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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-11
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化
野口宗隆渡邊 寛三菱電機)・喜多浩之東大)・西川和康三菱電機SDM2022-75
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] SDM2022-75
pp.50-54
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-06
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
トープラサートポン カシディット林 早阳李 宗恩竹中 充高木信一東大SDM2020-2 ICD2020-2
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘... [more] SDM2020-2 ICD2020-2
pp.3-7
SDM 2018-06-25
13:30
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ~ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ~
松本 翼金沢大)・加藤宙光牧野俊晴小倉政彦竹内大輔産総研)・猪熊孝夫金沢大)・山崎 聡産総研)・徳田規夫金沢大SDM2018-20
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、Si... [more] SDM2018-20
pp.19-22
SDM 2012-11-16
10:00
東京 機械振興会館 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価
山本真大廣木 彰尹 鍾鐵京都工繊大SDM2012-104
ITRSでMOSデバイスの電気特性の計算に用いられるプログラムMASTARの電子実効移動度モデルの精度を評価した。評価方... [more] SDM2012-104
pp.25-30
MW, ED
(共催)
2011-01-14
10:35
東京 機械振興会館 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2010-184 MW2010-144
Si基板に空乏層を形成することで,同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する,いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] ED2010-184 MW2010-144
pp.51-54
SDM 2008-06-09
15:50
東京 東京大学(生産研 An棟) Si反転層中のホールサブバンド分散
武田さくら森田 誠大杉拓也谷川洋平大門 寛奈良先端大SDM2008-44
CMOSchannel 中の電子やホールの有効質量の軽量化は情報処理速度向上のための有力な手段である。電
子やホールの... [more]
SDM2008-44
pp.13-16
SDM 2008-06-09
16:50
東京 東京大学(生産研 An棟) シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
齋藤真澄小林茂樹内田 建東芝SDM2008-46
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な... [more] SDM2008-46
pp.23-27
ICD 2005-04-14
16:15
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
倉田英明笹子佳孝大津賀一雄有金 剛河村哲史小林 孝久米 均日立)・本間和樹小堺健司野田敏史伊藤輝彦清水雅裕池田良広土屋 修古沢和則ルネサステクノロジ
多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線と... [more] ICD2005-11
pp.53-58
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