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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2023-12-08 09:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 酸化環境に対する平面型グラフェン電子源の保護手法と電子放出特性に及ぼす影響 ○六川 蓮・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村田博雅・村上勝久（産総研）  ED2023-48 |
平面型グラフェン電子源は，電圧印加のみで高効率な電子放出が可能であることから地球低軌道で使用される小型イオンスラスタの中... [more] | ED2023-48 pp.39-42 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-24 15:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 ○小林康之（弘前大）・廣木正伸・熊倉一英（NTT） R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である．我々... [more] | R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 pp.42-44 |
| QIT (第二種研究会) |
2023-05-29 16:30 |
京都 | 京都大学 桂キャンパス | ［ポスター講演］アンチストークス励起による六方晶窒化ホウ素欠陥中心からの単一光子発生 ○岡城勇大・嶋崎幸之介・鈴木和樹（京大）・高島秀聡（千歳科技大）・Igor Aharonovich（シドニー工科大）・竹内繁樹（京大） |
近年，六方晶窒化ホウ素（hBN）単一欠陥中心は，室温で細い線幅また高輝度な単一光子発生をしめすことから，室温で動作する単... [more] | |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 (Webex) | 六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化 ○大石泰己・渡邊泰良・田中佑樹・増田克仁・吉岡 陸・増田希良里・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2022-8 |
BCl₃ と NH₃ を原料とする減圧化学気相法 （CVD） を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN... [more] | EID2022-8 pp.17-20 |
| ED | 2021-12-09 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング ○松本直之（横浜国大/産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2021-45 |
平面型グラフェン電子源は，推進剤不要，低電圧駆動 (< 20 V)，高電子電流密度 (1‒100 mA/cm2)，高放出... [more] | ED2021-45 pp.38-42 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 ○形岡遼志・小泉晴比古・岩山 章・三宅秀人（三重大） ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，二次元層状物質で，歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている．従来，h-BNは有機金... [more] | ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 pp.83-86 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 13:05 |
鳥取 | 鳥取大鳥取キャンパス | ［ポスター講演］c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長 ○名嘉眞朝泰・松下一貴・渡邊泰良・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法（CVD）を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ... [more] | |
| ED | 2019-11-22 12:05 |
東京 | 機械振興会館 | Graphene/h-BNの積層構造を用いた平面型電子源 ○猪狩朋也（筑波大/産総研）・長尾昌善（産総研）・三石和貴（物質・材料研究機構）・佐々木正洋・山田洋一（筑波大）・村上勝久（産総研/筑波大） ED2019-75 |
本研究は，原子層物質であるgraphene及び$h$-BNの積層構造を用いた新規平面型電子放出素子を開発し，その電子放出... [more] | ED2019-75 pp.63-66 |
| ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:30 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 ○川原崎 匠・梅原直己・名嘉眞朝泰・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2017-30 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素（h-BN）薄膜の作製を行った。ま... [more] | EID2017-30 pp.1-4 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:45 |
富山 | 富山大学 | 減圧CVD成長によってサファイア基板上に作製した六方晶BN薄膜の発光特性 ○清水乙生・梅原直己・増田 敦・渡辺佳那・光野徹也・小南裕子・原 和彦（静岡大） EID2015-38 |
BCl3とNH3を原料とする減圧CVDにより，c面サファイア基板上に作製した六方晶窒化ホウ素薄膜について，カソードルミネ... [more] | EID2015-38 pp.97-100 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-22 15:24 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | 深紫外発光応用に向けた六方晶BN薄膜のCVD成長 ○増田 敦・梅原直己・清水乙生・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2014-45 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った．成... [more] | EID2014-45 pp.41-44 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-24 14:18 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 高温CVDにより成長した六方晶BN薄膜の発光特性 ○梅原直己・桑原伊織・李 惠映・光野徹也・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大） EID2013-14 |
BCl3とNH3を原料とする常圧の化学気相法を用いて，c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行っ... [more] | EID2013-14 pp.25-28 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 ○小林康之・熊倉一英・赤坂哲也・山本秀樹・牧本俊樹（NTT） ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 |
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] | ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 p.7 |
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