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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-23 09:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］III-V族半導体薄膜を用いたハイブリッド光変調器の展望 ○竹中 充・李 強・関根尚希・高木信一（東大）  R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33 |
我々はSi導波路とIII-V族半導体薄膜をゲート絶縁膜となるAl2O3で貼り合わせたハイブリッドMOS構造に蓄積した電子... [more] | R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33 pp.43-46 |
| LQE | 2018-07-13 10:40 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望 ○竹中 充・高木信一（東大） LQE2018-31 |
我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し，その光変調器応... [more] | LQE2018-31 pp.43-46 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) | III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 ○一宮佑希・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-146 LQE2014-133 |
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] | OPE2014-146 LQE2014-133 pp.37-40 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ ○一宮佑希・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） OPE2014-21 LQE2014-26 |
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] | OPE2014-21 LQE2014-26 pp.39-42 |
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