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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMCJ, IEE-EMC, IEE-SPC (連催) |
2023-05-12 16:55 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
非線形ばねと静止摩擦のモデルによる強磁性体の磁化特性の表現とパラメタ依存性の検討 ○西方敦博（東工大）  EMCJ2023-10 |
強磁性材料のヒステリシス特性のモデル化はEMC設計のために重要となる。 先に筆者らは強磁性体のヒステリシス特性を模擬す... [more] |
EMCJ2023-10 pp.21-24 |
| MRIS, CPM (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2022-10-27 13:30 |
長野 | 信州大学＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
磁気抵抗効果測定によるC11b Cr-Al薄膜の磁気構造の検討 ○井口颯太・藤原壮甫・豊木研太郎・白土 優・中谷亮一（阪大） MRIS2022-6 CPM2022-37 |
磁気抵抗(MR)効果素子やTHz帯で動作可能な磁気デバイスの発展には，反強磁性体のライブラリ 拡大が必要不可欠である.通... [more] | MRIS2022-6 CPM2022-37 pp.1-5 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2020-10-05 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | Co2FeSi/MgO二層構造における垂直磁気異方性の評価 ○松下瑛介・高村陽太・スタットラー嘉也・中川茂樹（東工大） MRIS2020-4 |
ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金 Co_2FeSi(CFS)/MgO 二層膜における垂直磁気異方性の起源を調... [more] | MRIS2020-4 pp.16-19 |
| SCE | 2018-01-31 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 断熱型量子磁束パラメトロンを用いた低エネルギー強磁性体マトリックスメモリの検討 ○岩下颯斗・谷口壮耶・加藤悠輝・佐野京佑・田中雅光・藤巻 朗（名大） SCE2017-41 |
高エネルギー効率な計算機の実現に向け、強磁性体パターンを記憶素子とする、マトリックスメモリの検討を行った。ビット線とワー... [more] | SCE2017-41 pp.57-62 |
| ED | 2017-04-21 10:55 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 本館 ６階 大会議室 | 強磁性体－超伝導体－強磁性体電極で構成される単一電子トランジスタのゲート電圧と外部磁場に対する応答 ○水柿義直・滝口将志・田村伸行・島田 宏（電通大） ED2017-13 |
強磁性体（Ferromagnet: FM）であるコバルト（Co）と超伝導体（Superconductor: SC）である... [more] | ED2017-13 pp.47-50 |
| ED | 2016-10-25 15:20 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化 ○宮崎健人・阪井那央哉（三重大）・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大/三重大極限ナノエレセ） ED2016-47 |
電子の持つ電荷とスピンの両方の自由度を応用するスピントロニクスの発展には、磁性体表面・界面のスピン状態を、原子分解能で評... [more] | ED2016-47 pp.17-20 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-07-08 14:15 |
東京 | 中央大学 | Co_2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現 ○篠原光貴・鈴木隆寛・高村陽太・中川茂樹（東工大） MR2016-16 |
強磁性トンネル接合素子（MTJ）に応用可能なスピン分極率が100％のハーフメタル強磁性体として期待されているCo基フルホ... [more] | MR2016-16 pp.19-24 |
| QIT (第二種研究会) |
2015-11-24 15:10 |
神奈川 | NTT厚木研究開発センタ講堂 | ［チュートリアル講演］固体中の集団励起自由度を用いたハイブリッド量子系 ○中村泰信（東大） |
固体中の集団励起の自由度を１量子レベルでコヒーレントに制御し，量子情報処理技術に応用することを目指している．超伝導回路上... [more] | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-07-10 16:10 |
東京 | 早稲田大学 | フルホイスラー合金Co2FeSiとCo2MnSiへの垂直磁気異方性の付与 ○高村陽太・松下直輝・篠原光貴・鈴木隆寛・藤野頼信（東工大）・園部義明（サムソン）・中川茂樹（東工大） MR2015-14 |
スピントロニクスデバイスに応用可能なスピン分極率が100%のハーフタル強磁性体として期待されているCo基フルホイスラー合... [more] | MR2015-14 pp.31-35 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2014-07-17 13:00 |
東京 | 東京工業大学 | [Co2MnSi/Pd]n人工格子膜の磁気異方性のMgO基板結晶方位依存性 ○松下直輝・藤野頼信・高村陽太（東工大）・園部義明（サムスン）・中川茂樹（東工大） MR2014-8 |
ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金Co2MnSi(CMS)とPdの人工格子を異なる面方位の単結晶MgO基板上に... [more] | MR2014-8 pp.1-5 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 14:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 積層界面数が異なる強磁性-強誘電複合体の電気磁気効果 ○岩水大樹・籠宮 功・柿本健一（名工大） ED2014-24 CPM2014-7 SDM2014-22 |
強磁性体と強誘電体を積層させた複合型の電気磁気効果材料は常温で高い出力を示すことが知られているが、各層の積層条件が電気磁... [more] | ED2014-24 CPM2014-7 SDM2014-22 pp.33-34 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 10:20 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性 ○石川琢磨・佐藤栄太・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2011-152 SDM2011-169 |
表面清浄化に注意して準備したSiO2/Si基板上に，室温の交互蒸着法によりMgF2/Feナノドット/MgF2グラニュラー... [more] | ED2011-152 SDM2011-169 pp.59-64 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2010-03-12 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 | 原子層制御蒸着法により作製したホイスラー合金薄膜における局所磁性の温度依存性評価 ○堀 隆博・石川佳樹・和田悠希・田中雅章・壬生 攻（名工大） MR2009-64 |
Co系ホイスラー合金薄膜において，結晶規則度の違いや界面の影響による局所磁性の変化とその温度依存性の評価を行った．原子層... [more] | MR2009-64 pp.33-37 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 16:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 ○田村伸行・菊池健人・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2009-204 SDM2009-201 |
我々は，強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う． ... [more] |
ED2009-204 SDM2009-201 pp.47-52 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:25 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application ○Yu-ichiro Ando・Koji Ueda・Mamoru Kumano・Taizoh Sadoh（九大）・Kazumasa Narumi（原子力機構）・Yoshihito Maeda（京大）・Masanobu Miyao（九大） |
スピン偏極強磁性体シリサイドDO3型Fe$_3$Si（キュリー温度：840K）は，格子定数(0.565nm)が，Geの格... [more] | |
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