屋拓哉・平本俊郎（東大） SDM2019-45 ICD2019-10 |
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] | SDM2019-45 ICD2019-10 pp.59-62 |
| SDM | 2019-01-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-82 |
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] | SDM2018-82 pp.5-8 |
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