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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2019-12-20
13:00
佐賀 アバンセ(佐賀市:佐賀駅徒歩10分) 無電解金めっきナノギャップ電極を用いた炭素架橋オリゴフェニレンビニレン6単一分子の単電子トランジスタ
入江力也Chun Ouyang居藤悠馬Phan Trong Tue東工大)・辻 勇人神奈川大)・中村栄一東大)・真島 豊東工大OME2019-37
分子デバイスは50年以上に亘り研究されてきたが、単一分子への電気接続を可能とする微細加工技術の難しさ等により実用化には至... [more] OME2019-37
pp.9-12
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
浅井佑基本庄周作瘧師貴幸福地 厚有田正志高橋庸夫北大ED2017-104 SDM2017-104
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は,低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] ED2017-104 SDM2017-104
pp.1-6
SDM, ED
(共催)
2015-02-06
11:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) グラフェン単キャリアトランジスタの作製と特性評価
岩崎拓哉ムルガナタン マノハラン水田 博北陸先端大ED2014-150 SDM2014-159
単一量子ドット(QD)を持つグラフェン単キャリアトランジスタ(SCT)を作製し, 単キャリア輸送特性の評価・解析を行った... [more] ED2014-150 SDM2014-159
pp.69-73
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
12:05
北海道 北海道大学百年記念会館 ナノギャップでの原子のマイグレーション現象により作製したNi系ナノスケールデバイス
須田隆太郎伊藤光樹森原康平豊中貴大滝川主喜白樫淳一東京農工大ED2013-149 SDM2013-164
ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用することで,強磁性単電子トランジスタ(Ferromagneti... [more] ED2013-149 SDM2013-164
pp.95-100
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:00
北海道 北海道大学(百年記念会館) 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化
鈴木龍太野末喬城更屋拓也平本俊郎東大ED2012-137 SDM2012-166
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF... [more] ED2012-137 SDM2012-166
pp.47-52
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
09:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御
伊藤光樹秋元俊介白樫淳一東京農工大ED2011-151 SDM2011-168
我々は,直列に接続された複数のナノギャップに対して,電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション(アクティベーション)を... [more] ED2011-151 SDM2011-168
pp.53-58
SDM, ED
(共催)
2011-02-24
11:10
北海道 北海道大学 百年記念会館 Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination
Arief UdhiartoDaniel MoraruRyusuke NakamuraTakeshi MizunoMichiharu TabeShizuoka Univ.ED2010-204 SDM2010-239
あらまし 私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与え... [more] ED2010-204 SDM2010-239
pp.67-72
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
15:40
沖縄 沖縄県青年会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化
上野俊介友田悠介久米 彌花田道庸滝谷和聡白樫淳一東京農工大ED2009-202 SDM2009-199
プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である,電界放射電流によって誘起・発現されるエレクトロマイグレーシ... [more] ED2009-202 SDM2009-199
pp.35-39
ED 2009-04-24
09:25
宮城 東北大学電気通信研究所 陽極酸化過程を用いた室温動作単電子トランジスタの作製
木村康男武藤高見庭野道夫東北大ED2009-9
室温動作可能な単電子トランジスタを作製するためには、数nmのナノドットをソース・ドレイン電極間に配置しなければならない。... [more] ED2009-9
pp.35-38
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:00
北海道 北海道大学 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法による単電子トランジスタの作製
友田悠介久米 彌花田道庸高橋佳祐白樫淳一東京農工大ED2008-232 SDM2008-224
単電子トランジスタに代表されるナノスケールデバイスの作製技術として、エレクトロマイグレーションを利用した簡便な手法を提案... [more] ED2008-232 SDM2008-224
pp.47-52
ED, SDM
(共催)
2008-01-31
09:25
北海道 北海道大学 カーボンナノチューブ単電子トランジスタの高温動作に向けて
森 貴洋理研)・佐藤俊介大村一夫理研/東京理科大)・内田勝美矢島博文東京理科大)・石橋幸治理研/JSTED2007-245 SDM2007-256
単層カーボンナノチューブは単電子トランジスタの構成材料として極めて有望な材料である。我々はカーボンナノチューブ単電子トラ... [more] ED2007-245 SDM2007-256
pp.43-46
CPM 2007-08-09
14:30
山形 山形大学 [招待講演]陽極酸化により作製したアルミニウムナノドットからのクーロン階段の室温観測
木村康男庭野道夫東北大CPM2007-39
適切な場所に室温動作するナノデバイスを構築するためにはボトムアッププロセスとトップダウンプロセスとを組み合わせた新しいプ... [more] CPM2007-39
pp.15-19
SDM, ED
(共催)
2007-02-02
13:00
北海道 北海道大学 百年記念会館 多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流
大倉健作北出哲也・○中島安理広島大
単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは現在までに蓄... [more] ED2006-254 SDM2006-242
pp.79-82
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
13:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 多重ドットSi単電子トランジスタにおける周期的なクーロン振動
大倉健作広島大)・北出哲也ローム)・中島安理広島大
単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは現在までに蓄... [more] ED2005-225 SDM2005-237
pp.7-11
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
14:45
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 高濃度ドープしたSi単電子トランジスタを使ったXOR回路の室温動作
大倉健作広島大)・北出哲也ローム)・中島安理広島大
単電子トランジスタ(SET)は超低消費電力・超高集積化を実現する次世代のデバイスとして期待されている。特にSi SETは... [more] ED2005-227 SDM2005-239
pp.19-22
ED, SDM
(共催)
2006-01-27
10:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析
葛西誠也湯元美樹長谷川英機北大
量子ナノ集積論理回路であるナノプロセッサの低消費電力演算特性を明らかにするために,GaAs系ショットキーラップゲート(W... [more] ED2005-234 SDM2005-246
pp.15-20
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