| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2013-04-11 17:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［パネル討論］スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ～ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える？ ～ ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・遠藤哲郎（東北大）・加藤佳一（パナソニック）・半澤 悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・川澄 篤（東芝）・三輪 達（サンディスク）  ICD2013-11 |
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] | ICD2013-11 p.53 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 11:15 |
富山 | 富山県民会館 | ［招待講演］強誘電体メモリ（FeRAM）の技術動向 ～ 2010とこれから ～ ○川嶋将一郎（富士通セミコンダクター） SDM2011-76 ICD2011-44 |
強誘電体は自発分極をもちこの方向を０と１の記憶に用いた不揮発性メモリが ＦｅＲＡＭである。強誘電体の例としてＰＺＴ（チ... [more] |
SDM2011-76 ICD2011-44 pp.29-34 |
| ICD | 2010-04-22 14:20 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術 ○高島大三郎・滋賀秀裕・橋本大輔・宮川 正・尾崎 徹・金谷宏行・首藤 晋・山川晃司・國島 巌（東芝） ICD2010-8 |
本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAMTM技術の概要と、Scalingに適したShie... [more] | ICD2010-8 pp.41-46 |
| ED | 2009-04-23 15:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ ○金子幸広・田中浩之・加藤剛久・嶋田恭博（パナソニック） ED2009-5 |
微細化可能な新規不揮発性メモリとして，酸化物材料の積層構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタを開発した．SrTiO3... [more] | ED2009-5 pp.17-22 |
| ICD | 2009-04-13 12:40 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | ［招待講演］FeRAMの概要と1.6GB/s DDR2 128Mb Chain FeRAM ○滋賀秀裕・高島大三郎・白武慎一郎・穂谷克彦・宮川 正・荻原 隆・福田 良・滝澤亮介・初田幸輔・松岡史宜・長冨 靖・橋本大輔・西村久明・日岡 健・堂前須弥子（東芝） ICD2009-1 |
強誘電体メモリ(FeRAM)はDRAM並みの高速アクセスとフラッシュメモリ等の有する不揮発性とを兼ね備えており、次世代の... [more] | ICD2009-1 pp.1-6 |
| ICD | 2006-04-13 13:00 |
大分 | 大分大学 | ［特別招待講演］Chain FeRAM技術と将来展望 ○高島大三郎（東芝） |
連鎖型強誘電体メモリ(chain FeRAM®)は、高密度/高速/低消費電力化が可能な新規メモリとして有望である... [more] | ICD2006-6 pp.31-36 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]