お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 60件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-06-22
13:50
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~
トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大SDM2021-23
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] SDM2021-23
pp.7-12
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:40
ONLINE オンライン開催 ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価
石崎勇真梅村浩輝松川大毅木村 睦龍谷大)・徳光永輔北陸先端大)・羽賀健一土井利浩三菱マテリアルEID2020-5 SDM2020-39
ニューロモーフィックシステムは、ニューロンとシナプスの要素を実装するハードウェアレベルの生体模擬システムであり、低消費電... [more] EID2020-5 SDM2020-39
pp.17-20
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
16:30
ONLINE オンライン開催 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大EID2020-14 SDM2020-48
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] EID2020-14 SDM2020-48
pp.54-57
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-06
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
トープラサートポン カシディット林 早阳李 宗恩竹中 充高木信一東大SDM2020-2 ICD2020-2
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘... [more] SDM2020-2 ICD2020-2
pp.3-7
SDM 2020-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Hf1-xZrxO2強誘電体トンネル接合を用いた強化学習 ~ ばらつき制御による性能向上 ~
太田健介山口まりなキオクシア)・ラドゥ ベルダン丸亀孝生西 義史東芝)・松尾和展高橋恒太神谷優太宮野信治出口 淳藤井章輔齋藤真澄キオクシアSDM2019-84
Hf1-xZrxO2を用いた強誘電体トンネル接合において、メモリ内演算による強化学習性能を最大化するための構造及び組成に... [more] SDM2019-84
p.9
SDM 2019-11-08
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2019-74
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて,その非定常状態における振る舞いを... [more] SDM2019-74
pp.27-32
SDM 2019-10-23
14:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成
片岡正和林 将生キム ミンギ大見俊一郎東工大SDM2019-54
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] SDM2019-54
pp.7-10
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
09:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治莫 非多川友作金 成吉安 珉柱更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-45 ICD2019-10
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] SDM2019-45 ICD2019-10
pp.59-62
SDM 2019-01-29
09:55
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-82
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] SDM2018-82
pp.5-8
SDM 2019-01-29
13:20
東京 機械振興会館 [招待講演]サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発
山口 直張 田田大森和幸島田康弘国宗依信井手 隆井上真雄松浦正純ルネサス エレクトロニクスSDM2018-86
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] SDM2018-86
pp.21-26
OME 2018-11-28
16:10
兵庫 じばさんビル502室(姫路) 有機強誘電体薄膜を用いた応力測定とスマートインソール応用
藤原圭佑小村将大神戸大)・森本勝大神戸大/富山大)・小柴康子堀家匠平福島達也石田謙司神戸大OME2018-34
本研究では有機強誘電体薄膜の柔軟性を活かしたスマートインソールの開発に向けて、まずポリウレタン樹脂板で有機強誘電体フッ化... [more] OME2018-34
pp.33-36
SDM 2018-11-09
14:20
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2018-74
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち,その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて,その振る舞いをシミュレーシ... [more] SDM2018-74
pp.47-52
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) [詳細]
2018-07-20
09:15
北海道 洞爺観光ホテル エピタキシャル(Pb,La)(Zr,Ti)O3 (PLZT)薄膜を用いた高速光変調器
阿部峻佑原 英生増田 伸君島正幸アドバンテスト研EMT2018-33 MW2018-48 OPE2018-36 EST2018-31 MWP2018-32
光通信の分野においてLiNbO3(LN)を用いた光変調器が主流であるが、素子の小型化は難しく、集積化に適した新材料による... [more] EMT2018-33 MW2018-48 OPE2018-36 EST2018-31 MWP2018-32
pp.143-148
SDM 2018-06-25
16:15
愛知 名古屋大学 VBL3F HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-25
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] SDM2018-25
pp.43-46
US 2018-05-21
15:45
東京 機械振興会館 周波数スイッチナブルフィルタを目指した常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜音響共振子
清水貴博柳谷隆彦早大US2018-16
近年,移動体通信機器の周波数バンド数の増加に伴って,フィルタ搭載数が増加している.その解決策の1つとして,1つのフィルタ... [more] US2018-16
pp.29-34
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) [詳細]
2018-01-25
15:40
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 分極反転構造を用いた多段回折型電気光学偏向器
林 勇太井上敏之村田博司真田篤志阪大)・岡崎雅英SCREEN)・石野正人山本和久阪大PN2017-49 EMT2017-86 OPE2017-127 LQE2017-109 EST2017-85 MWP2017-62
我々は, 分極反転構造を用いた新しい多段回折型電気光学(EO)偏向器を提案している. 電子分極に基づくEO効果によるブラ... [more] PN2017-49 EMT2017-86 OPE2017-127 LQE2017-109 EST2017-85 MWP2017-62
pp.59-64
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
14:30
京都 京都大学 強誘電体キャパシタを用いたニューラルネットワークのシミュレーション
小川功人横山朋陽木村 睦龍谷大EID2017-21 SDM2017-82
ニューラルネットワークは、生体の脳・神経系が持つ高度な情報処理の機能や原理に学んで、新しい工学的情報処理システムの実現を... [more] EID2017-21 SDM2017-82
pp.51-55
MW 2017-11-09
15:15
沖縄 宮古島マリンターミナルビル マイクロ波・ミリ波帯移相器の開発に向けた強誘電体膜材料の検討 ~ 成膜条件の最適化 ~
島 宏美防衛大)・内田 寛上智大)・中嶋宇史東京理科大/JST)・岡村総一郎東京理科大)・福田翔太郎亀井利久防衛大MW2017-125
IoT時代の到来を背景にマイクロ波・ミリ波帯での可変多機能デバイスの開発が求められている。筆者らはこれまで印加電界によっ... [more] MW2017-125
pp.73-77
SDM 2017-10-26
10:50
宮城 東北大学未来研 ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果
女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構/JST)・澤本直美明大)・大井暁彦池田直樹知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2017-57
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] SDM2017-57
pp.39-44
US 2017-07-27
17:05
岡山 岡山大学 ブリルアン散乱法によるリラクサー強誘電体PMNT結晶の研究
小島誠治エム ヘラルエム アフタザマン筑波大)・ジュラス バニスヴィリニュス大US2017-45
 [more] US2017-45
pp.75-78
 60件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会