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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-06-25 12:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果 ○弓削雅津也（芝浦工大）・生田目俊秀・色川芳宏・大井暁彦・池田直樹・Liwen Sang・小出康夫（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）  SDM2018-19 |
本研究では、Al$_2$O$_3$/n-GaN MOSキャパシタの固定電荷及びダイポールの生成に対する自然酸化膜界面層(... [more] | SDM2018-19 pp.15-18 |
| CPM | 2011-10-27 09:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製 ○逸見充則・井口裕哉・酒井崇史・杉田暁彦・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2011-119 |
TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さ... [more] | CPM2011-119 pp.51-54 |
| SDM | 2009-12-04 15:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 ○広重康夫・東 清一郎・宮崎祐介・松本和也・宮崎誠一（広島大） SDM2009-166 |
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] | SDM2009-166 pp.79-82 |
| SDM | 2007-06-07 16:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 ○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-38 |
パワーMOSFET用材料として注目されている4H-SiCであるが，MOSFETの反転層チャネル移動度が小さいという問題が... [more] | SDM2007-38 pp.37-42 |
| SDM | 2007-06-08 10:55 |
広島 | 広島大学（学士会館） | LaAlO/Si基板界面への１原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証 ○高島 章・西川幸江・清水達雄・鈴木正道・松下大介・吉木昌彦・富田充裕・山口 豪・小山正人・福島 伸（東芝） SDM2007-43 |
high-k絶縁膜/Si基板界面における技術的課題である界面準位密度の低減について、我々の最近の研究成果を報告する。具体... [more] | SDM2007-43 pp.65-70 |
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