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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| CPM | 2013-08-01 14:10 |
北海道 | 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 | 原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料(In)GaAsNの開発 ○鈴木秀俊・原口智宏・山内俊浩・福山敦彦・碇 哲雄（宮崎大） CPM2013-41 |
(In)GaAsNは超高効率多接合型太陽電池用材料として期待されているが、N起因の欠陥やN原子の不均一な分布の為十分な特... [more] | CPM2013-41 pp.11-15 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 15:45 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 ○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田 浩（豊橋技科大） ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 |
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少する... [more] | ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 pp.23-26 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 10:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造 ○梅野和行・金 聖晩・古川雄三・米津宏雄・若原昭浩（豊橋技科大） |
SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし，直接遷移型InGaPN/GaPN量子井... [more] | ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32 pp.67-72 |
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