お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 13件中 1~13件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
16:40
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 表面プラズモンポラリトンを用いた合分波器および信号反転器の開発
中山昂太郎住村あさひ外岡悠汰太田 雅石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2017-22 CPM2017-8 SDM2017-16
近年,表面プラズモンポラリトン(SPP)を信号キャリアとする高密度集積可能な光電子集積回路の研究が報告され始めている.こ... [more] ED2017-22 CPM2017-8 SDM2017-16
pp.39-44
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
11:20
京都 京大桂キャンパス 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発
土山和晃宇都宮 脩中川翔太山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89
本報告では、次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する、Si/SiO2/GaN-LED基板構造の作製技術および... [more] ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89
pp.79-83
SDM 2016-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス
竹中 充金 栄現韓 在勲亢 健一宮佑希程 勇鵬朴 珍權金 相賢高木信一東大SDM2015-124
本論文では,Siプラットフォーム上にSiGeやGe,III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] SDM2015-124
pp.17-20
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
16:10
愛知 名古屋大学VBL3階 導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作
酒井宏基相原卓磨武田愛弓福原誠史太田 雅木村 優石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26
表面プラズモンポラリトン(SPP)は,回折限界の制約を超えた微小領域への光の局在を可能とするため,光電子集積回路(OEI... [more] ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26
pp.51-54
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-24
17:00
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) 表面プラズモン検出器-MOSFET集積回路における静的および動的特性
相原卓磨武田愛弓福原誠史石井佑弥福田光男豊橋技科大PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102
情報処理システムの更なる高速・大容量化の実現に向けて、集積回路内における光インターコネクトに関する研究が活発に行われてい... [more] PN2013-82 OPE2013-196 LQE2013-182 EST2013-131 MWP2013-102
pp.303-306
LQE, LSJ
(共催)
2012-05-25
13:20
福井 福井大学文京キャンパス ナノスリットグレーティングを有する表面プラズモン検出器
相原卓磨中川恭平福原誠史福田光男豊橋技科大LQE2012-7
近年,高速・大容量情報処理システムが要求されている.この要求に対し,表面プラズモンを信号伝達手段として利用し,高密度実装... [more] LQE2012-7
pp.29-32
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
13:40
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上
深見太志浦上法之関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20
Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGa... [more] ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20
pp.7-10
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
14:05
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
伊藤宏成熊谷啓助関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21
格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、Sおよび... [more] ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21
pp.11-14
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
13:50
愛知 名古屋大学 VBL Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長
熊谷啓助小路耕平河合 剛山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23
pp.49-54
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-15
11:20
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性
浦上法之野間亮佑梅野和行光吉三郎岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21
pp.71-76
ED, CPM, SDM
(共催)
2006-05-19
10:15
愛知 豊橋技術科学大学VBL Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
梅野和行金 聖晩古川雄三米津宏雄若原昭浩豊橋技科大
SiとIII-V-N混晶を用いた光電子集積回路における発光素子への応用を目的とし,直接遷移型InGaPN/GaPN量子井... [more] ED2006-32 CPM2006-19 SDM2006-32
pp.67-72
ED, CPM, SDM
(共催)
2006-05-19
10:50
愛知 豊橋技術科学大学VBL Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製
太田成人森崎祐二文 秀榮石地正義古川雄三米津宏雄若原昭浩豊橋技科大
Si基板上のモノリシック型光電子集積回路(Optoelectronic Integrated Circuits:OEIC... [more] ED2006-33 CPM2006-20 SDM2006-33
pp.73-78
OCS, OPE, LQE
(共催)
2005-11-03
17:25
福岡 九州工業大学 InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC
柏尾典秀栗島賢ニ佐野公一井田 実渡邉則之福山裕之菅原裕彦徳光雅美榎木孝知NTT
InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InP HBT)の全面再成長法により、InP HBTと単一走行キャリアフォトダイ... [more] OCS2005-56 OPE2005-86 LQE2005-94
pp.43-46
 13件中 1~13件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会